「Al atom」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The Al alloy film for the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜用Ａｌ合金膜である。 - 特許庁

SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶中に不純物としてＡｌとＴｉを含み、原子比でＴｉ濃度≦Ａｌ濃度であるｐ型ＳｉＣ半導体。 - 特許庁

The copper alloy for electronic devices contains 1.3 atom% or more but less than 2.6 atom% of Mg and 6.7 atom% or more but 20 atom% or less of Al and the balance substantially made of Cu and unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｍｇを１．３原子％以上２．６原子％未満の範囲で含み、かつ、Ａｌを６．７原子％以上２０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされていることを特徴とする。 - 特許庁

The window pane outer coating film contains an aluminum compound in a hydrolyzed condensate of a titanium alkoxide forming the photocatalyst layer 4, and is formed to make the Al atom in the aluminum compound and the Ti atom in the hydrolyzed condensate of the titanium alkoxide satisfy a relation : 15≤{the Al atom in the aluminum compound/[(the Al atom in the aluminum compound)+(the Ti atom in the hydrolyzed condensate of the titanium alkoxide)]}×100≤35.例文帳に追加

また、光触媒層４を形成するチタンアルコキシドの加水分解縮合物中にアルミニウム化合物を含み、アルミニウム化合物中のＡｌ原子と、チタンアルコキシドの加水分解縮合物中のＴｉ原子とが、 １５≦｛アルミニウム化合物中のＡｌ原子／［アルミニウム化合物中のＡｌ原子＋チタンアルコキシドの加水分解縮合物中のＴｉ原子］｝×１００≦３５の関係を満たすように形成されている。 - 特許庁

The Ti-Al alloy target material for forming the film on the cutting tools substantially consists of Al and Ti, includes 0.2-0.6 mass% oxygen, and has a ratio of Al to Ti, Al/Ti, in an amount of 0.4-1.9 by atom.%.例文帳に追加

実質的にＡｌとＴｉとからなり、酸素を０．２〜０．６質量％含み、原子％でＡｌとＴｉの組成比率がＡｌ／Ｔｉ：０．４〜１．９である切削工具の皮膜形成用Ｔｉ−Ａｌ合金系ターゲット材。 - 特許庁

The wire for a bead has a composition comprising, by atom, 5 to 35% Mn and 5 to 20% Al, and the balance Fe with inevitable impurities, and has a steel structure composed of an austenite single phase structure.例文帳に追加

Mn：５〜35at％およびAl：５〜20at％を含有し、残部はFeおよび不可避的不純物の組成にすると共に、鋼組織をオーステナイト単相組織とする。 - 特許庁

The catalyst is manufactured from an alloy fine particle obtained by pulverizing an Al alloy containing a quasi-crystal composed of Al, copper and a metal atom of at least one kind selected from Fe, Ru and Os and etching.例文帳に追加

アルミニウムと、銅および、Fe、Ru、Osから選ばれた少なくとも一種の金属原子からなる準結晶を含むAl合金を粉砕し、エッチングすることにより得られた合金微粒子から触媒を製造する。 - 特許庁

The reflecting electrode 2 formed on a substrate 1 has a first Al-(Ni/Co)-X alloy layer 2a containing X of Ni and/or Co of 0.1-2 atom% and La or the like of 0.1-2 atom% and a second Al oxide layer 2b containing Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板１上に形成される反射電極２は０．１〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＬａなどのＸを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｘ合金層２ａと、ＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂとを有している。 - 特許庁

Furthermore, M is an atom of W or Mo which is a part of skeleton component atoms for the deficient form heteropolyacid, O is an oxygen atom, Y is one type of an atom selected from Si, Ti, Al and Zr which are metals in the metal alkoxide.例文帳に追加

なお、Ｍは欠損型ヘテロポリ酸の骨格構成原子の一部であるＷまたはＭｏの原子、Ｏは酸素原子、Ｙは金属アルコキシドの金属であるＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒから選ばれる何れか１種の原子である。 - 特許庁

The reflection electrode is composed of an Al-Ni alloy thin film including 0.1-2 atom% Ni, wherein the Al-Ni alloy thin film 2 is directly connected to the oxide conductive film 1.例文帳に追加

Ｎｉを０．１〜２原子％含有するＡｌ−Ｎｉ合金の薄膜からなり、Ａｌ−Ｎｉ合金の薄膜２は、酸化物導電膜１と直接接続している反射電極である。 - 特許庁

The Al-based alloy sputtering target includes an Al-based alloy containing Nd and/or La of 0.1-3 atom%, and the amount of Fe included in the Al-based alloy is controlled to be 1/76 or less of the total amount of Nd and/or La.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、Ｎｄおよび／またはＬａを０．１〜３原子％含有するＡｌ基合金からなり、Ａｌ基合金中に含まれるＦｅ量が、Ｎｄおよび／またはＬａの合計量の１／７６以下に制御されている。 - 特許庁

In the second nitride semiconductor, an Al content amount is 20 atom% or more against the sum of III element contents.例文帳に追加

第二の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が２０原子％以上である。 - 特許庁

The sputtering target consists of zinc oxide wherein 0.5-8 atom% Al and 0.003-0.5 atom% Ce are doped, and the amount of carbon contained as inevitable impurities is limited to be ≤40 ppm.例文帳に追加

Ａｌ：０．５〜８原子％、Ｃｅ：０．００３〜０．５原子％をドープした酸化亜鉛からなり、不可避不純物として含まれる炭素が４０ｐｐｍ以下に限定されていることを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering target for the optical media includes Al as a principal component includes 1-10 atom% of one or two elements selected from the group including Ta and Nb and 0.1-10 atom% of Ag.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The hydrogen-separating permeable membrane is constituted of an amorphous Ni-Zr alloy having a composition comprising 44-75 atom% Ni, 0.2-16 atom% Al and the balance Zr with unavoidable impurities.例文帳に追加

水素分離透過膜を、Ｎｉ：４４〜７５原子％、Ａｌ：０．２〜１６原子％、を含有し、残りがＺｒと不可避不純物からなる組成を有する非晶質Ｎｉ−Ｚｒ系合金で構成する。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

The transparent conductive film is made of zinc oxide with Ce:0.2 to 5 atom% doped, and further, with Al doped at Al:0.005 to 0.5 atom% so that an Al dope volume is smaller than a Ce dope volume, and carbon contained in the transparent conductive film as inevitable impurities is limited to 40 ppm or less.例文帳に追加

Ｃｅ：０．２〜５原子％をドープし、さらに必要に応じてＡｌをＡｌ：０．００５〜０．５原子％でかつＡｌドープ量＜Ｃｅドープ量となるようにドープした酸化亜鉛からなる透明導電膜であって、この透明導電膜に不可避不純物として含まれる炭素が４０ｐｐｍ以下に限定されていることを特徴とする。 - 特許庁

The Al alloy film is connected directly to a transparent conductive film on a substrate of the display device, and characterized by containing 0.2 to 1.0 atom% Ni, 0.2 to 0.8 atom% Cu, and 0.05 to 0.5 atom% Ti.例文帳に追加

本発明のＡｌ合金膜は、表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ｎｉ：０．２〜１．０原子％、Ｃｕ：０．２〜０．８原子％およびＴｉを０．０５〜０．５原子％含有するものであるところに特徴を有する。 - 特許庁

The sputtering target material for forming the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

また、上記組成の配線膜用Ａｌ合金膜を得るための、Ｇｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。 - 特許庁

The amorphous optical semiconductor containing 1 to 50 atom% hydrogen, at least one or more elements of Al, Ga and In, nitrogen and ≤15 atom% each of oxygen and carbon is suitably used.例文帳に追加

また、１原子％以上５０原子％以下の水素と、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの一つ以上の元素と、チッ素元素とを含み、酸素と炭素が各々１５原子％以下である非晶質光半導体が好適である。 - 特許庁

In the case of using (m) for the maximum quantity of solid solution of Mg and Al and (n) for the quantity of solid solution at 100°C, as the Al-Mg base casting material, the one which is m-n≥3.6 atom.% and has the dendrite consisting essentially of Al, is selected.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ系鋳造材料として，Ａｌに対するＭｇの最大固溶量をｍとし，また１００℃での固溶量をｎとしたとき，それらの差ｍ−ｎがｍ−ｎ≧３．６原子％であり，且つ前記Ａｌを主成分とするデンドライトを有するものを選定する。 - 特許庁

The Al alloy film directly connected to a transparent conductive film on a substrate of the display device has 0.05 to 0.5 atom% Ni, 0.4 to 1.5 atom% Ge, 0.05 to 0.3 atom% at least one element selected from a rare earth element group in total and ≤1.7 atom% sum total of Ni and Ge.例文帳に追加

表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 - 特許庁

The copper alloy for an electronic device comprises Mg in a range of 2.6-9.8 atom%, Al in a range of 0.1-20 atom% and the balance substantially being Cu and unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｍｇを、２．６原子％以上９．８原子％以下の範囲で含み、かつ、Ａｌを、０．１原子％以上２０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされていることを特徴とする。 - 特許庁

An Al alloy thin film of the present invention is used for a wiring film or a reflective film on a substrate, and contains 0.01 to 0.5 atom% of Ta and/or Ti and 0.05 to 2.0 atom% of a rare earth element.例文帳に追加

本発明のＡｌ合金薄膜は、基板上に配線膜または反射膜に用いられるＡｌ合金膜であって、Ｔａおよび／またはＴｉ：０．０１〜０．５原子％と、希土類元素：０．０５〜２．０原子％と、を含有するものである。 - 特許庁

The Ti-Al based alloy contains, by atom, 44 to 50% Al, 0.5 to 5.0% V and 0.1 to 2.0% Zr or Hf, and the balance Ti with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明のＴｉ−Ａｌ系合金は、４４〜５０原子％のＡｌと、０．５〜５．０原子％のＶと、０．１〜２．０原子％のＺｒあるいはＨｆと、を含有し、残部がＴｉおよび不可避不純物と、からなることを特徴とする。 - 特許庁

Accordingly, production of a localized part where alumina unevenly exists can be suppressed and existence of aluminum atoms in a high concentration can be suppressed even in the produced localized part and therefore the content of aluminum atoms in the localized part is controlled to be 90% by atom or less.例文帳に追加

したがってアルミナが偏在する偏在部の生成が抑制され、生成した偏在部においてもAl原子が高濃度で存在するのが抑制されるため、偏在部におけるAl原子の含有率が90原子％以下となる。 - 特許庁

In the formula, R1 and R4 each represent a hydrogen atom, alkyl group, or aromatic ring (including condensed ring); R2 and R3 each represent an aromatic ring (including condensed ring); M represents one kind of trivalent metal selected from among Al, Fe, Ti, Co, and Cr; and X+ represents a cation.例文帳に追加

（式中、Ｒ１およびＲ４は水素原子、アルキル基、芳香環（縮合環も含む）を、Ｒ２およびＲ３は芳香環（縮合環も含む）を、ＭはAl、Fe、Ti、Co、Crから選ばれる１種の３価の金属を、Ｘ＋はカチオンを示す。） - 特許庁

In the superlattice structure 3, a plurality of III nitride films are laminated, and at the same time, the difference in the Al composition of the adjacent III nitride films is at least 10 atom.%.例文帳に追加

超格子構造３は、複数のIII族窒化物膜が積層されるとともに、隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上である。 - 特許庁

The hydrogenation method of the hydrogen storage material is provided for hydrogenating a mixture that contains LiH, AlB_2, and C (carbon) in an amount of larger than 0.1 than Al in an atom ratio.例文帳に追加

ＬｉＨおよびＡｌＢ_２、さらにＡｌに対して原子比で０．１より多い量のＣ（炭素）を含む混合物を水素化する水素貯蔵材料の水素化方法。 - 特許庁

The aluminum-containing silicon alloy target for sputtering has a composition comprising 0.1-15 mass% Al, 10-50,000 ppm P, the balance Si with unavoidable impurities, and an atom ratio adjusted so as to be P/Al≤1.例文帳に追加

Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純物からなり、かつ原子比でＰ／Ａｌ≦１であるように調整された成分組成を有するスパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット。 - 特許庁

The Cu alloy film for the wiring film contains B of 0.1-1.0 atom% and further one or more elements selected from Mg, Ti, Zr, Mo, Al, and Si of 0.1-2.0 atom%, and the balance Cu with inevitable impurities as additive elements.例文帳に追加

添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＭｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉから選択される１種または２種以上の元素を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる配線膜用Ｃｕ合金膜である。 - 特許庁

The method for the producing the graphite nanofiber comprises forming an Al layer 2 on the surface of a substrate 1, then forming a catalyst layer 3 on the Al layer 2, and vapor-growing the graphite nanofiber 4 on the catalyst layer 3 at a low temperature under below the atmospheric pressure by supplying a mixed gas of a carbon atom-containing gas and hydrogen gas.例文帳に追加

基板１の表面にＡｌ層２を形成し、このＡｌ層上に触媒層３を形成し、この触媒層上に炭素原子含有ガスと水素ガスとの混合ガスを供給して、低温で大気圧以下で気相成長せしめる。 - 特許庁

The reflective anode electrode for organic EL display formed on a substrate has a lamination structure of an Al-based alloy film containing Ag 0.1-6 atom% and an oxide conductive film which directly contacts on the Al-based alloy film.例文帳に追加

基板上に形成された有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極であって、前記反射アノード電極は、Ａｇを０．１〜６原子％含有するＡｌ基合金膜と、前記Ａｌ基合金膜の上に直接接触する酸化物導電膜との積層構造である。 - 特許庁

The optical medium 100 includes: a substrate 10; and reflective layers 20A, 20B provided on the substrate 10, and each having a composition including Al as a principal component, 1-10 atom% of one or two types of elements selected from the group including Ta and Nb, and 0.1-10 atom% of Ag.例文帳に追加

基板１０と、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有し基板１０上に設けられた反射層２０Ａ，２０Ｂと、を備える光メディア１００である。 - 特許庁

In the laminated structure film of the first Mo, MoOx, and second Mo films 10, 10A and 11, an Al atom in a foundation layer cannot be easily diffused to the surface side, and the diffusion of Au, such as a surface wiring layer on the lamination structure film to the Al film of foundation, is restrained effectively.例文帳に追加

又、第１Ｍｏ膜１０／ＭｏＯ_ｘ膜１０Ａ／第２Ｍｏ膜１１の積層構造膜は、下地層のＡｌ原子が表面側へ拡散しにくく、積層構造膜の上の表面配線層等のＡｕが下地のＡｌ膜へ拡散することを有効に抑制する。 - 特許庁

In the formula (I) above, M is a metal atom containing at least one kind of metal atoms selected from a group consisting of Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Mg, Zn, V, Ca, Sr, Ba, Ti, Al, Si, and Mo, satisfying:0<X<2.例文帳に追加

Ｌｉ_ＸＭＰＯ_４ （Ｉ）（上記式（Ｉ）において、Ｍは、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｖ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ及びＭｏからなる群から選択された金属原子少なくとも一種類を含む金属原子であり、０＜Ｘ＜２である。） - 特許庁

An underlying layer 23 of group III nitride, which contains at least ≥50 atom% Al, is directly formed on a substrate 21 consisting of a sapphire single crystal or the like, without interposing a low temperature buffer layer.例文帳に追加

サファイア単結晶などからなる基板２１上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともＡｌを５０原子％以上含むIII族窒化物下地層２３を直接的に形成する。 - 特許庁

They can contain further in addition to W and Mo one or more kinds of Al and rare earth elements (Y is treated as a rare earth element too) within the scope not larger than total 25 atom% when being represented at the atomic ratio to Fe.例文帳に追加

Ｗ、Ｍｏの他には更にＡｌ及び希土類元素（Ｙも希土類元素として扱う）の１種以上をＦｅに対する原子比で合計２５原子％以下の範囲で含むことができる。 - 特許庁

The curable composition for imprints contains (A) polymerizable compounds and (B) a photoinitiator, the polymerizable compounds being (Al) a polymerizable compound having at least one of a fluorine atom and a silicon atom and (A2) a polymerizable compound having an aromatic group.例文帳に追加

（Ａ）重合性化合物および（Ｂ）光重合開始剤を含有し、前記（Ａ）重合性化合物として、（Ａ１）フッ素原子とシリコン原子のうち少なくとも一方を有する重合性化合物および、（Ａ２）芳香族基を有する重合性化合物を含有することを特徴とするインプリント用硬化性組成物。 - 特許庁

The functional thin film has a transition layer containing a first component selected from aluminum (Al) and silicon (Si) and at least one second component selected from an oxygen atom (O) and a nitrogen atom (N), and each of the first and second components has a gradual concentration gradient along the thickness of the thin film.例文帳に追加

アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）より選択される第１成分ならびに酸素原子（Ｏ）及び窒素原子（Ｎ）より選択される少なくとも一の第２成分を含む転移層を有し、該第１成分及び第２成分は薄膜の厚みに沿って漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする機能性薄膜。 - 特許庁

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less).例文帳に追加

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

A low-resistance n-type AlN crystal is obtained by substituting a part of Al atoms in an AlN crystal with group IIIa elements (such as Sc, Y and La) or/and group IIIb elements (such as B, Ga and In), and substituting one adjoining nitrogen (N) atom with an oxygen (O) atom to form a shallow impurity level.例文帳に追加

本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。 - 特許庁

There is provided a resin composition comprising aluminum nitride and an aluminosiloxane resin containing an Al-O-Si bond, which aluminosiloxane resin is formed from a material component comprising a condensation-reactive silicone resin and an aluminum atom complex and has an aluminum atom complex containing ratio of 0.5-10 pts.mass per 100 pts.mass material component.例文帳に追加

縮合反応性シリコーン樹脂とアルミニウム原子錯体とを含有する原料成分から形成され、アルミニウム原子錯体の含有割合が原料成分１００質量部に対して０．５〜１０質量部であるＡｌ−Ｏ−Ｓｉ結合を含有するアルミノシロキサン樹脂と、窒化アルミニウムとを含有させた樹脂組成物。 - 特許庁

This ferromagnetic shape memory alloy has a composition containing, by atom, 5 to 70% Co, 5 to 70% Ni and 5 to 50% Al, and the balance inevitable impurities and has a single phase structure composed of a βphase with a B2 structure or a dual phase structure composed of a γ phase with an fcc structure and a β phase with a B2 structure.例文帳に追加

Coを５〜70原子％，Niを５〜70原子％，Alを５〜50原子％含有し、残部が不可避的不純物からなる組成と、Ｂ２構造のβ相からなる単相組織またはｆｃｃ構造のγ相とＢ２構造のβ相からなる２相組織とを有する強磁性形状記憶合金とする。 - 特許庁

The beta titanium alloy with low Young's modulus has a composition consisting of, by atom, 13 to 28% Nb, 0.1 to 10% Sn, one or more kinds among each 0.1 to 5% of V, Mo, W, Zr and Al, and the balance Ti with impurities.例文帳に追加

Ｎｂを13〜28atom％、Ｓｎを0.1〜10atom％含有し、それぞれが0.1〜5atom％以下のＶ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＡｌを1種または2種以上含有し、残部がＴｉおよび不純物からなる低ヤング率β型チタン合金。 - 特許庁