例文 (19件) |
選択ウエットエッチングの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 19件
リン酸系(又は硫酸系)の選択ウエットエッチングと、塩酸系の選択ウエットエッチングを2回に分けて行う(S6−S9)。例文帳に追加
The phosphoric based (or sulfuric acid based) selection-wet etching and the hydrochloric acid based selection wet etching are performed by two steps (S6-S9). - 特許庁
各選択ウエットエッチングに必要な総エッチング時間を決定する(S1,S2)。例文帳に追加
A total etching time required for each selection-wet etching is determined (S1, S2). - 特許庁
ビア保護層114はウエットエッチングの選択率が誘電体層108のウエットエッチングの選択率の約100倍又はそれ以上で、ドライエッチングの選択率が少なくとも誘電体層108のドライエッチングの選択率と等しい材料からなる。例文帳に追加
The via protective layer 114 consists of a material, where selectivity of the wet etching is about 100 times the selectivity of the wet etching of the dielectric layer 108 or over and the selectivity of the dry etching is equal to the selectivity of the dry etching of, at least, the dielectric layer. - 特許庁
その後、ポリシリコン膜3を選択的にドライエッチングまたはウエットエッチングしてポリシリコン・アイランド3Iを形成する。例文帳に追加
The polysilicon film 3 is selectively dry-etched or wet-etched so as to form a polysilicon island 3I. - 特許庁
又、酸化膜を選択的に除去するウエットエッチング工程のエッチング均一性を大きく向上させることができる。例文帳に追加
The method remarkably improves etching homogeneity of the wet etching process which selectively eliminates the oxidized film. - 特許庁
次に、中間層41を選択的にウエットエッチングして、光デバイスの可動部の下の中間層41のみを除去する(図10D)。例文帳に追加
Then, only the intermediate layer 41 under the movable part of the optical device is removed by selectively wet-etching the intermediate layer 41 (Fig.D). - 特許庁
酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜39と電極42とのコンタクト部30において、酸化シリコン膜54をウエットエッチングにより選択的に除去する。例文帳に追加
At the contact part 30 of the oxygen doped semi-insulating polysilicon film 39 and an electrode 42, the silicon oxide film 54 is removed selectively by wet etching. - 特許庁
リセスゲート型のFET製造工程において、リセスエッチングプロセス(S105)はアンモニア水を含む水溶液でウエットエッチングでGaAsの選択エッチング(リセスエッチング(S105))を行う。例文帳に追加
In a process for manufacturing a recess-gate type FET, a recess etching process (S105) subjects it to an aqueous solution containing aqueous ammonia for selective etching with GaAs in wet-etching. - 特許庁
あるいは、プレス時の型の加熱温度をレジスト膜の熱劣化温度に設定して型をプレスすることにより、レジスト膜を選択的に変性させた後、ウエットエッチングを行なう。例文帳に追加
Or, the method comprises the steps of setting a heating temperature of the mold at a pressing time to a heat deteriorating temperature of the film, selectively modifying the film by pressing the mold, and then wet etching the film. - 特許庁
レジストパターン上に堆積した不要なメッキ下地膜をレジストパターンと共に剥離させた後、ウエットエッチングにより給電膜12のうち少なくともメッキ配線17から露出している領域を選択的に除去する。例文帳に追加
After the unwanted plating base film deposited on the resist pattern is released together with the resist pattern, the area of the feeding film 12 exposed from the plating wiring 17 at least is selectively removed by wet etching. - 特許庁
フッ酸と硝酸とを主成分とする液を用いたウエットエッチング法では、絶縁膜14とのエッチング選択比を充分にとることができ、コストアップとなる保護絶縁膜等を形成する必要はない。例文帳に追加
In the method for wet etching by using a liquid essentially comprising fluoric acid and nitric acid, a sufficient etching selection ratio to the insulating film 14 can be obtained so that formation of a protective insulating film or the like which increases the cost is not required. - 特許庁
ポリシリコンで構成されたパターン又はストレージ電極を効果的に保護することができるエッチング組成物を用いて、ウエットエッチング工程で酸化膜を選択的に除去するので、高いエッチング選択比で酸化膜を除去できるとともに、ポリシリコン膜の損傷を防止することができる。例文帳に追加
The method uses the etching composition which effectively protects a pattern or a storage electrode composed of polysilicon and selectively eliminates the oxidized film in a wet etching process, as a result the oxidized film is eliminated in a high etching ratio and impairment of polysilicon film is inhibited. - 特許庁
スタック型キャパシタを備えた半導体装置の製造方法であって、前記キャパシタ下部電極21aよりウエットエッチングにおける選択比が高い材料でコンタクト(蓄積ノードコンタクト)18を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。例文帳に追加
In a method for manufacturing a semiconductor device provided with a stacked type capacitor, a contact 18 (accumulated node contact) is formed by a material, having a selection ratio of wet etching which is higher than that of a capacitor lower electrode 21a. - 特許庁
第2の方法は、ベースとなるSi−Ge混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。例文帳に追加
In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening. - 特許庁
通常使用されている溶液ではタングステンのほうが4〜5倍速いエッチングレートを窒化チタンの選択比を高める方法としてウエットエッチングに用いる塩酸と過酸化水素の混合液においてH_2O_2/HClのモル比を1/100以下とし、且つ溶液温度を70℃以上とする。例文帳に追加
Although the etching rate of a tungsten is 4-5 times faster in a solution which is normally used, to raise the selective ratio of the titanium nitride, the mole ratio for H2O2/HCI is set at 1/100 or smaller with a solution temperature at 70°C or higher related to the mixed liquid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide used for wet-etching. - 特許庁
すなわち、HF水溶液に対してSiO_2は溶解するが、Si窒化物は耐性を有するので、SiO_2からなるマスク層は選択的にエッチングされるが、Si窒化物からなるバリア層12及びこれの直下のフィールド酸化膜2はウエットエッチングから保護されることとなる。例文帳に追加
Namely, SiO2 dissolves in HF aqueous solution, but since Si nitride has resistance to the solution, the mask layer formed of SiO2 is selectively etched, the barrier layer formed of Si nitride and the field oxide film 2 immediately below the barrier layer are protected from wet etching. - 特許庁
Ti等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same. - 特許庁
窒化物系化合物半導体層2にイオン注入を行って結晶性を悪化させることにより被エッチング領域4を形成する工程と、ウエットエッチングにより、結晶性を悪化させた被エッチング領域4を結晶性が悪化していない領域に対して選択的に除去する工程とを備えている。例文帳に追加
This etching method is provided with a process wherein ion implantation is performed to a nitride based compound semiconductor layer 2 to form a region 4 to be etched by deteriorating crystallinity, and a process wherein the region 4 where crystallinity is deteriorated is removed selectively with respect to a region where crystallinity is not deteriorated by wet etching. - 特許庁
例文 (19件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |