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DRAM cellsとは 意味・読み方・使い方
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「DRAM cells」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 59件
The method further comprises a step of forming a trench adjacent to the DRAM cells and a silicon acid nitriding isolation liner at either side of the DRAM cells.例文帳に追加
当該方法には、ＤＲＡＭセルに隣接するトレンチと、ＤＲＡＭセルのいずれかの側にあるシリコン酸窒化分離ライナーとを形成するステップが含まれる。 - 特許庁
The mask data and the cross-sections of the 2T and 2C DRAM cell and those of the 1T DRAM cells are mutually fully compatible except for a diffused connection section where the two memory nodes of the two 1T DRAM cells are connected.例文帳に追加
２Ｔ ２Ｃ ＤＲＡＭセルおよび１Ｔ ＤＲＡＭセルのマスク・データおよび断面は、これら２つの１Ｔ ＤＲＡＭセルの２つの記憶ノードを接続する拡散接続部を除き、互いに完全に適合する。 - 特許庁
Next, an isolation region is formed in the trench at either side of the DRAM cells.例文帳に追加
次に、ＤＲＡＭセルのいずれかの側のトレンチ内に分離領域が形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory which can replace many memory cells in bit unit and can relieve the hold-characteristic of a DRAM.例文帳に追加
多数のメモリセルをビット単位で置換可能とし、DRAMのホールド特性を救済することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To improve the refresh characteristic and the manufacturing yield of a twin cell DRAM wherein one bit data are stored in two DRAM cells.例文帳に追加
１ビットのデータを２つのＤＲＡＭセルで記憶するツインセルＤＲＡＭのリフレッシュ特性改善および製造歩留り改善を図る。 - 特許庁
To reduce the size of a memory cell of a twin-cell mode DRAM for storing one-bit data in two memory cells.例文帳に追加
1ビットのデータを２メモリセルで記憶するツインセルモードＤＲＡＭのメモリセルのサイズを低減する。 - 特許庁
The mixedly mounted DRAM 10 stores one-bit data by using (n) (n: an integer of ≥2) memory cells among the plurality of memory cells 11.例文帳に追加
その混載ＤＲＡＭ１０は、複数のメモリセル１１のうちｎ個（ｎは２以上の整数）のメモリセルを用いて１ビットのデータを記憶する。 - 特許庁
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「DRAM cells」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 59件
To provide a DRAM and its manufacturing method whereby the layout area of its memory cells is saved to make increasable the integration density of its memory cells.例文帳に追加
メモリセルのレイアウト面積を節約して、集積度を増加させることができるＤＲＡＭおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a 2-port DRAM cell consisting of a 2T and 2C (2-transistor and 2-trench-capacitor) DRAM cell formed by combining two 1T (1-transistor and 1-capacitor) DRAM cells.例文帳に追加
２つの１Ｔ ＤＲＡＭセル（１トランジスタ・１コンデンサ型ＤＲＡＭセル）を接続した２Ｔ ２Ｃ（２つのトランジスタおよび２つのトレンチ・コンデンサ）ＤＲＡＭセルからなる２ポートＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）セルを提供すること。 - 特許庁
Therefore, a true system-on-chip architecture can be formed by completely integrating 1-port memory cells having 1T and 1C DRAM cells with a 2-port memory cell having a 2T and 2C DRAM cell.例文帳に追加
これにより、１Ｔ １Ｃ ＤＲＡＭセルを備えた１ポート・メモリ・セルおよび２Ｔ ２Ｃ ＤＲＡＭセルを備えた２ポート・メモリ・セルを完全に統合して、真のシステム・オンチップ・アーキテクチャを形成することができる。 - 特許庁
The DRAM circuit has a number of memory cells that do not require sequential access, and at least part of the memory cells has two or more memory cells for a single bit line contact.例文帳に追加
ＤＲＡＭ回路はシーケンシャルアクセスを必要としない複数個のメモリセルを有し、該複数個のメモリセルの少なくとも一部は、単一のビット線コンタクトに対して二つ以上のメモリセルを有している。 - 特許庁
A partially non-volatile dynamic random access memory PNDRAM uses a DRAM array formed by plural single transistors 1T cells or two transistors 2T cells.例文帳に追加
部分的に不揮発性のダイナミック・アクセス・メモリ（ＰＮＤＲＡＭ）が、複数の単一トランジスタ（１Ｔ）・セルまたは２トランジスタ（２Ｔ）・セルにより形成されるＤＲＡＭアレイを使用する。 - 特許庁
The DRAM circuit has a plurality of memory cells that do not require sequential access, and at least a part of a plurality of the memory cells has more than two memory cells with respect to a single bit-line contact.例文帳に追加
ＤＲＡＭ回路はシーケンシャルアクセスを必要としない複数個のメモリセルを有し、該複数個のメモリセルの少なくとも一部は、単一のビット線コンタクトに対して二つを越えるメモリセルを有している。 - 特許庁
The charge accumulation characteristic of memory cells is optimized by making the capacity of the memory cells in a first DRAM 102 requiring high speed signal processing smaller than the capacity of the memory cells in a second DRAM 103 requiring sufficient signal holding.例文帳に追加
高速な信号処理が要求される第１のＤＲＡＭ部１０２を構成するメモリセルの持つ容量を、十分な信号保持が要求される第２のＤＲＡＭ部１０３を構成するメモリセルの持つ容量よりも小さくすることにより、メモリセルの電荷蓄積特性を最適化する。 - 特許庁
A DRAM 1 has word lines 10_1 to 10_n, word lines 22 and 24, memory cells 30_1 to 30_n, and a reference cell 40.例文帳に追加
ＤＲＡＭ１は、ワード線１０_１〜１０_ｎ、ワード線２２，２４、メモリセル３０_１〜３０_ｎ、およびリファレンスセル４０を備えている。 - 特許庁
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