total etchingとは 意味・読み方・使い方

In addition, the total film thickness of the cap layer 108 and the clad layer 107 is changed according to the variation of the etching quantity.例文帳に追加

また、エッチング量の多寡に応じてキャップ層１０８およびクラッド層１０７との合計膜厚を変化させる。 - 特許庁

In the method, the machining allowance for one tank is 16 μm or less for the total front and rear sides of silicon wafer, and the etching grade is 0.3 μm per second or less for the total front and rear sides of silicon wafer.例文帳に追加

この方法では、１槽当たりの取り代をシリコンウェーハの表裏面合計で１６μｍ以下とし、エッチングレートをシリコンウェーハの表裏面合計で０．３μｍ／秒以下とする。 - 特許庁

A plurality of works are continuously subjected to etching treatment using an etching liquid comprising ferric ions (Fe^3+) and ferrous ions (Fe^2+), and in which the ratio of the ferric ions (Fe^3+) occupied in the total quantity of both the iron ions at the time of first etching treatment is ≤60 mol%.例文帳に追加

エッチング液として、３価の鉄イオン(Ｆｅ^3+)と２価の鉄イオン(Ｆｅ^2+)とを含有すると共に、初回のエッチング処理時における、両鉄イオンの総量に占める、３価の鉄イオン(Ｆｅ^3+)の割合が６０モル％以下である液を用いて、連続的に複数の被処理物をエッチング処理する。 - 特許庁

When the total gas exhaust amount reaches a reference level, the exhaust amount monitoring means 8 delivers an exhaust amount reaching signal 20 to the dry etching system 102.例文帳に追加

排出量監視手段８は、このガス総排出量が基準値に到達したとき排出量到達信号２０をドライエッチング装置１０２に出力する。 - 特許庁

A metal mask of which a window (region A) of 60% of the total area is opened is tightly attached onto a substrate 31 and the etching is performed by applying ion beam.例文帳に追加

基板３１上に全体面積の６０％（領域Ａ）の窓の開いた金属マスクを密着させイオンビームを照射することによりエッチングを行った。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15.例文帳に追加

シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

In this case, the density of the methanol gas is set so as to be 5-20% with respect to the total gas flow rate, and mixed gas plasma including methane gas trifluoride and methanol gas and helium gas is used for the dry etching.例文帳に追加

具体的には、メタノールガスは、総ガス流量に対し５〜２０％の濃度であり、ドライエッチングは、三弗化メタンガスとメタノールガスとヘリウムガスとの混合ガスプラズマを用いる。 - 特許庁

The etching device for etching the film on a semiconductor wafer 1 includes a first region where a first wafer 1 with a first resist 18 formed on a patterned film 17 is placed in an etching chamber 101, and a second region where a second wafer 31 formed with a second resist 33 for adjusting a resist occupation ratio of the upper surface of wafer against a total area within the etching chamber 101 is placed.例文帳に追加

半導体ウェーハ１上の膜のエッチングを行うエッチング装置において、エッチングチャンバ１０１内において、被パターニング膜１７上に第１レジスト１８が形成されている第１のウェーハ１を載置する第１領域と、エッチングチャンバ１０１内におけるウェーハ上面の総面積に対するレジスト占有率を調整する第２レジスト３３が形成された第２のウェーハ３１を載置する第２領域とを有している。 - 特許庁