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重拡散濃度の英語
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英訳・英語 doubly diffuse density
「重拡散濃度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
低濃度のウェハと高濃度のフィルム状拡散ソースとを積み重ねて加熱し,フィルム状拡散ソースから不純物をウェハに拡散する。例文帳に追加
Impurities are diffused into wafers from a filmy diffusing source by piling and heating the low concentration wafers and the high concentration film-like source (step 1). - 特許庁
P型第2低濃度拡散領域9は、N型低濃度拡散領域11を形成するためのN型不純物イオンとP型低濃度拡散領域7を形成するためのP型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。例文帳に追加
The P-type second low-concentration diffusion region 9 is formed by implanting N-type impurity ions for forming the N-type low-concentration diffusion region 11 and P-type impurity ions for forming the P-type low-concentration diffusion region 7 repeatedly into a semiconductor substrate, and thermally diffusing them. - 特許庁
縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源51と、拡散源に外周部のみ接する支持基板52を重ね、拡散源に対向して配置したSi基板41へ高濃度のボロンを熱拡散させる。例文帳に追加
In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source. - 特許庁
これらの拡散層のうち、高濃度不純物拡散層8bのみが、平面視でゲート電極4と重なり合っている。例文帳に追加
Only the deeply doped impurity diffusion layer 8b of the diffusion layers overlaps with a gate electrode 4 when observing them in a plan view of them. - 特許庁
シリコン基板1の受光面全体にスピンコートによって、先に塗布した拡散剤よりもドーパント濃度の低い拡散剤を塗布して、低濃度膜4を高濃度膜3に重ねて形成する。例文帳に追加
A lightly-doped film 4 is formed on the heavily-doped film 3, by applying a dispersing agent with a dopant concentration which is lower than that of the earlier applied dispersant agent onto the entire light-receiving surface of the silicon substrate 1 by using a spin coating process. - 特許庁
p型半導体基板上7に形成された横型二重拡散MOSトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度n型拡散層9に接するように、低濃度p型ウエル層11の電極となる高濃度p型拡散層10を形成する。例文帳に追加
In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region. - 特許庁
p型半導体層3及び4からなるp型半導体領域は、第1の拡散深さ及び第1のピーク濃度を持つ第1のp型不純物濃度分布と第1の拡散深さよりも浅い第2の拡散深さ及び第1のピーク濃度よりも高い第2のピーク濃度を持つ第2のp型不純物濃度分布とを重ね合わせた不純物濃度分布を有する。例文帳に追加
A p-type semiconductor region composed of the p-type semiconductor layers 3 and 4 has an impurity concentration distribution that combines a primary p-type impurity concentration distribution having a primary diffusion depth and a primary peak concentration, and a secondary p-type impurity concentration distribution having a secondary diffusion depth shallower than the primary diffusion depth and a secondary peak concentration higher than the primary peak concentration. - 特許庁
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「重拡散濃度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
誤差拡散処理の前に、濃度分配処理部1は、1つのブロックの4つの画素の濃度を重み付けして4つの誤差拡散処理回路に分配する。例文帳に追加
A density distribution processing section 1 weights the densities of four pixels in one block and distributes the densities to the four error diffusion processing circuits prior to the error diffusion processing. - 特許庁
このとき、P型の拡散層31、32は二重拡散構造となり、ベース領域の表面及びその近傍領域の不純物濃度が高濃度となっている。例文帳に追加
At this time, the p-type diffusion layers 31, 32 are formed in double diffusion construction, and impurity concentrations of front surface of the base region and its neighboring region become high. - 特許庁
本発明の縦型MOS半導体装置1では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造5、6により形成する。例文帳に追加
In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations. - 特許庁
第1領域102aには拡散工程が重複して行われ、第2領域102bよりも不純物濃度が高くされる。例文帳に追加
The first region 102a is repeatedly subjected to oxidation to have higher impurity concentration than that of the second region 102b. - 特許庁
押込拡散領域440よりも低濃度のP型の第1ウェル領域300は、半導体層200に、平面視で一部が押込拡散領域440と重なるように設けられている。例文帳に追加
A P-type first well region 300 lower in concentration than the push-in diffusion region 440 is formed in the semiconductor layer 200 partly overlapping the push-in diffusion region 440 in a plan view. - 特許庁
本画像形成装置は、回転体の回転速度の回転むらに起因する濃度むらについて、濃度むらを軽減するように画像データを補正し、補正した画像データにおける画素のうち、濃度が出力濃度の上限を超える注目画素について、上限を超える濃度の超過分を、濃度の重心を維持しつつ、複数の周辺画素に拡散する。例文帳に追加
An image forming apparatus corrects image data so as to reduce density unevenness caused by unevenness of rotation speed of a rotating body, and diffuses the excess of density that surpasses the upper limit of output density to a plurality of peripheral pixels while maintaining the center of gravity of the density regarding a target pixel having density that exceeds the upper limit of output density among the pixels in the corrected image data. - 特許庁
希土類焼結磁石体を加熱することにより、重希土類元素RHの濃度が相対的に高いR−Fe−B系希土類焼結磁石体から重希土類元素RHの濃度が相対的に低いR−Fe−B系希土類焼結磁石体に重希土類元素RHを拡散させる。例文帳に追加
The rare earth elements magnet bodies are heated, thereby, the heavy rare earth elements RH is diffused from the R-Fe-B rare earth elements sintered magnet body, where the concentration of the heavy rare earth element is relatively higher, to the R-Fe-B rare earth element sintered magnet body, where the concentration is relatively lower. - 特許庁
面分析により、金属元素の拡散処理層内にて島状に分布する低金属元素濃度相が占める面積率の増加挙動を利用してこの金属元素拡散処理層内の金属元素含有率が3〜5重量%にまで低下する時期を予測する。例文帳に追加
The time to reduce the metallic element content within a metallic element diffusion treatment layer to 3-5 wt.% is predicted in a plane analysis by utilizing a behavior of an increase in the ratio of an area occupied by an island-shaped low metallic element concentration phase distributed within the metallic element diffusion treatment layer. - 特許庁
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