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P faceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 P面
「P face」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1242件
A side face Pc of a substrate P has a vertical region 61 substantially vertical to a front face Pa of the substrate P.例文帳に追加
基板Pの側面Pcは、基板Pの表面Paとほぼ垂直な垂直領域61を有する。 - 特許庁
The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加
P型分離領域2は、P型不純物拡散層3の上面に達する底面を有している。 - 特許庁
The surface of the skin layer 2a forms a polishing face P.例文帳に追加
スキン層2aの表面が研磨面Pを形成している。 - 特許庁
P-type electrode materials are formed on the top face of the p-type contact layer 1.例文帳に追加
P型コンタクト層1の上面にP型電極材料が設けられている。 - 特許庁
A P+ layer 103 is formed in a position facing the outer circular part of the P+ layer 102 in a second face.例文帳に追加
また、第2の面におけるP^+層102の外環部と対向する位置にもP^+層103を形成する。 - 特許庁
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「P face」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1242件
A conveyance roller 2 comes into contact with an upper face of the paper P on the downstream side in the direction A of conveyance of the paper P.例文帳に追加
用紙Pの搬送方向Aの下流側の上面には搬送ローラ2が接している。 - 特許庁
In addition, since the upper face of the p-AlInAs clad layer 7 is directly covered with the p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the etching in forming the ridge can be stopped by the p-InGaAsP etch-stopper layer 8.例文帳に追加
加えて、p-AlInAsクラッド層7の直上に、p-InGaAsPエッチングストッパ層8を有するために、リッジ形成時のエッチングをp-InGaAsPエッチングストッパ層8で止めることができる。 - 特許庁
In this method, both of the three-phase voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source and the three-phase voltages Ua-g, Ub-g, and Uc-g of the power grid are detected, and the detected voltage is converted into the two components Ud-com and Uq-com on a d-q face.例文帳に追加
本発明の方法は、補助電源の三相電圧Ua_p,Ub_p及びUc_pとパワー・グリッドの三相電圧Ua_g,Ub_g及びUc_gの両方を検出し、検出された電圧をd-q面上の2成分Ud_com及びUq_comに変換する。 - 特許庁
On the top face of the P type GaN layer 3 exposed above the mesa 4 and the upper end face of the insulating film 5A, a P side electrode 6 larger than the top face of the P type GaN layer 3 (top face of the mesa 4) is formed.例文帳に追加
また、メサ部4の上部に露出するP型GaN層3の上面と絶縁膜5Aの上端面には、P型GaN層3の上面(メサ部4の上面)よりも大きなP側の電極6が形成されている。 - 特許庁
Since the upper face of a p-AlInAs clad layer 7 is directly covered by a p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the p-AlInAs clad layer 7 is not exposed to atmospheric air during processing, therefore no reliability problem due to oxidation of the p-AlInAs clad layer 7 occurs.例文帳に追加
p-AlInAsクラッド層7の直上はp-InGaAsPエッチングストッパ層8に覆われているため、p-AlInAsクラッド層7がプロセス途中で大気中に露出することがないので、p-AlInAsクラッド層7の酸化に起因する信頼性の問題は発生しない。 - 特許庁
A p-type semiconductor substrate 11 is prepared, and an n-type semiconductor layer 12 is formed in face to face with the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加
p型半導体基板11を準備し、このp型半導体基板11と対向するようにしてn型半導体層12を形成する。 - 特許庁
Thereby, the foreign matter adhering to the print face P is allowed to adhere to the adhesive sheet a1 of the adhesive roller A and is peeled from the print face P.例文帳に追加
これにより、印字面Pに付着した異物は、粘着ローラAの粘着シートa1に粘着されるとともに、印字面Pから引き剥がされる。 - 特許庁
Further, the liquid is transferred to a medium (P) from the coating face (11A) while the liquid is supplied to the coating face (11A) by rotating the coating roller (11) and the weighing roller (20).例文帳に追加
塗布ローラ(11)と計量ローラ(20)を回転させて塗布面(11B)に液体を供給しつつ当該塗布面から媒体(P)に液体を転写する。 - 特許庁
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