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MOS numberとは 意味・読み方・使い方
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「MOS number」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 74件
MANUFACTURING PROCESS OF MOS GATE DEVICE WITH REDUCED NUMBER OF MASKS例文帳に追加
マスク数を低減したMOSゲートデバイスの製造プロセス - 特許庁
A defect in an MOS interface, the number of crystal grain boundaries and defects in the crystal grain boundaries in the critical path are reduced.例文帳に追加
クリティカルパス中のMOS界面欠陥・結晶粒界数・結晶粒界欠陥が低減されている。 - 特許庁
To reduce the number of manufacturing processes of a semiconductor device having a MOS structure.例文帳に追加
MOS構造の半導体装置の製造工程を削減する。 - 特許庁
To improve operation efficiency in an MOS power transistor of a constitution, wherein a large number of MOS transistors are aligned densely.例文帳に追加
多数のMOSトランジスタが密に並んでいる構成のMOSパワートランジスタにおいて、動作効率の改善を図ることを目的とする。 - 特許庁
If one of MOS transistors 1-4 is in overheated state (S2: 'YES'), an MOS corresponding to a preset load number N is turned off (S4), and the load number N is set to N-1 (S5).例文帳に追加
MOS1〜4のいずれかが過熱状態になってれば(S2:YES)、セットされている負荷番号Nに対応するMOSをオフにさせ(S4)、負荷番号NをN−1にセットする(S5)。 - 特許庁
The semiconductor device 10 includes: an input circuit element 10a including the prescribed number of MOS transistor elements 2; and an output circuit element 10b including MOS transistor elements 2 whose number is different from the number of MOS transistor elements 2 included in the input circuit element 10a.例文帳に追加
この半導体装置10は、所定数のMOSトランジスタ素子2を含む入力側回路素子10aと、入力側回路素子10aに含まれるMOSトランジスタ素子2の数とは異なる数のMOSトランジスタ素子2を含む出力側回路素子10bとを備えている。 - 特許庁
The number of freewheeling diode D1 does not exceeds the number of parasitic diodes D11 and D12 included in the MOS transistors Q11 and Q12.例文帳に追加
環流ダイオードD1の数はMOSトランジスタQ11,Q12が有する寄生ダイオードD11,D12の数を超えない。 - 特許庁
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「MOS number」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 74件
The server collects a first subjective evaluation value of a total evaluation sample number obtained by multiplying an evaluator identifier number by an evaluation sample number per evaluator as the first time, and leads an average value MOS of the first subjective evaluation value.例文帳に追加
サーバが、1回目として、評価者識別子数と、評価者当たりの評価サンプル数との乗算による総評価サンプル数の第1の主観評価値を収集し、第1の主観評価値の平均値MOSを導出する。 - 特許庁
Clocked inverter circuits X1 to X4 are provided which are mutually different in the number of cascade connection stages of MOS transistors.例文帳に追加
MOSトランジスタの縦属接続段数が互いに異なるクロックドインバータ回路X1〜X4を設ける。 - 特許庁
To improve drain breakdown voltage characteristics of a high breakdown voltage MOS transistor, integrated with another CMOS element and formed on a semiconductor substrate, while suppressing the number of processes for manufacturing the high breakdown voltage MOS transistor.例文帳に追加
半導体基板上に他のCMOS素子と集積して形成される高耐圧MOSトランジスタの、工程数を抑制しながら、ドレイン耐圧特性を向上させる。 - 特許庁
Since a halftone mask is employed, alignment is not required at the joint of the P-MOS part 25 and the N-MOS part 26 and high integration can be realized by decreasing the number of photolithographic steps.例文帳に追加
ハーフトーンマスクを用いることにより、P−MOS部25とN−MOS部26の結合部分に位置合わせが不要となり、ホト工程数を少なく高集積化できる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a MOS device and a CMOS device having small number of times of photoelectric alignments and small number of ion implanting steps.例文帳に追加
フォトアライメント回数およびイオン注入工程数の少ない、MOSデバイスおよびCMOSデバイスを製造する方法を提供すること。 - 特許庁
A pseudo-random number generation circuit 12 generates random number data for determining the frequency of the switching signal of MOS transistors M1 and M2 randomly.例文帳に追加
擬似乱数発生回路12は、MOSトランジスタM1、M2のスイッチング信号の周波数をランダムに決定するための乱数データを生成する。 - 特許庁
To reduce the number of processes where a MOS transistor and a resistive element are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加
MOSトランジスタと抵抗素子とを同一半導体基板上に形成する際に工程数を削減する。 - 特許庁
To decrease the number of processes where a MOS transistor and a capacitive element are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加
MOSトランジスタと容量素子とを同一半導体基板上に形成する際に工程数を削減する。 - 特許庁
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