PN-IIとは 意味・読み方・使い方

To reduce facet degradation of a II-VI semiconductor laser diode having a semiconductor body comprising a plurality of semiconductor layers forming a pn junction, a facet at one end of the body, and a reference electrode.例文帳に追加

ｐｎ接合を形成する複数の半導体層を具備する半導体本体、本体の一方の端にある端面および照合電極を有するＩＩ−ＶＩ半導体レーザダイオードの端面劣化を低減すること。 - 特許庁

To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。 - 特許庁

This photoelectric conversion function element is provided with electrodes on the front and rear surfaces of a II-VI group compound semiconductor crystal having at least pn junction, and it is also provided with a contact layer between an n-type semiconductor layer and an n-type electrode, and furthermore at least a part of the contact layer is made of n-type semiconductor containing an In element as an n-type impurity.例文帳に追加

ｐｎ接合を少なくとも有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、ｎ型半導体層とｎ型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、Ｉｎ元素をｎ型不純物として含むｎ型半導体で構成されるようにした。 - 特許庁