選択ウエットエッチングの英語

酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９と電極４２とのコンタクト部３０において、酸化シリコン膜５４をウエットエッチングにより選択的に除去する。例文帳に追加

At the contact part 30 of the oxygen doped semi-insulating polysilicon film 39 and an electrode 42, the silicon oxide film 54 is removed selectively by wet etching. - 特許庁

リセスゲート型のＦＥＴ製造工程において、リセスエッチングプロセス（Ｓ１０５）はアンモニア水を含む水溶液でウエットエッチングでＧａＡｓの選択エッチング（リセスエッチング（Ｓ１０５））を行う。例文帳に追加

In a process for manufacturing a recess-gate type FET, a recess etching process (S105) subjects it to an aqueous solution containing aqueous ammonia for selective etching with GaAs in wet-etching. - 特許庁

あるいは、プレス時の型の加熱温度をレジスト膜の熱劣化温度に設定して型をプレスすることにより、レジスト膜を選択的に変性させた後、ウエットエッチングを行なう。例文帳に追加

Or, the method comprises the steps of setting a heating temperature of the mold at a pressing time to a heat deteriorating temperature of the film, selectively modifying the film by pressing the mold, and then wet etching the film. - 特許庁

レジストパターン上に堆積した不要なメッキ下地膜をレジストパターンと共に剥離させた後、ウエットエッチングにより給電膜１２のうち少なくともメッキ配線１７から露出している領域を選択的に除去する。例文帳に追加

After the unwanted plating base film deposited on the resist pattern is released together with the resist pattern, the area of the feeding film 12 exposed from the plating wiring 17 at least is selectively removed by wet etching. - 特許庁

フッ酸と硝酸とを主成分とする液を用いたウエットエッチング法では、絶縁膜１４とのエッチング選択比を充分にとることができ、コストアップとなる保護絶縁膜等を形成する必要はない。例文帳に追加

In the method for wet etching by using a liquid essentially comprising fluoric acid and nitric acid, a sufficient etching selection ratio to the insulating film 14 can be obtained so that formation of a protective insulating film or the like which increases the cost is not required. - 特許庁

ポリシリコンで構成されたパターン又はストレージ電極を効果的に保護することができるエッチング組成物を用いて、ウエットエッチング工程で酸化膜を選択的に除去するので、高いエッチング選択比で酸化膜を除去できるとともに、ポリシリコン膜の損傷を防止することができる。例文帳に追加

The method uses the etching composition which effectively protects a pattern or a storage electrode composed of polysilicon and selectively eliminates the oxidized film in a wet etching process, as a result the oxidized film is eliminated in a high etching ratio and impairment of polysilicon film is inhibited. - 特許庁

スタック型キャパシタを備えた半導体装置の製造方法であって、前記キャパシタ下部電極２１ａよりウエットエッチングにおける選択比が高い材料でコンタクト（蓄積ノードコンタクト）１８を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

In a method for manufacturing a semiconductor device provided with a stacked type capacitor, a contact 18 (accumulated node contact) is formed by a material, having a selection ratio of wet etching which is higher than that of a capacitor lower electrode 21a. - 特許庁

第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。例文帳に追加

In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening. - 特許庁