Isotropic etchingとは 意味・読み方・使い方

To easily form a recessed part shallower than that by ordinary etching according to isotropic etching.例文帳に追加

通常のエッチングよりも浅い凹部を等方性エッチングにより容易に形成する。 - 特許庁

Isotropic etching is given to the substrate 1 using this silicon thin film 2 as an etching mask.例文帳に追加

このシリコン薄膜２をエッチングマスクとして用いて基板１に等方性エッチングを施す。 - 特許庁

At this point, the second polysilicon film is subjected to anisotropic etching first and then subjected to isotropic etching.例文帳に追加

ここで、第２ポリシリコン膜のエッチングは異方性および等方性エッチングの順に実施する。 - 特許庁

After etching the interlayer insulation films 2 and 3 by anisotropic etching, isotropic etching is performed.例文帳に追加

そして、異方性エッチングによりこれら層間絶縁膜２，３をエッチングした後、等方性エッチングを施す。 - 特許庁

The etching used to form the second recess 37A is isotropic etching and uses a mixture gas of SF_6/O_2/Cl_2/HBr as an etching gas.例文帳に追加

第２リセス３７Ａを形成するエッチングは等方性エッチングであり、エッチングガスには、ＳＦ_６／Ｏ_２／Ｃｌ_２／ＨＢｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

After the TiN film 16 is subjected to isotropic etching, the polyimide resin 9 is baked.例文帳に追加

ＴｉＮ膜１６を等方性エッチングした後、ポリイミド樹脂９をベークする。 - 特許庁

Next, the part comprising the superposed part of gate electrodes 4, 5 is removed by isotropic etching.例文帳に追加

つぎにゲート電極４、５の重なり部を含む部分を等方性エッチングにより除去する。 - 特許庁

DRY ASHING METHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING例文帳に追加

ＴｉＮ層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁