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MOS memoryとは 意味・読み方・使い方

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「MOS memory」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 201



例文

MOS SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

MOS型半導体メモリ装置 - 特許庁

Leakage current of a MOS transistor in a memory cell is reduced by controlling the potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

The potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC is controlled so as to reduce the leakage current of MOS transistors in a memory cell.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

The leak current of a MOS transistor in a memory cell is reduced by controlling the potential of a source line ssl of a driving MOS transistor within a SRAM memory cell MC.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

MEMORY REPAIR CIRCUIT UTILIZING ANTI-FUSE HAVING MOS STRUCTURE例文帳に追加

MOS構造のアンチヒューズを利用したメモリリペア回路 - 特許庁

METHOD OF FORMING MULTI-LEVEL CELLS IN MEMORY ARRAY AND MOS MEMORY CELL例文帳に追加

メモリアレイにおけるマルチレベルのセルを形成する方法及びMOSメモリセル - 特許庁

例文

HIGHLY INTEGRATED MEMORY CIRCUIT BY DOUBLE GATE MOS TRANSISTOR STRUCTURE例文帳に追加

ダブルゲートMOSトランジスタ構造による高集積メモリ回路 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「MOS memory」の意味

MOS memory


「MOS memory」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 201



例文

MOS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MOS型半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

A memory cell is composed of a TMR element and a MOS transistor.例文帳に追加

メモリセルは、TMR素子とMOSトランジスタから構成される。 - 特許庁

The memory cell MC includes P channel MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistors (TRs) 1 to 3.例文帳に追加

メモリセルMCは、PチャネルMOSトランジスタ1〜3を含む。 - 特許庁

This nonvolatile memory cell is provided with a first MOS transistor 10, and a second MOS transistor 20.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリセルは、第1MOSトランジスタ10と、第2MOSトランジスタ20とを備える。 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MEMORY CELL例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ及びその製造方法並びにメモリセル - 特許庁

To provide a flash memory and a DRAM hybrid circuit in a MOS integrated circuit.例文帳に追加

MOS型集積回路において、フラッシュメモリとDRAM混載回路の提供 - 特許庁

To provide a recess gate type MOS transistor structure suitable for a high integration semiconductor memory, and to provide its forming process.例文帳に追加

高集積半導体メモリに適合したリセスゲートタイプのMOSトランジスタ構造及びその形成方法を提供するにある。 - 特許庁

例文

Each memory cell contained in repeating units contains a first conductive channel MOS.例文帳に追加

繰返単位に含まれるメモリセルの各々が、第1導電チャネルMOSを含む。 - 特許庁

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