Negative Photomaskとは 意味・読み方・使い方

A negative photoresist 3 to transfer a photomask 4 to a semiconductor disk 1 contains an insoluble material which is made soluble by exposure.例文帳に追加

半導体ディスク１にフォトマスク４を転写するためのネガ型フォトレジスト３は、露光によって可溶性となる不溶性の材料を含む。 - 特許庁

Light is applied to a negative photoresist film formed on the entire surface of a silicon substrate using a photomask 3 shown in Figure.例文帳に追加

シリコン基板の全面に形成されたネガ型フォトレジスト膜に対する光照射を図１に示すフォトマスク３を使用して行う。 - 特許庁

To provide a photomask with which a negative resist can be formed into a desired pattern even when a mask pattern has a corner part.例文帳に追加

マスクパターンに角部があっても、所望の形状にネガレジストを形成することができるフォトマスクを提供すること。 - 特許庁

To improve the pattern accuracy by suppressing lateral etching in a light shielding pattern caused during producing a negative photomask.例文帳に追加

ネガ型フォトマスク作製時に生じる遮光パターンのラテラルエッチングを抑制し、パターン精度を向上させる。 - 特許庁

As for the image forming method of exposing and developing a base having a 1st negative photosensitive resin layer and a 2nd negative photosensitive resin layer through a photomask, the photomask is provided with at least two kinds of light transmissive patterns, and also, the photosensitivity ratio (1st/2nd) of the 1st negative photosensitive resin layer to the 2nd negative photosensitive resin layer is >1.例文帳に追加

第１のネガ型感光性樹脂層及び第２のネガ型感光性樹脂層が設けられた基体に、フォトマスクを介して露光、現像する画像形成方法において、前記フォトマスクが少なくとも２種類の光透過性パターンを有するものであり、且つ前記第１のネガ型感光性樹脂層と第２のネガ型感光性樹脂層との光感度比（第１／第２）が１より大きいことを特徴とする画像の形成方法である。 - 特許庁

A negative type photoresist film is formed on the entire surface of the silicon substrate, and the photomask is arranged on the negative type photoresist film so that the straight end of the light-shielding section matches the line L1.例文帳に追加

このシリコン基板の全面にネガ型フォトレジスト膜を形成し、その上に、フォトマスクを遮光部の直線状の端部がシリコン基板のラインＬ１に合うように配置して光照射を行う。 - 特許庁

The pixel forming method includes steps of applying a coating film 2 of a negative photoresist on a substrate 1, exposing the film to light through a photomask and developing, wherein the photomask PM2 has a halftone portion 4 in a part on the photomask corresponding to a portion with a large film thickness in the film thickness distribution of a coating film specific to the coating device used.例文帳に追加

基板１上にネガ型フォトレジストの塗膜２を設け、フォトマスクを介した露光Ｌ、及び現像処理により画素を形成する画素形成方法において、フォトマスクＰＭ２が、用いた塗布装置に固有な塗膜の膜厚分布の内、膜厚の厚い部分に対応したフォトマスク上の部分にハーフートーン４部を有すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns.例文帳に追加

本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。 - 特許庁