MOS model parameterとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for extracting a statistical model parameter for quickly and precisely extracting the model parameter of a BSIM 3 from the measured data of the saturation currents and threshold of an MOS.例文帳に追加

ＭＯＳの飽和電流としきい値の測定データから、高速にかつ精度よくＢＳＩＭ３のモデルパラメータを抽出するための統計モデルパラメータ抽出方法を提供する。 - 特許庁

A parameter Age showing an accumulated stress amount with respect to the MOS transistor is reliability-simulated by a simulation model formula of hot carrier deterioration, which has the feature of Age ∝∫[I_p^m.I_d^2-m]dt.例文帳に追加

また、tを時間として、MOSトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[I_p^m・I_d^2-m]dtの特徴を持ったホットキャリア劣化のシミュレーションモデル式により、信頼性シミュレーションを行う。 - 特許庁

A hot carrier life is estimated by a hot carrier life model having a feature of τ∝I_p^-m.I_d^m-2 by setting τ as the life, I_p as light quantity of light emission of the MOS transistor, I_d as a drain current and (m) as a fitting parameter.例文帳に追加

τを寿命、I_pをMOSトランジスタの発光の光量強度、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ∝ I_p^-m・I_d^m-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁

If the life time of the hot carrier of an MOS transistor are respectively represented by τ, its substrate current by Isub, its drain current by Id, and a fitting parameter by m, the life time of its hot carriers is estimated, based on the life time model with equation τ∝Isub-m.Idm-2.例文帳に追加

τを寿命、I_subを基板電流、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ ∝ I_sub^-m・I_d^m-2 の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ＭＯＳトランジスタのホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁

A diffused layer dependency parameter correcting means 4 creates the diffused layer length dependent approximate formula of parameters from a transistor model 2 of an MOS transistor and the data of diffused layer length dependency parameters extracted from various diffused layer length transistors, and calculates the correction value of a parameter to be replaced with the value of the original parameter by using the created approximate formula.例文帳に追加

拡散層依存パラメータ補正手段４は、ＭＯＳトランジスタのトランジスタモデル２および種々の拡散層長のトランジスタから抽出した拡散層長依存パラメータのデータからこれらのパラメータの拡散層長依存性の近似式を作成し、作成した近似式を用いて元のパラメータの値と置き換えるパラメータの補正値を計算する。 - 特許庁

The characteristic constants of a ferroelectric as a double saturation function model are obtained, and the simulation data of a ferroelectric FET are obtained using these characteristic constants, and the MOS SPICE parameter of a FET which forms a ferroelectric FET together with the ferroelectric.例文帳に追加

強誘電体を２重飽和関数モデルとして求めたその特性定数と、この強誘電体とともに強誘電体ＦＥＴを構成するＦＥＴのＭＯＳスパイスパラメータとを用い、強誘電体ＦＥＴのシミュレートデータを得る。 - 特許庁