ALAS-Nとは 意味・読み方・使い方

The low refractive index layer 1121 is made of n-AlAs, and the high refractive index layer 1122 is made of n-Ga_0.5In_0.5P.例文帳に追加

低屈折率層１１２１は、ｎ−ＡｌＡｓからなり、高屈折率層１１２２は、ｎ−Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 - 特許庁

An undope AlAs layer 4 as a tunnel layer and a metal thin film NiA 5 lattice- matched with the AlAs layer 4 are continuously epitaxially grown on the n+- GaAs layer 3.例文帳に追加

ｎ^+-ＧaＡs層３上に、トンネル層としてのノンドープＡlＡs層４とこのＡlＡs層４に格子整合した金属薄膜ＮiＡ５とを連続的にエピタキシャル成長する。 - 特許庁

In the laser element 1, a reflection layer 102 is constituted of [n-AlAs/n-Al_0.3Ga_0.7As] of 40.5 periods, and the respective resonator spacer layers 103, 105 are constituted of (Al_0.7Ga_0.3)_0.5In_0.5P.例文帳に追加

面発光レーザ素子１において、反射層１０２は、４０．５周期の［ｎ−ＡｌＡｓ／ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ］からなり、共振器スペーサー層１０３，１０５の各々は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 - 特許庁

A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁

A method for manufacturing the polygonal semiconductor ring laser comprises steps of growing an n-type AlGaAs clad layer 11, an active layer region 12, an AlAs-current constriction layer 13, and a p-type AlGaAs clad layer 14 on an n-type GaAs substrate in Fig. (a); and patterning a first resist 1 thereon, in a shape of an optical waveguide.例文帳に追加

（ａ）において、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、活性層領域１２、ＡｌＡｓ電流狭窄層１３と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を成長させ、その上に第一のレジスト１を光導波路の形状にパターニングする。 - 特許庁

Further, the laser device is provided with SCH-MQW 24, p-AlGaAs clad layer 26 and p-GaAs contact layer 28 of width for 2 μm provided along with the bottom surface (100) of the recessed part on the clad layer 26 along with the AlAs(N) layer and the AlN(As) layer.例文帳に追加

レーザ素子は、ＡｌＡｓ（Ｎ）層及びＡｌＮ（Ａｓ）層に沿って、更に、ＳＣＨ−ＭＱＷ２４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２６、及びクラッド層２６の凹部の底面（１００）面に沿って設けられた幅２μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層２８を備える。 - 特許庁