O Alとは 意味・読み方・使い方

SOLAR CELL WHOSE STRUCTURE LAYER IS (Zn, Ga, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER, AND ZnO-Ga2O3-Al BASED SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE (Zn, Ga, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER例文帳に追加

（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３−Ａｌ系スパッタリングターゲット - 特許庁

O PHASE BASE Ti-Al-Nb ALLOY AND PRODUCING METHOD THEREFOR例文帳に追加

Ｏ相基Ｔｉ−Ａｌ−Ｎｂ系合金とその製造方法 - 特許庁

The Al oxide layer is directly connected to a transparent pixel electrode 3, [O]/[Al] being a ratio of O atomic number and Al atomic number in the Al oxide layer is 0.30 or less, and the thickness of the thinnest part of the Al oxide layer is 10 nm or less.例文帳に追加

Ａｌ酸化物層は透明画素電極３と直接接続しており、Ａｌ酸化物層中のＯ原子数とＡｌ原子数との比である［Ｏ］／［Ａｌ］が、０．３０以下であり、Ａｌ酸化物層の最も薄い部分の厚みが１０ｎｍ以下である。 - 特許庁

The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加

下部層３１はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層３３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

Alternatively, the content of O is controlled to 0.005 to 0.02%, Si to 0.05 to 0.3%, and Al to ≤0.008%, or, the content of O is controlled to ≤0.005%, and Al to 0.008 to 0.1%.例文帳に追加

さらに、Ｏ：０．００５〜０．０２％，Ｓｉ：０．０５〜０．３％，Ａｌ：０．００８％以下、あるいはＯ：０．００５％以下，Ａｌ：０．００８〜０．１％とする。 - 特許庁

The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加

下地高抵抗層２２はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層２３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

The low-temperature calcination porcelain is composed of Ba-Ti-Zn-O system, or of Ba-Nd-Ti-Bi-O system, or of Ba-Al-Si-O system.例文帳に追加

低温焼成磁器が、Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器である。 - 特許庁

The porcelain to be fired at a low temperature is Ba-Ti-Zn-O system, Ba-Nd-Ti- Bi-O system or Ba-Al-Si-O system porcelain.例文帳に追加

低温焼成磁器が、Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器である。 - 特許庁