「電荷貯蔵」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING CHARGE STORING INSULATION FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

電荷貯蔵スペーサ１４０は第１ゲート１２０を含む半導体基板１００上に電荷貯蔵膜を形成した後に、第１ゲート１２０の上部面より低くなるまで電荷貯蔵膜を異方性エッチングして形成することができる。例文帳に追加

The charge storage spacer 140 can be formed by anisotropically etching a charge storage film until the film becomes below the upper surface of the first gate 120 after forming the charge storage film on the semiconductor substrate 100 including the first gate 120. - 特許庁

ジシアノアントラキノンジイミンポリマー、電荷貯蔵材料、電極活物質、電極及び電池例文帳に追加

DICYANO ANTHRAQUINONE DIIMINE POLYMER, ELECTRIC CHARGE STORAGE MATERIAL, ELECTRODE ACTIVE MATERIAL, ELECTRODE, AND BATTERY - 特許庁

上記表示素子は、複数のピクセルE11〜E44、電荷貯蔵部320及び放電部308を含む。例文帳に追加

The display device includes a plurality of pixels E11 to E44, a charge storing circuit 320 and a discharging circuit 308. - 特許庁

半導体装置の選択的半球形シリコングレ—ン電荷貯蔵電極形成方法例文帳に追加

SELECTIVE SEMISPHERICAL SILICON GRAIN CHARGE STORING ELECTRODE FORMATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory element having a charge storing insulation film and its manufacturing method. - 特許庁

キャパシタの電荷貯蔵容量を増加させることができる半導体メモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory element which increases the charge storage capacity of a capacitor. - 特許庁

隣り合う電荷貯蔵のパターンの間の電気的なカップリングの距離Ｌｃは隣り合う電荷貯蔵のパターンの間の直線的幾何距離Ｌｓより大きく形成される。例文帳に追加

An electric coupling distance Lc between adjacent charge storage patterns is formed larger than a linear geometry distance Ls between the adjacent charge storage patterns. - 特許庁

半導体基板１００上に複数個の第１ゲート１２０を形成した後に、第１ゲート１２０の側壁に電荷貯蔵スペーサ１４０及び電荷貯蔵スペーサ１４０を覆う第２ゲート１８５を順次に形成する。例文帳に追加

After a plurality of first gates 120 are formed on a semiconductor substrate 100, a charge storage spacer 140 and a second gate 185 that covers the charge storage spacer 140 are formed sequentially at the sidewall of the first gate 120. - 特許庁

電荷貯蔵絶縁層の間のチャンネル領域上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜及び電荷貯蔵絶縁層上にゲート電極が形成される。例文帳に追加

A gate insulating film is formed on the channel region between the electric charge insulating layers, and a gate electrode is formed on the gate insulating film and the insulating layer for storing the charges. - 特許庁

電荷貯蔵部320は、放電時間中の第１サブ放電時間の間、少なくとも一つのデータラインに連結され、第１サブ放電時間の間、上記データラインから放電された電荷を貯蔵する。例文帳に追加

The charge storing circuit 320 is coupled to at least one data line, during a first sub-discharge time of a discharge time and stores electric charges discharged from the data line, during the first sub-discharge time. - 特許庁

個々のエネルギー貯蔵装置がそれぞれ監視されかつ各装置におけるチャージ（電荷）が充電及び/又は放電中に等化される複数のエネルギー貯蔵装置におけるエネルギーを管理する方法及びシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a method and a system for managing energy in a plurality of energy storage units wherein each of the energy storage units is monitored respectively and charge in each unit is equalized during being charged and/or during being discharged. - 特許庁

第１領域の基板上に第１ゲート電極が配置され、第１ゲート電極と基板との間に多層電荷貯蔵層が介在される。例文帳に追加

A first gate electrode is disposed on the first region of the substrate, and a multilayer charge storing layer is provided between a first gate electrode and the substrate. - 特許庁

非常に良好なブロッキング防止／貯蔵特性を示し、寿命まで電荷を維持するように改善されたトナーを提供する。例文帳に追加

To provide a toner which exhibits very satisfactory blocking prevention/storage characteristics and is improved so as to maintain charges until the lifetime. - 特許庁

多層電荷貯蔵層は順次に積層されたトンネル絶縁膜、トラップ絶縁膜およびブロッキング絶縁膜で構成される。例文帳に追加

The multilayer charge storing layer consists of a tunnel insulating film, a trap insulating film and a blocking insulating film which are successively laminated. - 特許庁

本発明は、電荷貯蔵容量を増大させながらも漏洩電流を防止することができる半導体メモリ素子のキャパシタ製造方法を開示する。例文帳に追加

To disclose a method for manufacturing a capacitor of semiconductor element, capable of preventing leakage current while increasing the charge storage capacity. - 特許庁

活性領域及び素子分離膜を含むセル領域の全面は電荷貯蔵絶縁膜74Cで覆われる。例文帳に追加

Whole surface of the cell region comprising the active region and the element isolation film is enveloped by the charge storing insulation film 74C. - 特許庁

これによって、電荷貯蔵スペーサ１４０及び第２ゲート１８５は第１ゲート１２０の側面に自己整列される。例文帳に追加

Due to this, the charge storage spacer 140 and the second gate 185 are self-aligned at the side of the first gate 120. - 特許庁

電気自動車等の用途に好適で、静電容量が大きく貯蔵電荷密度の高いキャパシタを提供する。例文帳に追加

To provide a capacitor being proper to the application of an electric automobile or the like and having a large electrostatic capacity and a high stored-charge density. - 特許庁

本発明は、不揮発性メモリ・セルにおける電荷貯蔵層を論理工程において形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a charge storage layer in a semiconductor nonvolatile memory in a logic process. - 特許庁

ソース領域及びドレイン領域に隣接したチャンネル領域のエッジ上に電荷貯蔵絶縁層が形成される。例文帳に追加

An insulating layers for storing electric charges are formed on edges of a channel region adjacent to the source region and the drain region. - 特許庁

新規な電荷貯蔵フィルム（又は層）のアーキテクチャ、及び先行技術の欠点を克服できるこのアーキテクチャの製造プロセスを提供する。例文帳に追加

To provide a process for manufacturing an architecture of a novel charge storage film (or layer) and an architecture for overcoming the drawings of the prior art. - 特許庁

第１及び第２ＭＴＧのそれぞれはトンネル絶縁膜パターン、トンネル絶縁膜パターン上の電荷貯蔵膜パターン、電荷貯蔵膜パターン上のブロッキング絶縁膜パターン及びブロッキング絶縁膜パターン上の制御ゲートを含むことができる。例文帳に追加

Each of the first/the second MTGs can include a tunnel insulating film pattern, a potential storage film pattern on the tunnel insulating film pattern, a blocking insulating film pattern on the potential storage film pattern, and a control gate on the blocking insulating film pattern. - 特許庁

ピクセルは、シリコンバルクからフォトダイオードと隣接したシリコン表面に位置した分離された電荷貯蔵構造まで光−発生電荷を転換するように標準フォトサイト下に特殊電位バリアを含む。例文帳に追加

A pixel includes a special potential barrier below a standard photo-site so that light-generated charge can be transferred from a silicon bulk to a separated charge storing structure positioned on a silicon surface adjacent to a photodiode. - 特許庁

樹脂および離型剤を含み、トナーの周波数６．２８Ｒａｄ動的粘弾測定における１００℃の貯蔵弾性率をＧ’（１００）、２００℃の貯蔵弾性率をＧ’（２００）としたとき、Ｇ’（１００）／Ｇ’（２００）が１以上５以下の範囲である静電荷像現像用トナーである。例文帳に追加

The toner for electrostatic charge image development contains a resin and a release agent, wherein when the storage modulus of the toner by dynamic viscoelastic measurement at a frequency of 6.28 Rad is denoted by G'(100) and G'(200) at 100°C and 200°C, respectively, G'(100)/G'(200) ranges from 1 to 5. - 特許庁

論理工程において不揮発性メモリ・セルにおける電荷貯蔵層を形成する方法は、基板のアクティブ領域の上にセレクト・ゲートを形成するステップ、その基板のアクティブ領域に部分的に重なる長いポリシリコン・ゲートを形成するステップ、及びその長いポリシリコン・ゲートの間に電荷貯蔵層を充填するステップを含む。例文帳に追加

The method for forming the charge storage layer in the semiconductor nonvolatile memory in the logic process, comprises a step for forming a select gate on an active region on a substrate; a step for forming long polysilicon gates partly overlapping on the active region on the substrate; and a step for filling the charge storage layer between the long polysilicon gates. - 特許庁

セルゲート１３０は、半導体基板１００上に順次に積層された電荷貯蔵絶縁膜１３２、ゲート電極１３４、及び導電膜１３６を含む。例文帳に追加

The cell gate 130 includes a charge storage insulating layer 132 on the semiconductor substrate 100, a gate electrode 134 on the charge storage insulating layer 132, and a conductive layer 136 on the gate electrode 134. - 特許庁

この装置は、半導体基板１００の上部に順次に積層されたトンネル絶縁膜パターン１１６、電荷貯蔵膜、上部絶縁膜及び制御ゲート電極１７５を含む。例文帳に追加

The nonvolatile memory comprises a tunnel insulation film pattern 116, a charge storage film, an upper insulation film and a control gate electrode 175 formed sequentially on a semiconductor substrate 100. - 特許庁

トンネル絶縁膜パターン１１６の側面の半導体基板上には、電荷貯蔵膜により覆われ、トンネル絶縁膜パターン１１６よりも厚い下部絶縁膜パターン１１２が配置される。例文帳に追加

A lower insulation film pattern 112 thicker than the tunnel insulation film pattern 116 is arranged on the semiconductor substrate on the side face of the tunnel insulation film pattern 116 while being covered with the charge storage film. - 特許庁

また、第２ゲート１８５も電荷貯蔵スペーサ１４０を含む半導体基板１００上に形成された第２ゲート導電膜を異方性エッチングして形成する。例文帳に追加

Moreover, the second gate 185 is also formed by anisotropically etching a second gate conductive film formed on the semiconductor substrate 100 including the charge storage spacer 140. - 特許庁

選択的ＨＳＧ形成時に所望のグレーンサイズを得ることにより、キャパシタ有効表面積を充分確保することができる半導体装置の選択的半球形シリコングレーン電荷貯蔵電極形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a selective semispherical silicon grain(HSG) charge storing electrode formation of semiconductor device, capable of satisfactorily securing capacitor effective surface area by attaining a specific grain size when forming a selective HSG. - 特許庁

電荷貯蔵絶縁膜上に素子分離膜の上部を横切る複数個の平行なゲートラインが形成され、所定のゲートラインの間に導電性パターンが配置される。例文帳に追加

Plurality of parallel gate lines traversing in upper part of the element isolation film on the charge storing insulation film are formed, and a conductive pattern is arranged between considered gate lines. - 特許庁

本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor element that prevents a tunnel insulating film formed on a lower part thereof from being damaged when patterning a charge storage film. - 特許庁

高い伝導度と高い熱放出度を有するＣＮＴと、電荷貯蔵能力に優れたメモリセルとを備え、誤動作のない高速、高集積のメモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high speed, high integration memory element comprising a CNT having high conductivity and a high heat dissipation rate, and a memory cell having an excellent charge storage capacity and free from erroneous operation, and its fabricating method. - 特許庁

これにより、従来のポリフェニルキノキサリン（PPQ）と比べて、単位質量当たりの電荷貯蔵容量を顕著に高めることができ、更に化学的安定性をも高めることができる。例文帳に追加

By this means, compared with a conventional polyphenyl quinoxaline (PPQ), the charge storage capacity per unit mass can be increased remarkably, and furthermore, chemical stability can be also enhanced. - 特許庁

従来のプロトンポリマー電池の負極やキャパシタ電極よりも単位質量当たりの電荷貯蔵容量が高く、かつ、化学安定性の高い電極材料を得ること。例文帳に追加

To obtain an electrode material which has a higher charge storage capacity per unit mass than those of a conventional negative electrode of a proton polymer battery and a conventional capacitor electrode and has a high chemical stability. - 特許庁

このインターポーザ１１は、セラミックなどの高誘電材料であるという特徴を生かすことで、高容量による電荷貯蔵機能と小サイズのフィルタ機能を併せ持つ。例文帳に追加

The interposer 11 has a feature of its being a high dielectric material such as ceramic whereby the intereposer enjoys both of an electric charge storage function by high capacitance, and of small size filter function. - 特許庁

この素子の製造方法によると、セル領域が定義された半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜を形成し、素子分離膜が形成された半導体基板の全面に電荷貯蔵絶縁膜を形成する。例文帳に追加

According to a manufacturing method of the element, the element isolation film which defines the active region on the semiconductor substrate defined the sell region is formed, the charge storing insulation film is formed on the whole surface of the semiconductor substrate in which the element isolation film is formed. - 特許庁

セル領域に電荷貯蔵層が備えられたセルゲートパターンが配置され、周辺領域に高電圧型ゲートパターン、低電圧型ゲートパターン及び抵抗パターンが配置される。例文帳に追加

A cell gate pattern in which a charge storing layer is installed is arranged in the cell region, and a high voltage type gate pattern a low voltage type gate pattern and a resistance pattern are arranged in the peripheral region. - 特許庁

第１導電膜が形成された基板の全面にトンネリング絶縁層、電荷貯蔵層及びブロッキング絶縁層で構成された三重層と第２導電膜層を順次に形成する。例文帳に追加

A triple layer constituted of a tunneling insulating layer, the charge storing layer and a blocking insulating layer, and a second conducting layer are formed in order on the whole surface of the substrate on which the first conducting film is formed. - 特許庁

本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a semiconductor device in which a tunnel insulating layer formed below a charge storage layer is not damaged when the charge storage layer is patterned. - 特許庁

また、結着樹脂と着色剤を含む静電荷像現像用トナーにおいて、トナーの融点（Ｔｍ）＋３０℃における貯蔵弾性率をＧ'（Ｔｍ＋３０）、トナーの融点＋６０℃における貯蔵弾性率をＧ'（Ｔｍ＋６０）とした場合、下記式（１）,（２）の条件を満たし、 １０Ｐａ≦Ｇ'（Ｔｍ＋３０）≦１００００Ｐａ…（１） １Ｐａ≦Ｇ'（Ｔｍ＋６０）≦５０００Ｐａ…（２）トナーの体積平均粒径（Ｄｖ）と個数平均粒径（Ｄｎ）の比（Ｄｖ／Ｄｎ）が１．２以下であることを特徴とする静電荷像現像用トナーを用いて解決する。例文帳に追加

The electrostatic charge image developing toner has a narrow particle size distribution, is suitable for high-resolution molding property and can provide a high quality image with low energy. - 特許庁

カソード還元法により良好な電流応答が得られるとともに、安価なステンレス板を使用することができる、電荷貯蔵材料、触媒、吸着材、イオン交換体として有用な高い結晶性を有する層状マンガン酸化物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing layered manganese oxide with high crystallinity useful as a charge storage material, a catalyst, an adsorbent and an ion exchanger, wherein good current response is obtained by a cathode reduction method and an inexpensive stainless plate can be used. - 特許庁

また、主に活物質の酸化状態が変化し、電荷が電極界面を通して活物質に移動するファラデー的な反応で、反応速度が遅いものと速いものの少なくとも２種の反応機構により電気エネルギーを貯蔵、放出することを特徴とするエネルギーデバイス。例文帳に追加

The energy device is characterized by storing and releasing electric energy by at least two kinds of reaction mechanisms comprising one having a small reaction rate and the other having a large reaction rate in the faradic reaction wherein an oxidation state of an active material mainly changes and charge moves to the active material through an electrode interface. - 特許庁

半導体基板、半導体基板内に形成されたソース／ドレーン、ソース／ドレーンの間に形成されたステップリセスチャネル、ステップリセスチャネル領域上の多数の電荷貯蔵ナノクリスタルを含むトラップ構造物及びトラップ構造物上のゲートを含む。例文帳に追加

The nonvolatile memory integrated circuit device includes a semiconductor substrate, a source and a drain formed in the semiconductor substrate, a stepped recess channel formed between the source and the drain, a trap structure including a multitude of nano-crystals for storing electric charge laid out on a region of the stepped recess channel, and a gate on the trap structure. - 特許庁