MOS modelとは 意味・読み方・使い方

A parameter Age showing an accumulated stress amount with respect to the MOS transistor is reliability-simulated by a simulation model formula of hot carrier deterioration, which has the feature of Age ∝∫[I_p^m.I_d^2-m]dt.例文帳に追加

また、tを時間として、MOSトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[I_p^m・I_d^2-m]dtの特徴を持ったホットキャリア劣化のシミュレーションモデル式により、信頼性シミュレーションを行う。 - 特許庁

This MOS transistor model is a BISM3 model, wherein a resistor 10 having an invariant resistance value is connected to an MOS transistor model MT at the drain side thereof, to whose resistor 10 a variable resistor 20 having a resistance value which changes depending on the gate potential VG and the drain potential VD is further connected in series.例文帳に追加

このＭＯＳトランジスタモデルは、ドレイン側に、不変抵抗値を有する抵抗１０がＭＯＳトランジスタモデルＭＴに接続されたＢＩＳＭ３モデルに、さらにゲート電位ＶＧ及びドレイン電位ＶＤに依存して抵抗値が変化する可変抵抗２０を抵抗１０に直列に接続したものである。 - 特許庁

To provide a method for extracting a statistical model parameter for quickly and precisely extracting the model parameter of a BSIM 3 from the measured data of the saturation currents and threshold of an MOS.例文帳に追加

ＭＯＳの飽和電流としきい値の測定データから、高速にかつ精度よくＢＳＩＭ３のモデルパラメータを抽出するための統計モデルパラメータ抽出方法を提供する。 - 特許庁

A hot carrier life is estimated by a hot carrier life model having a feature of τ∝I_p^-m.I_d^m-2 by setting τ as the life, I_p as light quantity of light emission of the MOS transistor, I_d as a drain current and (m) as a fitting parameter.例文帳に追加

τを寿命、I_pをMOSトランジスタの発光の光量強度、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ∝ I_p^-m・I_d^m-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁

At first, a model formula of stress is obtained in the longitudinal direction of the channel of an MOS transistor having parameters of the length and width of an active region and in the lateral direction perpendicular thereto.例文帳に追加

まず、活性領域の長さと幅をパラメータとするＭＯＳトランジスタのチャネル長方向およびそれに垂直な横方向の応力のモデル式を得る。 - 特許庁

To provide a circuit simulation device and a model creation method capable of quickly and easily creating the models of MOS transistors whose diffused layer length is different.例文帳に追加

拡散層長が異なるＭＯＳトランジスタのモデルを短時間に容易に作成できる回路シミュレーション装置およびモデル作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of preparing data for designing electronic circuits which is capable of collecting data for designing which can accurately express a 1/f noise model of an MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの１／ｆ雑音のモデルを的確に表現できる設計用データを収集できるようにした電子回路設計用データの作成方法の提供など。 - 特許庁

A voltage region applied to the gate electrode of a MOS transistor is divided into a plurality of voltage sub-regions, simulations of a MOS transistor model are run in each voltage sub-region, the measured characteristics of a MOS transistor in each gate voltage sub-region are combined with characteristics obtained through simulations, and then parameters of a MOS transistor are extracted.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極に印加される電圧領域を複数の電圧領域に分割し、前記分割されたそれぞれの電圧領域毎に、ＭＯＳ型トランジスタモデルを用いてシミュレーションを行い、前記それぞれのゲート電圧領域のＭＯＳ型トランジスタ実測特性に、前記シミュレーションによる特性を合わせ込んだ後、前記ＭＯＳ型トランジスタのパラメータを抽出するようにしたものである。 - 特許庁