Negative Photomaskとは 意味・読み方・使い方

To provide a photomask with which a negative resist can be formed into a desired pattern even when a mask pattern has a corner part.例文帳に追加

マスクパターンに角部があっても、所望の形状にネガレジストを形成することができるフォトマスクを提供すること。 - 特許庁

Light is applied to a negative photoresist film formed on the entire surface of a silicon substrate using a photomask 3 shown in Figure.例文帳に追加

シリコン基板の全面に形成されたネガ型フォトレジスト膜に対する光照射を図１に示すフォトマスク３を使用して行う。 - 特許庁

A negative photoresist 3 to transfer a photomask 4 to a semiconductor disk 1 contains an insoluble material which is made soluble by exposure.例文帳に追加

半導体ディスク１にフォトマスク４を転写するためのネガ型フォトレジスト３は、露光によって可溶性となる不溶性の材料を含む。 - 特許庁

To provide a photomask for a negative resist with which a pattern can be reliably formed in a boundary part between two successive exposure regions when patterns are continuously formed by repeating exposure through a photomask.例文帳に追加

フォトマスクを介して露光を繰り返し行うことに基づいて連続的にパターンを形成する際に、前後の露光領域の境界部に信頼性よくパターンを形成することができるネガレジスト用のフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a photomask for negative exposure which permits production of a photocuring type pattern without peeling the pattern, and a photocuring type pattern produced using the same.例文帳に追加

パターンの剥離なく光硬化型パターンを作製可能なネガ露光用フォトマスク、及びこれを用い作製した光硬化型パターンを提供する。 - 特許庁

A negative type photoresist film is formed on the entire surface of the silicon substrate, and the photomask is arranged on the negative type photoresist film so that the straight end of the light-shielding section matches the line L1.例文帳に追加

このシリコン基板の全面にネガ型フォトレジスト膜を形成し、その上に、フォトマスクを遮光部の直線状の端部がシリコン基板のラインＬ１に合うように配置して光照射を行う。 - 特許庁

As for the image forming method of exposing and developing a base having a 1st negative photosensitive resin layer and a 2nd negative photosensitive resin layer through a photomask, the photomask is provided with at least two kinds of light transmissive patterns, and also, the photosensitivity ratio (1st/2nd) of the 1st negative photosensitive resin layer to the 2nd negative photosensitive resin layer is >1.例文帳に追加

第１のネガ型感光性樹脂層及び第２のネガ型感光性樹脂層が設けられた基体に、フォトマスクを介して露光、現像する画像形成方法において、前記フォトマスクが少なくとも２種類の光透過性パターンを有するものであり、且つ前記第１のネガ型感光性樹脂層と第２のネガ型感光性樹脂層との光感度比（第１／第２）が１より大きいことを特徴とする画像の形成方法である。 - 特許庁

A photosetting resin 16 is applied to one surface of a chip substrate 15 and a negative photomask 17 consisting of shading parts 17a and notch parts 17b is formed thereon.例文帳に追加

チップ基板１５の上一面に光硬化性樹脂１６を塗布した上に遮光部１７ａと切り欠き部１７ｂからなるネガのフォトマスク１７を形成する。 - 特許庁