3'-CMPとは 意味・読み方・使い方

Thereby, since CMP processing can be executed while viewing the substrate defect 3 in executing the CMP processing, it can be avoided that the board defect can not be removed even if the CMP processing is executed because the board defect is located at a deep position, and the CMP processing is executed up to a part without needing to be removed by taking a lot of time.例文帳に追加

これにより、ＣＭＰ加工の際に、基板欠陥３を目視しながら行えるため、基板欠陥が深い位置にあるためにＣＭＰ加工してもそれが取り除けていなかったり、除去する必要がない部分まで時間をかけてＣＭＰ加工を行ったりすることを防止できる。 - 特許庁

The conductive film 5 and the barrier film 4 as portions projected from the wiring groove 3 are removed by a CMP process.例文帳に追加

配線溝３からはみ出した部分の導電膜５、バリア膜４をＣＭＰ工程により除去する。 - 特許庁

Furthermore, as shown in diagram (h), when a barrier metal film 4 outside the recessed part 3 is exposed, the CMP treatment is ended.例文帳に追加

そして、図１(h) に示すように、凹部３外のバリアメタル膜４が露出すると、ＣＭＰ処理を終了する。 - 特許庁

A Cu film 3 is flattened by CMP and when the surface of the A1 pattern 2 appears, it is finished.例文帳に追加

ＣＭＰによりＣｕ膜３を平坦化していき、Ａｌパターン２の表面が現れた時点で終了する。 - 特許庁

Then, a smoothing process of smoothing the surface of the wafer W by polishing it into a mirror face by a CMP(chemical mechanical polishing) device 3 is carried out.例文帳に追加

そして、ウエハＷ表面をＣＭＰ装置３で鏡面研磨して平滑化する平滑化工程を実行する。 - 特許庁

The silicon nitride film 4 is removed, and then the silicon oxide film 7 is removed by CMP with the polysilicon film 3 acting as the stop film.例文帳に追加

シリコン窒化膜４を除去した後、ポリシリコン膜３をストップ膜としてＣＭＰによりシリコン酸化膜７を除去する。 - 特許庁

Next, the conductive film 5 is polished by a CMP method, until the surface of the interlayer insulation film 3 is exposed (Fig. 2 (c)).例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて、層間絶縁膜３の表面が露出するまで導電膜５を研磨する（図２（ｃ））。 - 特許庁

A spin-on low-k CMP protective layer 5 prevents a damage which may occur on the low-k dielectric 3 due to an uneven CMP process from the center to an edge or in an area varied in metal density.例文帳に追加

スピンオン低ｋＣＭＰ保護層５は、中央部からエッジへのまたは金属密度が変化する領域におけるＣＭＰプロセスの非均一性のために生じ得る低ｋ誘電体３へのダメージを阻止する。 - 特許庁