限界膜の英語

金属膜パターンの幅を、露光装置の限界を越えた高精度の微小値に設定する。例文帳に追加

To set the width of metallic film patterns at a very small value of high accuracy which exceeds the threshold of an exposure device. - 特許庁

限界電流式酸素センサ用ヒータの成膜方法及びスパッタ用マスク例文帳に追加

FILM FORMING METHOD OF HEATER FOR LIMITING CURRENT TYPE OXYGEN SENSOR, AND MASK FOR SPUTTERING - 特許庁

混合物をまず最初に膜を用いて、ＴＢＡ／水とＳＢＡ／水との２つの共沸物を結ぶ蒸留限界線の限界濃度よりも低い水濃度にし、引き続き蒸留により後処理する。例文帳に追加

First, the water concentration of the mixture is rendered lower than the limiting concentration of the distillation boundary line connecting two azeotropes of TBA/water and SBA(sec-butanol)/water with the use of a membrane, and successively the resulting mixture is post-treated by distillation. - 特許庁

Niの膜応力を膜厚によらず５００ＭＰａとし、自立薄膜の破損限界を全応力１Ｎ／ｍと仮定すると、膜厚が２ｎｍとなったときに破損限界に達するので、片面コートを膜厚２ｎｍ以下でやめるようにする。例文帳に追加

Assuming that film stress of Ni is 500 MPa, irrespective of the film thickness, and that the breakage limit of an independent thin film is 1 N/m in total stress, since the thin film reaches the breakage limit when its thickness becomes 2 nm, coating on one side is stopped at thickness of 2 nm or smaller. - 特許庁

耐久性に優れ、限界電流密度が高く、かつ直流膜抵抗の低い一価選択性に優れた陽イオン交換膜の提供。例文帳に追加

To provide a cation-exchange membrane excellent in durability, having a high limiting current density, and low direct-current membrane resistance, and excellent in monovalent selectivity. - 特許庁

印刷転写胴洗浄指示装置は、インキ皮膜濃度の限界値の入力を受け付けて、インキ皮膜を測定して、限界値とインキ皮膜濃度データから洗浄開始時刻を算出して、現在時刻が洗浄開始時刻と一致したら、洗浄開始指示を発行する。例文帳に追加

Receiving an input of a critical value of an ink film density, printing transfer cylinder cleaning instruction equipment measures the ink film and calculates a cleaning start time from the critical value and the data on the ink film density, and when the present time coincides with the cleaning start time, the equipment issues a cleaning start instruction. - 特許庁

チャンネルボックス内面の濡れ性を均一にし、液膜を均一にすることにより限界出力を向上させる。例文帳に追加

To enhance a critical power by uniformizing the wettability of a channel box inner face to uniformize a liquid film. - 特許庁

この可溶化層と有機膜とを剥離液で除去するこにより、露光波長限界を超えた、微細なレジストパタ−ンを形成する。例文帳に追加

This solubilized layer and the organic film are removed with a removing solution to form a resist pattern which is finer than the limit determined by the wavelength of light for exposure. - 特許庁