「Isotropic etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Isotropic etching is given to the substrate 1 using this silicon thin film 2 as an etching mask.例文帳に追加

このシリコン薄膜２をエッチングマスクとして用いて基板１に等方性エッチングを施す。 - 特許庁

The selective etching step is performed by a two-step plasma etching method of first anisotropic etching and second isotropic etching having different etching conditions.例文帳に追加

選択食刻工程は食刻条件が異なる第１の異方性食刻と第２の等方性食刻からなる二段階のプラズマ食刻方法で行なう。 - 特許庁

The recessed parts 12 are formed by a plurality of times of isotropic etching.例文帳に追加

凹部１２は、複数回の等方性エッチングによって形成される。 - 特許庁

In the process, the isotropic etching does not attain to the second insulation film 22.例文帳に追加

この際、等方性エッチングは第２絶縁膜２２には及ばない。 - 特許庁

DRY ASHING METHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING例文帳に追加

ＴｉＮ層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁

At this point, the second polysilicon film is subjected to anisotropic etching first and then subjected to isotropic etching.例文帳に追加

ここで、第２ポリシリコン膜のエッチングは異方性および等方性エッチングの順に実施する。 - 特許庁

FLATTENING OF SHALLOW TRENCH ISOLATION BODY USING SELF- ALIGNMENT ISOTROPIC ETCHING例文帳に追加

自己整合等方的エッチングを用いた浅いトレンチ分離体の平坦化 - 特許庁

Besides, isotropic etching can be used for widening the uppermost layer.例文帳に追加

また最上層の幅を広げるために等方エッチングを用いることができる。 - 特許庁

Thereafter, the oxidized film 12 is removed from the silicon substrate 11 and isotropic etching is effected on the trenches 14 and the silicon substrate 11 in an isotropic etching process.例文帳に追加

その後、酸化膜１２をシリコン基板１１から除去し、等方性エッチング工程でトレンチ１４及びシリコン基板１１表面に等方性エッチングを行う。 - 特許庁

In the second etching, etching is carried out under the condition where isotropic etching characteristics are strong, and the etching of the tungsten plug is not carried out so that tungsten residues can be completely removed.例文帳に追加

第２の過エッチングでは等方性エッチング特性が強い条件でエッチングし、タングステンプラグはエッチングされず、タングステン残留物を完全に除去する。 - 特許庁

After the TiN film 16 is subjected to isotropic etching, the polyimide resin 9 is baked.例文帳に追加

ＴｉＮ膜１６を等方性エッチングした後、ポリイミド樹脂９をベークする。 - 特許庁

The etching used to form the second recess 37A is isotropic etching and uses a mixture gas of SF_6/O_2/Cl_2/HBr as an etching gas.例文帳に追加

第２リセス３７Ａを形成するエッチングは等方性エッチングであり、エッチングガスには、ＳＦ_６／Ｏ_２／Ｃｌ_２／ＨＢｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

This processing method forms holes by recording an etching pattern (an area removed by etching) in a substrate, forming a prior machine hole inside the etching pattern, and executing the isotropic etching according to the etching pattern.例文帳に追加

基板にエッチングパターン（エッチングにより除去される領域）を記録し、前記エッチングパターン内に加工先穴を形成し、前記エッチングパターンに従って等方性エッチングを行い、穴を形成する。 - 特許庁

To provide high shape control of a silicon structure formed by combining anisotropic etching with isotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングと等方性エッチングとを組み合わせたシリコン構造体の高度な形状制御を実現する。 - 特許庁

In the method for manufacturing anisotropic etching is carried out on a substrate, isotropic etching is performed.例文帳に追加

本発明は、マスクを形成し、基板に異方性エッチングを行った後、等方性エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

A sidewall of the STI film 15 is retreated by etching the STI film 15 with the use of an isotropic etching technology.例文帳に追加

ＳＴＩ膜１５を等方性エッチング技術を用いてエッチングし、ＳＴＩ膜１５の側壁を後退させる。 - 特許庁

To planarize a polycrystal silicon surface by directly carrying out isotropic etching.例文帳に追加

直接的に等方エッチングを行うことで、多結晶シリコン表面を平坦にする。 - 特許庁

The anisotropic etching process and the isotropic etching process are alternately repeated to etch the color filter on the support member 32.例文帳に追加

異方性エッチング処理と等方性エッチング処理とを交互に繰り返して支持体３２上のカラーフィルタをエッチングする。 - 特許庁

Thereafter, the shapes of the control gates CG are adjusted mainly by performing an isotropic etching step.例文帳に追加

次に等方性エッチング工程を実施し、主にコントロールゲートＣＧの形状が整う。 - 特許庁

The barrier film 114 thinned by the etching is deposited by isotropic sputtering.例文帳に追加

このエッチングにより薄くなったバリア膜１１４を等方性スパッタリングにより堆積させる。 - 特許庁

Next, the part comprising the superposed part of gate electrodes 4, 5 is removed by isotropic etching.例文帳に追加

つぎにゲート電極４、５の重なり部を含む部分を等方性エッチングにより除去する。 - 特許庁

After a connecting hole 18a is formed on the insulating film 16 by isotropic etching, connecting holes 18b and 18c are formed on a bottom of the connecting hole 18a by isotropic etching.例文帳に追加

絶縁膜１６に接続孔１８ａを等方性エッチングにより形成した後、接続孔１８ａの底部に接続孔１８ｂ，１８ｃを異方性エッチングにより形成する。 - 特許庁

In order to determine an optimum addition ratio of ethyl alcohol in an etching gas of a plasma etching apparatus, ethyl alcohol addition ratio is found so as to make zero an isotropic etching rate to an etching mask.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のエッチングガス中のエチルアルコールの最適添加比率の決定のために、エッチングマスクに対する等方性エッチングレートを零にするエチルアルコール添加比率が求められる。 - 特許庁

To provide a method of removing copper by isotropically etching the copper using a formulation and an isotropic copper etching formulation.例文帳に追加

調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。 - 特許庁

Isotropic etching is used so as to form the projected part whose side surface is inclined in the first process.例文帳に追加

第１の工程では、側面が傾斜した凸部を形成するために、等方性エッチングを用いる。 - 特許庁

Additionally, the chamber is formed by engraving a lower part of the mesh of the first metal layer by isotropic etching.例文帳に追加

さらに等方性エッチングで第１金属層のメッシュ下部を彫り込みチャンバを形成する。 - 特許庁

A through hole 17 is formed in the fixed electrode, and isotropic etching is carried out from the through hole.例文帳に追加

固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。 - 特許庁

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

Then, the second polysilicon electrode is prevented from being thinned out by the side wall product which is a by-product produced by anisotropic etching while the etching residues are removed by isotropic etching.例文帳に追加

次に、等方性エッチングでエッチング残存物を除去しつつ、第２ポリシリコン電極の細りを異方性エッチング時の副産物である側壁生成物で防止する。 - 特許庁

Further, the remaining etching time is calculated from the obtained amount to be etched, and second isotropic etching is performed to the insulated layer 12f.例文帳に追加

さらに、得られたエッチング量から残りエッチング時間を算出し、絶縁層１２ｆに対して２回目の等方性エッチングを行う。 - 特許庁

The silicon nitride film 8 is then subjected to isotropic etching using the polyimide resin 9 as a mask and the silicon oxide film 7 is subjected to anisotropic etching.例文帳に追加

このポリイミド樹脂９をマスクとしてシリコン窒化膜８を等方性エッチングした後、さらにシリコン酸化膜７を異方性エッチングする。 - 特許庁

A damage layer 1a created on a front surface of the semiconductor substrate at the time of anisotropic etching is removed by the subsequent isotropic etching.例文帳に追加

また、異方性エッチングの際に生ずる半導体基板表面のダメージ層１ａは、その後の等方性エッチングにより除去される。 - 特許庁

The step of forming the nozzle part is performed according to a combination of isotropic etching and anisotropic etching.例文帳に追加

一方、ノズル部を形成する段階は等方性エッチング及び異方性エッチングの方法を組み合わせて実施することを特徴とする。 - 特許庁

The second light shielding layer 22 is subjected to over-etching by isotropic etching using an etchant having an etching rate to the second light shielding layer 22 greater than the etching rate to the first light shielding layer 21 using the resist mask.例文帳に追加

該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１へのエッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。 - 特許庁

The sloped sides of the formed horn are subjected to isotropic etching for rounding the boundary between planes.例文帳に追加

形成されたホーンの傾斜側面を等方性エッチングして面と面との境界に丸みを持たせる。 - 特許庁

In the case of an isotropic etching process, meanwhile, mixed gas including at least oxygen gas is introduced.例文帳に追加

一方、等方性エッチング処理を行う場合、少なくとも酸素ガスを含む混合ガスを導入する。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film is etched isotropically and selectively by isotropic etching method.例文帳に追加

この後、等方的ドライエッチングを用い、シリコン窒化膜６に対して等方的かつ選択的にエッチングを行う。 - 特許庁

Isotropic etching is then performed at the recess formed by anisotropic etching to round a corner 60b defined by the side surface and the footprint of the recess 58b.例文帳に追加

異方性エッチングにより形成された凹部に等方性エッチングを施し、凹部５８ｂの側面と底面とに挟まれるコーナー６０ｂを丸める。 - 特許庁

This piezo-resistance device can be formed by using isotropic etching, anisotropic chemical etching, and an insulation material growth.例文帳に追加

本発明によるデバイスは、等方性ウェットエッチングや、異方性化学的エッチングや、絶縁体材料成長プロセスを使用して、形成することができる。 - 特許庁

The supporting sections 20 and void sections 21 are formed by etching the substrate 1 through an etching process in which at least one isotropic etching step is performed prior to at least one anisotropic etching step.例文帳に追加

尚、支持部２０及び空隙部２１は少なくとも一回の等方性エッチング工程が少なくとも一回の異方性エッチング工程に先行してなるエッチング工程による基板１のエッチングによって作製される。 - 特許庁

The interlayer insulating film 106 is removed, until its thickness becomes 10-50% of its original thickness through anisotropic dry etching, and the remaining portion of the film 106 is removed by isotropic wet etching.例文帳に追加

異方性のドライエッチングで層間絶縁膜１０６の膜厚の５０〜９０％まで除去し、残りを等方性のウェットエッチングで除去する。 - 特許庁

Since dry etching of isotropic etching is adopted to remove the outer periphery of the layer 10A, the outer peripheral edge surface of the layer 10 becomes smooth.例文帳に追加

また、この活性層１０Ａの外周部の除去に等方性エッチングのドライエッチングを採用したので、活性層１０Ａの外周縁面がなめらかになる。 - 特許庁

The silicon nitride film 20 is then processed to the lens shape by subjecting the silicon nitride film to isotropic etching under such etching conditions under which the etching rates of a plasma nitride film 20 of a base and the resist patterns 21 are equaled (c).例文帳に追加

次に、下地のプラズマナイトライド膜２０とレジストパターン２１とのエッチング速度が等しくなるようなエッチング条件にて等方性エッチングを行い、シリコンナイトライド膜２０をレンズ形状に加工する（ｃ）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a vibration sensor which can form a through hole whose expansion on the back side is small in substrate etching from the back side by a combination of crystal anisotropic etching and isotropic etching.例文帳に追加

結晶異方性エッチングと等方性エッチングの組み合わにより、裏面側からの基板エッチングで裏面側での広がりの小さな貫通孔を形成できる振動センサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To easily form a channel having a small lateral width and a large vertical width by utilizing isotropic etching in a channel structure.例文帳に追加

流路構造体において、横幅が小さく縦幅が大きい流路を、等方性エッチングを利用して容易に形成する。 - 特許庁