Mg-dopedとは 意味・読み方・使い方

After a cooling process is carried out, a wafer is annealed at a relatively low temperature (e.g. below 625°C), and all hydrogen is eliminated from an Mg-doped layer.例文帳に追加

冷却プロセスの後、ウェーハは相対的に低い温度（例えば、６２５℃より下）でアニールされ、Ｍｇドープ層からほぼ全ての水素を除去する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element capable of preventing diffusion of Mg doped in a barrier layer.例文帳に追加

障壁層にドーピングされたＭｇの拡散を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

On the GaN buffer layer 11, a second single crystal GaN buffer layer 12 of Mg-doped is formed by an MOCVD method.例文帳に追加

このＧａＮバッファ層１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、Ｍｇドープの第２の単結晶ＧａＮバッファ層１２を形成する。 - 特許庁

A p-type nitride semiconductor layer composed of Mg-doped GaN is grown at a substrate temperature of approximately 1,050°C.例文帳に追加

基板温度を約１０５０℃にして、ＭｇがドープされたＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層を成長させる。 - 特許庁

The ZnO-based semiconductor layer is doped with Mg in a concentration range of 1×10^17 to 2×10^20 cm^-3.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体層に、１×１０^１７ｃｍ^−３〜２×１０^２０ｃｍ^−３の範囲の濃度でＭｇをドープする。 - 特許庁

A p-type cladding layer 6 with the film thickness of about 50 nm made of an Mg doped p-type Al_0.15Ga_0.85N is formed on this active layer 5.例文帳に追加

この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。 - 特許庁

A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

The electron blocking layer 13 has a thickness of 2 to 8 nm and is formed of Mg-doped AlGaN having an Al compositional proportion of 20 to 30%.例文帳に追加

電子ブロック層１３は、厚さ２〜８ｎｍ、Ａｌ組成比２０〜３０％のＭｇドープＡｌＧａＮからなる。 - 特許庁