電荷貯蔵の英語

ジシアノアントラキノンジイミンポリマー、電荷貯蔵材料、電極活物質、電極及び電池例文帳に追加

DICYANO ANTHRAQUINONE DIIMINE POLYMER, ELECTRIC CHARGE STORAGE MATERIAL, ELECTRODE ACTIVE MATERIAL, ELECTRODE, AND BATTERY - 特許庁

上記表示素子は、複数のピクセルE11〜E44、電荷貯蔵部320及び放電部308を含む。例文帳に追加

The display device includes a plurality of pixels E11 to E44, a charge storing circuit 320 and a discharging circuit 308. - 特許庁

半導体装置の選択的半球形シリコングレ—ン電荷貯蔵電極形成方法例文帳に追加

SELECTIVE SEMISPHERICAL SILICON GRAIN CHARGE STORING ELECTRODE FORMATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory element having a charge storing insulation film and its manufacturing method. - 特許庁

キャパシタの電荷貯蔵容量を増加させることができる半導体メモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory element which increases the charge storage capacity of a capacitor. - 特許庁

隣り合う電荷貯蔵のパターンの間の電気的なカップリングの距離Ｌｃは隣り合う電荷貯蔵のパターンの間の直線的幾何距離Ｌｓより大きく形成される。例文帳に追加

An electric coupling distance Lc between adjacent charge storage patterns is formed larger than a linear geometry distance Ls between the adjacent charge storage patterns. - 特許庁

半導体基板１００上に複数個の第１ゲート１２０を形成した後に、第１ゲート１２０の側壁に電荷貯蔵スペーサ１４０及び電荷貯蔵スペーサ１４０を覆う第２ゲート１８５を順次に形成する。例文帳に追加

After a plurality of first gates 120 are formed on a semiconductor substrate 100, a charge storage spacer 140 and a second gate 185 that covers the charge storage spacer 140 are formed sequentially at the sidewall of the first gate 120. - 特許庁

電荷貯蔵絶縁層の間のチャンネル領域上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜及び電荷貯蔵絶縁層上にゲート電極が形成される。例文帳に追加

A gate insulating film is formed on the channel region between the electric charge insulating layers, and a gate electrode is formed on the gate insulating film and the insulating layer for storing the charges. - 特許庁