重水素で終端したの英語

電子放出部の表面が水素原子で終端されたダイヤモンドによって形成されており、当該水素原子のうち０．０２％以上が重水素原子および＼または三重水素原子であるダイヤモンド電子源素子である。例文帳に追加

In this diamond electron source element, a surface of an electron emission part is formed with a diamond terminated by hydrogen atoms, and not less than 0.02% within the hydrogen atoms are deuterium atoms and/or tritium atoms. - 特許庁

このシリコン膜はＣＶＤ法による堆積よりも高濃度に重水素ドープされ、ダングリングボンドなどの欠陥が重水素で終端されている。例文帳に追加

The silicon film is doped with heavy hydrogen to higher concentration than when deposited by a CVD method, and a defect such as a dangling bond is terminated with the heavy hydrogen. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタあるいはＭＩＭキャパシタにおいて、導体膜からなる電極に、多量の重水素をドープすることにより、絶縁膜との界面の欠陥を終端し特性劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress the deterioration in characteristic of a MOS transistor or MIM capacitor by terminating a defect on an interface with an insulating film by doping an electrode formed of a conductor film with a large amount of heavy hydrogen. - 特許庁

水素又は重水素を添加されたＨ２Ｏを用意し、当該Ｈ２Ｏに５００ｋＨｚ以上の高周波の振動を与えた溶液を用いてシリコン基板表面を洗浄することにより、シリコン表面を確実に水素終端することができた。例文帳に追加

Cleaning the surface of a silicon substrate with the use of the solution with H2O added by hydrogen or deuterium and vibrated by a high frquency of not less than 500 kHz can completely hydrogen terminate the silicon surface without fail. - 特許庁

半導体基板の結晶界面のダングリングボンドを重水素で効率よく終端することによって、半導体基板の界面準位密度とそれに起因する諸特性の初期値ならびに経時安定性の両方が改善する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To improve both interface level density of a semiconductor board and an initial value of various characteristics caused thereby, and stability with time, by terminating dangling bond of a crystal interface of semiconductor board effectively by deuterium. - 特許庁