Gunn deviceとは 意味・読み方・使い方

GUNN DIODE DEVICE, OSCILLATOR AND COMMUNICATION UNIT例文帳に追加

ガンダイオ—ド装置、発振器、通信機装置 - 特許庁

The Gunn diode device includes a Gunn diode 11 and a bias line 20 that is connected to an anode terminal 12 of the Gunn diode 11 to apply a bias voltage to the Gunn diode 11, At least part of the bias line 20 is made of a conductive member 23 having elasticity and the Gunn diode 11 is connected to the bias line 20 by pressing the Gunn diode 11 onto the conductive member 23.例文帳に追加

ガンダイオード11と、該ガンダイオード11のアノード端子12に接続されて該ガンダイオード11にバイアス電圧をかけるバイアスライン20とを含んでなるガンダイオード装置であって、前記バイアスライン20の少なくとも一部が、弾性を有する導電部材23により構成され、前記ガンダイオード11を前記導電部材23に押し付けることにより、前記ガンダイオード11と前記バイアスライン20とを接続する。 - 特許庁

To suppress the Gunn oscillation of a high speed semiconductor device (MESFET) and avoid the decrease of the output power in a high power operation embodiment.例文帳に追加

高速半導体装置（ＭＥＳＦＥＴ）において、大出力動作実施例におけるガン発振を抑制し、出力パワーの減少を回避する。 - 特許庁

To provide a Gunn diode device where the oscillating characteristic is made stale by decreasing a change in a parasitic inductance around an anode terminal due to a temperature change and no improper contact is caused.例文帳に追加

温度変化によるアノード端子付近での寄生インダクタンスの大きさの変化を小さくすることにより発振特性を安定させ、さらに接触不良を起こさないガンダイオード装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a cathode ohmic electrode 108 is formed, as a Schottky diode, on the active layer 103 of a Gunn diode GD having an epitaxial structure exhibiting diode characteristics of negative resistance.例文帳に追加

この半導体装置は、負性抵抗を有するダイオード特性を持つエピタキシャル構造からなるガンダイオードＧＤの活性層１０３上にショットキー電極としてカソードオーミック電極１０８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a substrate 1 having a transistor region Rt and an oscillating element region Rg, a bipolar transistor 100t formed on the transistor region Rt of the substrate 1, and a Gunn diode 100g formed on the oscillating element region Rg of the substrate 1.例文帳に追加

半導体装置１００は、トランジスタ領域Ｒｔと発振素子領域Ｒｇとを有する基板１と、基板１のトランジスタ領域Ｒｔ上に形成されたバイポーラトランジスタ１００ｔと、基板１の発振素子領域Ｒｇ上に形成されたガンダイオード１００ｇとを備える。 - 特許庁

The device comprises a GUNN diode 11 with an anode Ohmic electrode 111 and a cathode Ohmic electrode 112 formed in a region A, the first Schottky diode 12 with a Schottky electrode 116 formed in a region B and a second Schottky diode 13 with the Schottky electrode 116 formed on a low concentration semiconductor layer 103 at the Schottky electrode and an Ohmic electrode 114 formed on a high concentration semiconductor layer 102 at the Ohmic electrode in a region C.例文帳に追加

領域Ａにおいて、アノードオーミック電極１１１とカソードオーミック電極１１２が形成されたガンダイオード１１と、領域Ｂにおいて、活性層１０７上にショットキー電極１１６が形成された第１ショットキーダイオード１２と、領域Ｃにおいて、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３上にショットキー電極１１６が形成され、オーミック電極側高濃度半導体層１０２上にオーミック電極１１４が形成された第２ショットキーダイオード１３とを備える。 - 特許庁