selective wet etchingとは 意味・読み方・使い方

After a silicon wafer is heat-treated in a wet oxygen atmosphere, the wafer surface is etched in a mixture acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid to remove defects precipitated by the heat treatment in the wet oxygen atmosphere, and subsequently, the wafer is subjected to selective etching to determine the OSF.例文帳に追加

シリコンウェーハをウェット酸素雰囲気下で熱処理した後、前記ウェーハ表面をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングを行って前記ウェット酸素雰囲気下での熱処理により析出する欠陥を除去し、続いて、選択エッチングを行い、ＯＳＦを判別する。 - 特許庁

For a wet etching liquid for selective etching of a semiconductor layer, containing Al in a multilayer film of AlGaInP-based compound semiconductor, a mixed solution composed of hydrochloric acid as the main component and a dicarboxylic acid or an optically-inactive oxycarboxylic acid is used.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体多層膜のうち、Ａｌを含む半導体層を選択エッチングする湿式エッチング液として、主成分が塩酸と、ジカルボン酸または光学不活性のオキシカルボン酸との混合溶液を用いる。 - 特許庁

Although the etching rate of a tungsten is 4-5 times faster in a solution which is normally used, to raise the selective ratio of the titanium nitride, the mole ratio for H2O2/HCI is set at 1/100 or smaller with a solution temperature at 70°C or higher related to the mixed liquid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide used for wet-etching.例文帳に追加

通常使用されている溶液ではタングステンのほうが４〜５倍速いエッチングレートを窒化チタンの選択比を高める方法としてウエットエッチングに用いる塩酸と過酸化水素の混合液においてＨ_２Ｏ_２／ＨＣｌのモル比を１／１００以下とし、且つ溶液温度を７０℃以上とする。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided which has the video signal line of the bottom gate type TFT meeting the respective required conditions of low resistance, dry etching resistance, selective wet etching of the gate insulating film, ≤2 laminated layers, and tapering of section.例文帳に追加

低抵抗，ドライエッチング耐性，ゲート絶縁膜との選択ウェットエッチング，積層数２層以下、断面のテーパ加工の各要件を満たすボトムゲート型ＴＦＴの映像信号線を有する液晶表示装置が提供される。 - 特許庁

A substrate is removed in a selective etching agent for a material of the substrate by wet chemical etching, and a first metal contact layer 7 is applied to the back side 6 of multi-layers 2, 3, 4, 5 facing the front side of the removed substrate, and a second metal contact layer 10 is applied to the front side 8 of a hetero-substrate 9.例文帳に追加

基板を湿式化学エッチングにより基板の材料用の選択エッチング剤中で除去し、除去された基板の表側に面する多重層２、３、４、５の裏側６上に第１の金属接触層７を、またヘテロ基板９の表側８上に第２の金属接触層１０を被着する。 - 特許庁

To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.例文帳に追加

Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a photosensitive resin pattern is formed on a copper seed film on an insulating substrate and a buried wiring pattern of copper is formed at an opening part thereof, a peak part and a side face part of the buried wiring pattern are exposed from the photosensitive resin film through selective etching by a wet blast method.例文帳に追加

絶縁基板上に銅シード膜上に感光樹脂パターンを形成し、その開口部へ銅の埋め込み配線パターンを形成した後、ウエットブラスト法での選択的エッチングで、埋め込み配線パターンの頂部及び側面部を感光性樹脂膜から露出させる。 - 特許庁

In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening.例文帳に追加

第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁