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Al atomとは 意味・読み方・使い方
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「Al atom」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 68件
The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%.例文帳に追加
スパッタリングターゲットは、Alを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。 - 特許庁
The sputtering target is composed of a Ti-Al alloy containing Al in the range of 5-50 atom%.例文帳に追加
スパッタリングターゲットはAlを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。 - 特許庁
The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%.例文帳に追加
スパッタリングターゲットはAlを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。 - 特許庁
The hot dip Mg-Al-based alloy plated steel member has a plating layer composed of, by atom, 5 to 80% Mg and 20 to <95% Al, and the balance inevitable impurities.例文帳に追加
Mgを5原子%以上、80原子%以下、Alが、20原子%以上、95原子%未満で残部が不可避不純物から構成されるめっき層を有する溶融Mg-Al系合金めっき鋼材である。 - 特許庁
At least aluminum (Al) is included as a constitution atom of the barrier layer.例文帳に追加
障壁層の構成原子として少なくともアルミニウム(Al)が含まれる。 - 特許庁
The Al alloy film for the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加
添加元素としてGeを0.2〜1.5原子%、さらにNiを0.2〜2.5原子%含み、添加元素の総和が3.0原子%以下、残部実質的にAlからなる配線膜用Al合金膜である。 - 特許庁
SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加
SiC結晶中に不純物としてAlとTiを含み、原子比でTi濃度≦Al濃度であるp型SiC半導体。 - 特許庁
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「Al atom」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 68件
The copper alloy for electronic devices contains 1.3 atom% or more but less than 2.6 atom% of Mg and 6.7 atom% or more but 20 atom% or less of Al and the balance substantially made of Cu and unavoidable impurities.例文帳に追加
Mgを1.3原子%以上2.6原子%未満の範囲で含み、かつ、Alを6.7原子%以上20原子%以下の範囲で含み、残部が実質的にCu及び不可避不純物とされていることを特徴とする。 - 特許庁
The window pane outer coating film contains an aluminum compound in a hydrolyzed condensate of a titanium alkoxide forming the photocatalyst layer 4, and is formed to make the Al atom in the aluminum compound and the Ti atom in the hydrolyzed condensate of the titanium alkoxide satisfy a relation : 15≤{the Al atom in the aluminum compound/[(the Al atom in the aluminum compound)+(the Ti atom in the hydrolyzed condensate of the titanium alkoxide)]}×100≤35.例文帳に追加
また、光触媒層4を形成するチタンアルコキシドの加水分解縮合物中にアルミニウム化合物を含み、アルミニウム化合物中のAl原子と、チタンアルコキシドの加水分解縮合物中のTi原子とが、 15≦{アルミニウム化合物中のAl原子/[アルミニウム化合物中のAl原子+チタンアルコキシドの加水分解縮合物中のTi原子]}×100≦35の関係を満たすように形成されている。 - 特許庁
The Ti-Al alloy target material for forming the film on the cutting tools substantially consists of Al and Ti, includes 0.2-0.6 mass% oxygen, and has a ratio of Al to Ti, Al/Ti, in an amount of 0.4-1.9 by atom.%.例文帳に追加
実質的にAlとTiとからなり、酸素を0.2〜0.6質量%含み、原子%でAlとTiの組成比率がAl/Ti:0.4〜1.9である切削工具の皮膜形成用Ti−Al合金系ターゲット材。 - 特許庁
The wire for a bead has a composition comprising, by atom, 5 to 35% Mn and 5 to 20% Al, and the balance Fe with inevitable impurities, and has a steel structure composed of an austenite single phase structure.例文帳に追加
Mn:5〜35at%およびAl:5〜20at%を含有し、残部はFeおよび不可避的不純物の組成にすると共に、鋼組織をオーステナイト単相組織とする。 - 特許庁
The catalyst is manufactured from an alloy fine particle obtained by pulverizing an Al alloy containing a quasi-crystal composed of Al, copper and a metal atom of at least one kind selected from Fe, Ru and Os and etching.例文帳に追加
アルミニウムと、銅および、Fe、Ru、Osから選ばれた少なくとも一種の金属原子からなる準結晶を含むAl合金を粉砕し、エッチングすることにより得られた合金微粒子から触媒を製造する。 - 特許庁
The reflecting electrode 2 formed on a substrate 1 has a first Al-(Ni/Co)-X alloy layer 2a containing X of Ni and/or Co of 0.1-2 atom% and La or the like of 0.1-2 atom% and a second Al oxide layer 2b containing Al and O (oxygen).例文帳に追加
基板1上に形成される反射電極2は0.1〜2原子%のNi及び/又はCo、並びに0.1〜2原子%のLaなどのXを含有する第1のAl−(Ni/Co)−X合金層2aと、AlとO(酸素)を含有する第2のAl酸化物層2bとを有している。 - 特許庁
Furthermore, M is an atom of W or Mo which is a part of skeleton component atoms for the deficient form heteropolyacid, O is an oxygen atom, Y is one type of an atom selected from Si, Ti, Al and Zr which are metals in the metal alkoxide.例文帳に追加
なお、Mは欠損型ヘテロポリ酸の骨格構成原子の一部であるWまたはMoの原子、Oは酸素原子、Yは金属アルコキシドの金属であるSi、Ti、Al、Zrから選ばれる何れか1種の原子である。 - 特許庁
The reflection electrode is composed of an Al-Ni alloy thin film including 0.1-2 atom% Ni, wherein the Al-Ni alloy thin film 2 is directly connected to the oxide conductive film 1.例文帳に追加
Niを0.1〜2原子%含有するAl−Ni合金の薄膜からなり、Al−Ni合金の薄膜2は、酸化物導電膜1と直接接続している反射電極である。 - 特許庁
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