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Weblio専門用語対訳辞書での「Al atoms」の意味

Al atoms

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「Al atoms」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 41



例文

The contact electrodes 16 contain Al atoms, Ti atoms, and Si atoms.例文帳に追加

コンタクト電極16はAl、TiおよびSi原子を含有する。 - 特許庁

With this structure, the Al atoms of the wire Al piece spreads gradually into the electrode film piece and thermal reacting layer under the high temperature condition and such Al atoms are fetched into a high impurity concentration n-type SiC region at the lower part.例文帳に追加

電極素片8または加熱反応層9と配線Al素片10との間に、Al拡散阻止層11を設け、Al原子の拡散を防止する構成とする。 - 特許庁

Al atoms are difficult to move in the wirings having bamboo structure, and, on the contrary, Al atoms are easy to move along the grain boundaries 3 in the test wirings.例文帳に追加

バンブー構造の配線中ではAl原子が移動しにくく、これに対し試験配線中では粒界3に沿ってAl原子が容易に移動する。 - 特許庁

The contact electrodes 16 include an alloy film 50 made from an alloy containing at least either of the Si atoms and the Ti atoms, and the Al atoms.例文帳に追加

コンタクト電極16は、Si原子およびTi原子の少なくともいずれかと、Al原子とを含有する合金から作られた合金膜50を含む。 - 特許庁

A deposited nucleus in which zinc (Zn) atoms are substituted for Al atoms is formed on a surface of the Al film 2 to grow a nickel (Ni) plating layer by electroless plating treatment using the Zn atoms as a starter.例文帳に追加

ついで、Al原子を亜鉛(Zn)原子で置換した析出核をAl膜2の表面に形成し、Zn原子をスターターとして、無電解めっき処理によってニッケル(Ni)めっき層を成長させる。 - 特許庁

A composition ratio of Al atoms of the semiconductor forming the impurity diffusion controlling region 13 is larger than that of Al atoms of the p^+-type semiconductor region 14.例文帳に追加

不純物拡散抑制領域13を構成する半導体のAl原子の組成比は、p^+型の半導体領域14のAl原子の組成比よりも大きい - 特許庁

例文

Accordingly, holes generated by the movement of Al atoms resulting from an EM in the test wirings are not supplemented by flowing-in Al atoms, thus allowing accurate EM evaluation.例文帳に追加

従って試験配線内でのEMに起因するAl原子の移動により生ずる空孔が流入するAl原子により補充されず、これにより正確なEM評価が可能になる。 - 特許庁

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「Al atoms」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 41



例文

The method for forming an aluminum nitride film comprises: mixing a gas containing aluminum atoms (Al) and a gas containing nitrogen atoms (N) with a gas containing oxygen atoms (O); and feeding the mixture to a member to be covered by an aluminum nitride film.例文帳に追加

アルミニウム原子(Al)を含むガスおよび窒素原子(N)を含むガスに、酸素原子(O)を含むガスを混合し、窒化アルミニウム膜によって被覆されるべき被処理物に向けて供給する。 - 特許庁

In a portion of 20 mass% thickness on the surface side of the Zn coating layer containing molten Al and Mg, the Zn phase contains ≥1 mass% oxygen atoms, the Al phase contains10 mass% oxygen atoms, and the Zn_2Mg phase contains ≥5 mass% oxygen atoms.例文帳に追加

溶融Al、Mg含有Znめっき層の表面側の厚み20%の部分において、Zn相は酸素原子を1質量%以上含有し、Al相は酸素原子を10質量%以上含有し、Zn_2Mg相は酸素原子を5質量%以上含有する。 - 特許庁

A primary amine is produced by the hydrogenation of a nitrile using a Raney catalyst containing Ni, Al and Mo at atomic ratios of 90-96 wt.% for Ni, 3-9 wt.% for Al and 0.5-3 wt.% for Mo based on the sum of these atoms.例文帳に追加

ニトリルを水素化して1級アミンを製造する際に、触媒として、Ni、Al及びMoを含有し、これら原子の合計量に対する各原子の割合が、Ni:90〜96重量%、Al:3〜9重量%、Mo:0.5〜3重量%であるラネー触媒を用いる。 - 特許庁

Accordingly, production of a localized part where alumina unevenly exists can be suppressed and existence of aluminum atoms in a high concentration can be suppressed even in the produced localized part and therefore the content of aluminum atoms in the localized part is controlled to be 90% by atom or less.例文帳に追加

したがってアルミナが偏在する偏在部の生成が抑制され、生成した偏在部においてもAl原子が高濃度で存在するのが抑制されるため、偏在部におけるAl原子の含有率が90原子%以下となる。 - 特許庁

The foreign atoms are exemplified by Al, Zr, Zn, Ti, P, Cr, V, Sc, Ga, In, Fe, Ag, Sc, Mn, Co, Ni, and Cu.例文帳に追加

異種原子としては、Al、Zr、Zn、Ti、P、Cr、V、Sc、Ga、In、Fe、Ag、Sc、Mn、Co、Ni、Cuが挙げられる。 - 特許庁

The AlOx 2b can be formed by using Al as a target material and using an Ar as a sputtering gas, or by using a target made of Al containing oxygen atoms.例文帳に追加

AlO__x 膜2bは、Alをターゲットとして、スパッタガスとしてO_2 を含むArガスを用いることで形成するか、若しくはターゲットに酸素元素を含むAlを用いることで形成することが可能である。 - 特許庁

Plasma-synthesized superfine titanium oxide particles having iron atoms and aluminum atoms regularly coordinated along the crystal lattice face are heated at 250°C for 30 min to form a lowly oxidized state by the absorption of oxygen to the atoms of the metal face such as Fe and Al atoms inserted in the crystal lattice and a silica film is formed by the above method.例文帳に追加

又、その他に鉄やアルミニウム原子が結晶格子面に沿って規則的に配位するプラズマ合成酸化チタン超微粒子であって該粒子を250℃で30分加熱して結晶格子中に挿入されたFeやAlなどの金属面の原子に酸素を吸収させ低次酸化状態を形成させ上記の方法によってシリカ膜を形成させた。 - 特許庁

例文

A contact electrode 16 is provided on the substrate surface 12B and abutting and contacting with the gate insulating film 15, and contains an alloy having Al atoms.例文帳に追加

コンタクト電極16は、ゲート絶縁膜15に接触して隣り合うように基板面12B上に設けられており、Al原子を有する合金を含む。 - 特許庁

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