「Mg-doped」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The phosphor consists of a metal oxide solid solution having a structure wherein BaLaAlO_4:Ce^3+ is doped with Mg.例文帳に追加

本発明に係る蛍光体は、ＢａＬａＡｌＯ_４：Ｃｅ^３＋にＭｇがドープされた構造を有する金属酸化物固溶体から成る。 - 特許庁

In this state, the temperature of the Si substrate 2 is kept at about 1000°C, and Mg is doped into the Si substrate 2.例文帳に追加

この状態で、Ｓｉ基板２の温度を約１０００℃に保持して、Ｓｉ基板２にマグネシウムをドープする。 - 特許庁

After a cooling process is carried out, a wafer is annealed at a relatively low temperature (e.g. below 625°C), and all hydrogen is eliminated from an Mg-doped layer.例文帳に追加

冷却プロセスの後、ウェーハは相対的に低い温度（例えば、６２５℃より下）でアニールされ、Ｍｇドープ層からほぼ全ての水素を除去する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element capable of preventing diffusion of Mg doped in a barrier layer.例文帳に追加

障壁層にドーピングされたＭｇの拡散を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

On the GaN buffer layer 11, a second single crystal GaN buffer layer 12 of Mg-doped is formed by an MOCVD method.例文帳に追加

このＧａＮバッファ層１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、Ｍｇドープの第２の単結晶ＧａＮバッファ層１２を形成する。 - 特許庁

A p-type nitride semiconductor layer composed of Mg-doped GaN is grown at a substrate temperature of approximately 1,050°C.例文帳に追加

基板温度を約１０５０℃にして、ＭｇがドープされたＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層を成長させる。 - 特許庁

The ZnO-based semiconductor layer is doped with Mg in a concentration range of 1×10^17 to 2×10^20 cm^-3.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体層に、１×１０^１７ｃｍ^−３〜２×１０^２０ｃｍ^−３の範囲の濃度でＭｇをドープする。 - 特許庁

A p-type cladding layer 6 with the film thickness of about 50 nm made of an Mg doped p-type Al_0.15Ga_0.85N is formed on this active layer 5.例文帳に追加

この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。 - 特許庁

A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

The electron blocking layer 13 has a thickness of 2 to 8 nm and is formed of Mg-doped AlGaN having an Al compositional proportion of 20 to 30%.例文帳に追加

電子ブロック層１３は、厚さ２〜８ｎｍ、Ａｌ組成比２０〜３０％のＭｇドープＡｌＧａＮからなる。 - 特許庁

A GaN layer or an AlxInyGa1-x-yN layer (0≤x≤1, 0≤y≤1) which are doped with Mg, Zn and Cd can be used for the interface layer 16.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｚｎ、ＣｄがドープされたＧａＮまたはＡｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を、この層に使用することができる。 - 特許庁

Mg is doped in the second GaN layer 18 and the second GaN layer 18 functions as an active layer.例文帳に追加

第２のＧａＮ層１８にはＭｇがドープされており、第２のＧａＮ層１８は活性層として機能する。 - 特許庁

The optical recording medium 10 is constituted of a sapphire substrate 11, a non-doped GaN layer 12 and a GaN:Mg layer 13.例文帳に追加

光記録媒体１０は、サファイア基板１１、ノンドープＧａＮ層１２、およびＧａＮ：Ｍｇ層１３によって構成される。 - 特許庁

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire.例文帳に追加

まず、サファイアよりなる基板１１上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１３、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層１４、ＩｎＧａＮよりなる活性層１５、ＡｌＧａＮよりなる第１のＭｇドープ層１６Ａ及びＧａＮよりなる第２のＭｇドープ層１７Ａを順次成長させる。 - 特許庁

Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.例文帳に追加

第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

A p-type InP clad layer 4 with Mg doped, an InGaAsP light confinement layer 5, an InGaAsP MQW active layer 6, an n-type InGaAsP light confinement layer 7, and an n-type InP clad layer 8, are sequentially stacked thereon.例文帳に追加

その上に、Mgをドープしたｐ型InPクラッド層４、InGaAsP光閉込層５、InGaAsP MQW活性層６、ｎ型InGaAsP光閉込層７、ｎ型InPクラッド層８を順次積層した構造とする。 - 特許庁

The acceptor-doped Mg_YZnO (0≤Y<1) layer 6 includes at least one acceptor element, and the undoped Mg_XZn_1-XO (0<X<1) layer 5 is formed in contact with the layer.例文帳に追加

アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。 - 特許庁

The element structure comprises a sapphire C face substrate 1, a GaN buffer layer 11 grown under a low temperature, an undoped GaN layer 12, an Si doped n-GaN contact layer 21, a multiple quantum well MQW emission layer 3 having a plurality of well layers, an Mg doped p-AlGaN clad layer 22, and an Mg doped p-GaN contact layer 23.例文帳に追加

素子構造は、サファイアＣ面基板１、低温成長されたＧａＮバッファ層１１、無添加のＧａＮ層１２、Ｓｉ添加のｎ-ＧａＮコンタクト層２１、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層３、Ｍｇ添加のｐ-ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｍｇ添加のｐ-ＧａＮコンタクト層２３からなる。 - 特許庁

The p type cladding layer 20 has a first part 2 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows; a second part 3 consisting of an AlGaInP layer doped with Zn with low concentration when it grows; and a third part 4 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows from the side of the active layer 1.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２０が、活性層１側から、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第一部分２と、成長時にＺｎが低濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第二部分３と、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第三部分４とを有する構造とする。 - 特許庁

As a result, Mg atoms as acceptors doped in the first and second Mg-doped layers 16A and 17A are activated so that the P type cladding layer 16B and P type contact layer 17B can be obtained having a low resistance and a good crystallization respectively.例文帳に追加

その結果、第１のＭｇドープ層１６Ａ及び第２のＭｇドープ層１７ＡにドープされたアクセプタとなるＭｇが活性化することにより、第１のＭｇドープ層１６Ａ及び第２のＭｇドープ層１７Ａから、それぞれ、低抵抗で且つ結晶性に優れるｐ型クラッド層１６Ｂ及びｐ型コンタクト層１７Ｂを得ることができる。 - 特許庁

The first Al_X1Ga_1-X1N semiconductor layer 5 is doped with a p-type dopant, such as magnesium (Mg), and is provided on the light emitting region 3.例文帳に追加

第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５は、例えばマグネシウム（Ｍｇ）といったｐ型ドーパントでドープされており、発光領域３上に設けられている。 - 特許庁

Ferrite fine powder supported by zirconia fine powder or ferrite fine powder doped with Mn, Co or Mg is used as the reaction medium.例文帳に追加

反応媒体として、ジルコニア微粉によって担持されたフェライト微粉、あるいは、Ｍｎ、ＣｏまたはＭｇによってドープされたフェライト微粉を反応媒体として使用する。 - 特許庁

To obtain an AlGaInP-based laser diode and a compound semiconductor wafer of a structure where a p type cladding layer is doped with Mg with high concentration and thereafter preventing an active layer from being deteriorated due to spreading of a dopant.例文帳に追加

ｐ型クラッド層に高濃度にＭｇをドーピングした上で、そのドーパントの拡散による活性層の劣化を防いた構造のＡｌＧａＩｎＰ系レーザダイオード及び化合物半導体ウェハを得ることを可能にする。 - 特許庁

The p-type GaN layer 12 is doped with p-type impurities, i.e., Mg (magnesium) and O (oxygen), by about 1×10^20 cm^-3 and 3×10^19 cm^-3, respectively.例文帳に追加

ここで、ｐ型ＧａＮ層１２は、ｐ型不純物のＭｇ（マグネシウム）とＯ（酸素）が、それぞれ、Ｍｇは１×１０^20ｃｍ^-3程度、Ｏ（酸素）は３×１０^19ｃｍ^-3程度ドーピングされている。 - 特許庁

Using a UV curing resin 3, an Mg-doped LiNbO_3 optical substrate 1 is laminated between the pair of stopper potions 6 to the left and right of the surface of the substrate 2.例文帳に追加

紫外線硬化剤３を用いて、基板２の表面の左右一対のストッパー部６の間にＭｇドープＬｉＮｂＯ_3 光学基板１を貼り付ける。 - 特許庁

A superlattice sub-collector 108 where Mg doped Al_0.6Ga_0.4N130 with thickness of 5 nm and GaN150 with thickness of 5 nm are alternately laminated is grown by 0.5 μm.例文帳に追加

その後、５ｎｍ厚のＭｇドープＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ｎ１３０と５ｎｍ厚のＧａＮ１５０とを交互に積層した超格子サブコレクタ１０８を０．５μｍ成長する。 - 特許庁

The bonded polarity inverted layer 102 is a layer to prevent propagation of dislocations D_1, D_2,..., D_8 from below, and the GaN layer 102 that is doped with magnesium (Mg) until getting high concentration equal to the solid solubility or more.例文帳に追加

ボンド極性反転層１０２は、その下からの転位Ｄ_1，Ｄ_2，・・・・・，Ｄ_8の伝播を阻止するための層で、固溶度と同程度若しくは固溶度以上の高濃度にマグネシウム（Ｍｇ）をドープしたＧａＮ層１０２である。 - 特許庁

A first Mg-doped GaN buffer layer 11 is formed as a highly dense layer of growth nucleus of truncated six-sided pyramid crystals having a density of about 10^6/cm^2, on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に、Ｍｇドープの第１のＧａＮバッファ層１１を、１０^6／ｃｍ^2程度の密度を持つ六角錘台形晶の成長核の密集層として形成する。 - 特許庁

A p-GaN layer 13 doped with Mg highly densely is selectively grown using the SiO_2 film 12 as a mask by an MOCVD method (Fig. 1b), and then, the SiO_2 film 12 is removed (Fig. 1c).例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜１２をマスクとして、高濃度にＭｇがドープされたｐ−ＧａＮ層１３をＭＯＣＶＤ法によって選択成長させ（図１ｂ）、そのあとＳｉＯ_2 膜１２を除去する（図１ｃ）。 - 特許庁

A first layer 11, consisting of AlGaN mixed crystal with a thickness of about 1 to 100 nm, and a second layer 12, consisting of p-type GaN doped with Mg to a thickness of about 1 to 100 nm are alternately laminated in a plurality of laminations, respectively.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ混晶よりなる厚さ１〜１００ｎｍ程度の第１の層１１と、Ｍｇが添加されたｐ型ＧａＮよりなる厚さ１〜１００ｎｍ程度の第２の層１２とを交互にそれぞれ複数積層する。 - 特許庁

First layers 11 of about 1 to 100 nm in thickness formed of AlGaN mixed crystal each and second layers 12 of about 1 to 100 nm in thickness formed of Mg doped p-type GaN each are stacked alternately to stack a plurality of layers.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ混晶よりなる厚さ１〜１００ｎｍ程度の第１の層１１と、Ｍｇが添加されたｐ型ＧａＮよりなる厚さ１〜１００ｎｍ程度の第２の層１２とを交互にそれぞれ複数積層する。 - 特許庁

Further, the p-type contact layer 7 with the film thickness of about 200 nm made of an Mg doped p-type In_0.03Ga_0.97N is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

The transparent dispersion liquid of alkaline earth metal oxide-doped zirconia nanoparticles is prepared by dispersing alkaline earth metal oxide-doped zirconia nanoparticles in a dispersion medium, the nanoparticles prepared by incorporating an alkaline earth metal oxide containing at least one kind of element selected from a group consisting of Mg, Ca, Sr and Ba, as a solid solution into zirconia, and having a dispersion particle diameter of 1 nm or more and 20 nm or less.例文帳に追加

本発明のアルカリ土類金属酸化物ドープジルコニアナノ粒子透明分散液は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの群から選択される１種または２種以上の元素を含むアルカリ土類金属酸化物をジルコニアに固溶してなる分散粒径が１ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下のアルカリ土類金属酸化物ドープジルコニアナノ粒子を、分散媒中に分散した。 - 特許庁

In short, GaN doped with n-type impurity such as Si, and GaN doped with p-type impurity such as InGaN and Mg, are sequentially epitaxial-grown on the recess 1a to form an n-type clad layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 for a high efficient and high output light emission region 2a.例文帳に追加

すなわち、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｍｇ等のｐ型不純物がドープされたＧａＮを凹陥部１ａ上に順次エピタキシャル成長させ、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を形成し、高効率かつ高出力な発光領域２ａを得る。 - 特許庁

An underlying layer 15 of GaN doped with 1020/cm3 or more of Mg having hexagonal prisms is formed on a substrate 11 and III nitride compound semiconductor layers having element function are formed sequentially thereon.例文帳に追加

基板１１の上には六角錐台形の凸部を有するＭｇが１０^２０／ｃｍ^３以上ドープされたＧａＮからなる下地層１５が形成され、この下地層の上に素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層が順次積層されている。 - 特許庁

This GaN semiconductor laser element 10 comprises a laminated structure of an n-type GaN layer 14, an n-type AlGaN clad layer 16, an active layer 20, an Mg-doped p-type GaN optical waveguide layer 22, a p-type AlGaN clad layer 24, and a p-type GaN contact layer 26 on an n-type GN substrate 12.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。 - 特許庁

To provide a method capable of inexpensively manufacturing a Mg-doped p-type gallium nitride semiconductor which is excellent in crystal quality and low in resistance, without giving an after treatment, such as electron beam irradiation, annealing, etc, after the growth of crystals, and preventing a yield reduction of elements due to the after treatment.例文帳に追加

結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なＭｇドープのｐ型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。 - 特許庁

The device has a feature of having a Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) film electrode doped with Ga or B in the device.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、ｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層とで挟まれたＧａＮ系半導体からなる発光層を含む半導体発光素子であって、Ｇａ又はＢがドープされたＭｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）電極膜を備える半導体発光素子である。 - 特許庁

The method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor element having a p-type gallium nitride semiconductor layer doped with Mg comprises irradiating the surface of the p-type gallium nitride semiconductor layer with ultrasonic waves in at least one treating liquid among strong acids and strong alkalis to pretreat the surface of the layer before resist coating for p-type patterning.例文帳に追加

マグネシウムがドープされたｐ型窒化ガリウム系半導体層を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法において、ｐ型パターニングのためのレジスト塗布の前に、強酸及び強アルカリの少なくとも１つの処理液中で超音波を照射しながらｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を前処理する。 - 特許庁

Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加

本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁

Since there is provided an Mg-doped GaN layer 140 at the interface portion between a p-type GaN layer 104B adjacent to an InGaN layer 104A that is a light emitting layer and the InGaN layer 104A as suppression of the piezoelectric field of a GaN-based semiconductor layer, the piezoelectric field causing the inclination of a band is eliminated to improve an optical response speed.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層のピエゾ電界を抑えるものとして、発光層であるＩｎＧａＮ層１０４Ａに隣接するｐ型ＧａＮ層１０４Ｂの、ＩｎＧａＮ層１０４Ａとの界面部分にＭｇドープのＧａＮ層１４０を設けたので、バンドの傾斜をもたらすピエゾ電界が打ち消されて光応答速度を向上させることができる。 - 特許庁

In this heterojunction bipolar transistor, where a base layer constituted of an Mg-doped p-type INGaN is made between an emitter layer and a collector layer, In composition of that base layer is changed, according to the distance from that emitter layer to that base layer, and the depth of the acceptor level within that base layer is changed together with a band gap.例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型ＩｎＧａＮで構成されるベース層をエミッタ層とコレクタ層とで挟んで形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、該ベース層のＩｎ組成を該エミッタ層から該ベース層に至る間の距離に応じて変化させて、該ベース層中のアクセプタ準位の深さをバンドギャップと共に変化させたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

Related to a nitride semiconductor device comprising a nitride luminous element layer 9 on a GaN substrate 1, the GaN substrate 1 is doped with Mg, whose doping amount is 1×1017-1×1020 cm-3, with the thickness of the GaN substrate 1 being 100 μm or larger.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上に窒化物系の発光素子層９を有する窒化物系半導体素子において、ＧａＮ基板１はＭｇがドーピングされており、そのドーピング量が１×１０^17ｃｍ^-3以上、１×１０^20ｃｍ^-3以下の範囲であり、且つ前記ＧａＮ基板１の厚みが１００μｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The side emission semiconductor element comprises an AlGaN layer of which Mg is doped down to 5×10^19 cm^-3 or less in concentration, a stripe ridge formed at the upper part of the lamination structure including the AlGaN layer and an active layer, and a Schottky barrier formed on the upper surface of the lamination structure other than the ridge where the AlGaN layer is exposed.例文帳に追加

本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０^19ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 - 特許庁