1 Esd.とは 意味・読み方・使い方

The first ESD layer 110 is n-GaN, where the Si concentration is 1×10^16 to 5×10^17/cm^3, the thickness is 200-1,000 nm, and the pit density is ≤1×10^8/cm^2.例文帳に追加

第１ＥＳＤ層１１０は、Ｓｉ濃度１×１０^16〜５×１０^17／ｃｍ^3 、厚さ２００〜１０００ｎｍピット密度１×１０^8 ／ｃｍ^2 以下のｎ−ＧａＮである。 - 特許庁

The power supply switch transistor 1 uses an unused transistor which is arranged as an ESD protection element in an I/O area 2.例文帳に追加

電源スイッチトランジスタ１は、従来ＥＳＤ保護素子として利用するためにＩ／Ｏ領域２に配置されている空きトランジスタを使用する。 - 特許庁

The diodes ESD 1 and ESD 2 discharge static electricity generated in the current supply line and the data line to the logic power supply wiring to reduce the electrostatic breakdown of a driving TFT 23 and switching TFT 22 included in the unit circuit 20.例文帳に追加

ダイオードＥＳＤ１及びＥＳＤ２は、電流供給線及びデータ線で発生した静電気をロジック電源配線に放出し、単位回路２０に含まれる駆動ＴＦＴ２３及びスイッチング用ＴＦＴ２２が静電破壊されることを低減する。 - 特許庁

Before a chip incorporated with the ESD protection circuit is mounted, both the electrical source line 1 (L1) and that 2 (L3) get switched off.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路が組み込まれたチップがマウントされる前には、電源ライン１（Ｌ１）および電源ライン２（Ｌ３）とも電圧が投入されていない状態になる。 - 特許庁

A VCSEL 10 includes a structure 30 for emitting laser light and structures 40-1 through 40-8 for countermeasure against ESD on a substrate 12.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０は、基板１２上にレーザ光を出射する構造体３０と、ＥＳＤ対策用の構造体４０−１〜４０−８を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a MOSFET type ESD protective element provided with a drain region 4, a source region 6, and a gate electrode 7; and a heat diffuser.例文帳に追加

半導体装置１は、ドレイン領域４、ソース領域６及びゲート電極７を備えるＭＯＳＦＥＴ型のＥＳＤ保護素子と、熱拡散部とを有する。 - 特許庁

An ESD testing apparatus 1 includes an ESD generator 11 for generating electrostatic discharge for a resistance test, ESD waveform measuring device 21, 22 for measuring waveform characteristics of the electrostatic discharge, a counter 23 for counting generation frequency of the electrostatic discharge, and a controller 16 for measuring the waveform characteristics of the electrostatic discharge when the generation frequency reaches a threshold.例文帳に追加

本発明に係るＥＳＤ試験装置１は、耐性試験用の静電気放電を発生させるＥＳＤ発生手段１１と、静電気放電の波形特性を測定するＥＳＤ波形測定手段２１，２２と、静電気放電の発生回数をカウントするカウンタ２３と、該発生回数が閾値に達した場合に静電気放電の波形特性の測定を行う制御手段１６とを備える。 - 特許庁

An X side protective circuit 11a is equipped with a diode ESD 1 electrically connected to logic power supply wiring 16 and 17 formed in the middle of an electric current supply line 25, and a diode ESD 2 electrically connected to logic power supply wiring 16 and 17 formed in the middle of a data line 26.例文帳に追加

Ｘ側保護回路１１ａは、電流供給線２５の途中に設けられロジック電源配線１６及び１７に電気的に接続されたダイオードＥＳＤ１、データ線２６の途中に設けられロジック電源配線１６及び１７に電気的に接続されたダイオードＥＳＤ２を備える。 - 特許庁