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PNP deviceとは 意味・読み方・使い方
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「PNP device」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 65件
hint.acpi.0.disabled="1" into your /boot/device.発音を聞く 例文帳に追加
カーネルは、検出したすべてのデバイスの PnP ID を表示します。 - FreeBSD
The semiconductor device is provided with the PNP transistor 50.例文帳に追加
半導体装置はＰＮＰトランジスタ５０を備えている。 - 特許庁
To get the device working again requires finding its PnP ID and adding it to the list that the ISA probes use to identify PnP devices.発音を聞く 例文帳に追加
3.0 で動作していたデバイスを 4.0 でも動作するようにするには、 それの PnP IDを調べ、ISA デバイスの検索が PnPデバイスの識別に使っているリストにそれを追加する必要があります。 - FreeBSD
This is obtained using pnpinfo(8) to probe the device, for example this is the output from pnpinfo(8) for an internal modem:#発音を聞く 例文帳に追加
デバイスの検索に使われるpnpinfo(8)を用いて、 PnP ID を得ることができます。 - FreeBSD
METHOD FOR UPDATING FUNCTION OF PORTABLE APPARATUS BY PLUG AND PLAY (PNP) STORAGE DEVICE例文帳に追加
プラグアンドプレイ（ＰｎＰ）記憶デバイスにより携帯式装置の機能を更新するための方法 - 特許庁
In a semiconductor device provided with the NPN and PNP transistors on the same substrate, n^+ type buried layer 4 is formed on an NPN formation area forming the NPN transistor and an PNP formation area forming the PNP transistor, and a p^+ type buried layer is not formed.例文帳に追加
同一基板上にＮＰＮ及びＰＮＰトランジスタが備えられた半導体装置において、ＮＰＮトランジスタが形成されるＮＰＮ形成領域とＰＮＰトランジスタが形成されるＰＮＰ形成領域とにｎ^+型埋込み層４を形成し、ｐ^+型埋込み層は形成しない。 - 特許庁
It was possible [in 3. X ] for an ISA probe to find a stray device and then for the PNP device ID to match and then fail due to resource conflicts.発音を聞く 例文帳に追加
[3.x では] ISAデバイスの検索が「はぐれた」デバイスを発見して、 次に PNP デバイス IDのマッチが行なわれることでリソースの競合が発生し、デバイスの検索に失敗する可能性があります。 - FreeBSD
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「PNP device」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 65件
To improve breakdown voltage of a lateral pnp transistor without adding a new process in a semiconductor device where MOSFET and the lateral pnp transistor coexist.例文帳に追加
ＭＯＳＦＥＴとラテラルＰＮＰトランジスタとが混在している構成の半導体装置において、新たな工程を追加しないで、ラテラルＰＮＰトランジスタの耐圧を改善することを課題とする。 - 特許庁
To provide plug and play (PnP) function for device that are not supported by an operating system.例文帳に追加
オペレーティングシステムによってサポートされていないデバイスのためのプラグアンドプレイ（ＰｎＰ）機能を提供する。 - 特許庁
To improve a withstand voltage between collector emitters with regard to a semiconductor device provided with a lateral type PNP transistor.例文帳に追加
本発明は、横型ＰＮＰトランジスタを備える半導体装置に関し、コレクタ−エミッタ間の耐圧を向上させることを課題とする。 - 特許庁
To separate a collector layer from a board potential, without going through a complicated process in a semiconductor device, provided with a vertical PNP bipolar transistor.例文帳に追加
縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタを備えた半導体装置において、煩雑な工程を経ることなく基板電位からコレクタ層を分離する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having such a structure that a lateral pnp transistor having a quick response is incorporated in a bipolar IC having a high withstand voltage.例文帳に追加
高耐圧のバイポーラＩＣに、応答が早い横型ＰＮＰトランジスタを内蔵する半導体装置を提供する。 - 特許庁
This reduces generation of secondary electrons greatly, and thus, the gain of parasitic PNP bipolar device is reduced.例文帳に追加
これは２次電子の発生を著しく減らし、こうして寄生ＰＮＰバイポーラ・デバイスの利得を小さくする。 - 特許庁
To effectively use a bipolar transistor such as a vertical PNP transistor which can be produced as a by-product in a process of a CMOS device.例文帳に追加
ＣＭＯＳデバイスのプロセスで、副産物的に作成できる縦型ＰＮＰトランジスタ等のバイポーラトランジスタに有効利用する。 - 特許庁
To make an effective use of a bipolar transistor such as a vertical PNP transistor produced as a by-product in a process of manufacturing a CMOS device.例文帳に追加
ＣＭＯＳデバイスのプロセスで、副産物的に作成できる縦型ＰＮＰトランジスタ等のバイポーラトランジスタに有効利用する。 - 特許庁
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