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High frequency power transistorsとは 意味・読み方・使い方
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「High frequency power transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
A high-power, high frequency (1-100 GHz) power amplifier (18) is made using SiGe transistors.例文帳に追加
大電力・高周波(1〜100GHz)の電力増幅器(18)は、SiGeトランジスタを使用して形成される。 - 特許庁
It is particularly useful for high power, high frequency transistors, e.g. base on gallium indium arsenide.例文帳に追加
このことは、高電力、高周波数トランジスタ、例えば、ヒ化ガリウムインジウム上のベース、に対して特に有用である。 - 特許庁
To obtain a high-frequency power amplifier capable of more uniformlyapplying its effects to the respective amplification transistors.例文帳に追加
高調波処理回路の効果をそれぞれの増幅用トランジスタに対してより均一に働かせることができる高周波電力増幅器を得る。 - 特許庁
Series circuits of a plurality of unit transistors, corresponding in number to the power amplification capacity, are connected in parallel to form a plurality of composite transistors, and an amplifier circuit for power amplifying high frequency signals inputted in balance is formed of pairs of composite transistors.例文帳に追加
基本単位をなすトランジスタを電力増幅容量に応じてそれぞれ複数ずつ並列接続して複数の複合トランジスタを形成し、これらの複合トランジスタの対により前記高周波信号を平衡入力して電力増幅する増幅回路を形成する。 - 特許庁
The transistors Q1, Q2 alternately operate in the on and off conditions to resonate a first resonance circuit 19 with the high-frequency signal for power supply and thereby the base potion 9 emits electromagnetically the high-frequency signal for power source to the external circuit.例文帳に追加
トランジスタQ1、Q2は交互にオンオフ動作して第1の共振回路19をその電源用高周波信号で共振させ、ベース部9から外部へ電源用高周波信号を電磁的に発射する。 - 特許庁
The amplifying elements Q1 and Q2 are composed of gallium arsenide field effect transistors or gallium arsenide high-electron- mobility transistors, the video signal amplifier which has excellent high-frequency characteristics and low power consumption thereby can be obtained because of high-electron-mobility characteristics that those elements have.例文帳に追加
増幅素子Q1及びQ2を、ガリウム砒素電界効果トランジスタ或いはガリウム砒素高電子移動度トランジスタで構成したことにより、これら素子のもつ高電子移動度特性により、高周波特性が良好でかつ低消費電力のビデオ信号増幅装置が得られる。 - 特許庁
The high frequency power amplification device includes, for example, a plurality of power amplifying transistors Q1-Q5 different in transistor size and a plurality of impedance matching circuits IMN14, IMN2i, IMN3i, IMN5i, IMN2o, IMN3o, IMN5o, IMNo, and switches a signal path to be used according to a power command signal Vrmp.例文帳に追加
例えば、トランジスタサイズが異なる複数の電力増幅用トランジスタQ1〜Q5と、複数のインピーダンス整合回路IMN14,IMN2i,IMN3i,IMN5i,IMN2o,IMN3o,IMN5o,IMNoを備え、電力指示信号Vrmpに応じて使用する信号経路を切り替える。 - 特許庁
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「High frequency power transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
A power amplifier including field-effect power transistors performs high-frequency switching operation and further forms current paths to three-phase coils 11 to 13.例文帳に追加
電界効果型パワートランジスタを含んで構成された電力増幅器は高周波スイッチング動作しながら、3相のコイル11〜13への電流路を形成する。 - 特許庁
To provide a high frequency power amplifier circuit incorporating a bias control circuit that can supply an idle current with a desired value even when a threshold voltage of power amplifier MOS transistors is deviated from a prescribed value due to manufacturing dispersion thereby obtaining a stable output power in a wireless communication system for controlling the output power by changing a bias voltage of the power amplifier transistors.例文帳に追加
電力増幅用トランジスタのバイアス電圧を変化させて出力電力を制御する無線通信システムにおいて、電力増幅用MOSトランジスタのしきい値電圧が製造ばらつきで所定の値からずれたとしても所望の大きさのアイドル電流を流すことができ、それによって安定した出力電力が得られるバイアス制御回路を内蔵した高周波電力増幅回路を提供する。 - 特許庁
Consequently, no oscillation condition is satisfied and a stable combined power amplifier can be realized in a frequency domain of a low frequency band where oscillation occurs and the gain of the field effect transistors 3 and 4 is high and in each harmonic frequency that occurs as a distortion component.例文帳に追加
その結果、発振が生じる、電界効果トランジスタ3,4の利得が高い低周波帯域の周波数領域や、歪み成分として生じる各高調波の周波数において、発振条件を満足させることがなくなり、安定な電力合成型増幅器を実現できる。 - 特許庁
To provide a compact and low-cost high-frequency power amplifier including GaAs heterobipolar transistors (HBTs) but having a low level of noise in the reception band.例文帳に追加
受信帯域ノイズレベルが低く、小型で低コストなGaAsヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)を用いた高周波電力増幅器を提供する。 - 特許庁
To provide a circuit which is operable with low power consumption and at a high frequency and resistant to variations in the characteristics of thin-film transistors (TFTs) by forming a data reading circuit that operable at a low voltage signal.例文帳に追加
低電圧信号で動作可能なデータ読み取り回路を作り、低消費電力・高周波数動作可能でなおかつTFTの特性ばらつきにも強い回路を提供することを課題とする。 - 特許庁
In a direct current of a DC power source E, a drive circuit 12 alternately turns on and off electric field effect transistors Q1, Q2 according to a control circuit 15, and an inverter circuit 11 outputs a high frequency to start/light fluorescent lamps FL1, FL2.例文帳に追加
直流電源Eの直流を、制御回路15に従いドライブ回路12は交互に電界効果トランジスタQ1,Q2をオン、オフし、インバータ回路11が高周波出力し、蛍光ランプFL1 ,FL2 を始動、点灯する。 - 特許庁
To warrant the linearity by suppressing distortion in the amplitude of a signal with a wide dynamic range and to reduce the power consumption of transistors(TRs) with respect to a high frequency power amplifier used for a portable telephone set or a portable information device or the like.例文帳に追加
携帯電話や携帯情報機器等に使用される高周波用の電力増幅器に関し、広範囲のダイナミックレンジで信号の振幅の歪みを抑えてその直線性を保証し、かつ、トランジスタの消費電力を節減することを目的とする。 - 特許庁
To improve detection sensitivity in an area where the low output level of an amplifier is low, and to reduce the effect of output impedance upon a detection output, in a high frequency power amplification circuit of a multi-stage configuration wherein a plurality of power amplification transistors is cascaded.例文帳に追加
複数の電力増幅用トランジスタが縦続接続された多段構成の高周波電力増幅回路において、増幅器の出力レベルが低い領域での検波感度を向上させるとともに、検波出力に対する出力インピーダンスの影響を低減させる。 - 特許庁
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