「PNP device」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a semiconductor device provided with the NPN and PNP transistors on the same substrate, n^+ type buried layer 4 is formed on an NPN formation area forming the NPN transistor and an PNP formation area forming the PNP transistor, and a p^+ type buried layer is not formed.例文帳に追加

同一基板上にＮＰＮ及びＰＮＰトランジスタが備えられた半導体装置において、ＮＰＮトランジスタが形成されるＮＰＮ形成領域とＰＮＰトランジスタが形成されるＰＮＰ形成領域とにｎ^+型埋込み層４を形成し、ｐ^+型埋込み層は形成しない。 - 特許庁

It was possible [in 3. X ] for an ISA probe to find a stray device and then for the PNP device ID to match and then fail due to resource conflicts. 例文帳に追加

[3.x では] ISAデバイスの検索が「はぐれた」デバイスを発見して、 次に PNP デバイス IDのマッチが行なわれることでリソースの競合が発生し、デバイスの検索に失敗する可能性があります。 - FreeBSD

To improve breakdown voltage of a lateral pnp transistor without adding a new process in a semiconductor device where MOSFET and the lateral pnp transistor coexist.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴとラテラルＰＮＰトランジスタとが混在している構成の半導体装置において、新たな工程を追加しないで、ラテラルＰＮＰトランジスタの耐圧を改善することを課題とする。 - 特許庁

To provide plug and play (PnP) function for device that are not supported by an operating system.例文帳に追加

オペレーティングシステムによってサポートされていないデバイスのためのプラグアンドプレイ（ＰｎＰ）機能を提供する。 - 特許庁

To improve a withstand voltage between collector emitters with regard to a semiconductor device provided with a lateral type PNP transistor.例文帳に追加

本発明は、横型ＰＮＰトランジスタを備える半導体装置に関し、コレクタ−エミッタ間の耐圧を向上させることを課題とする。 - 特許庁

To separate a collector layer from a board potential, without going through a complicated process in a semiconductor device, provided with a vertical PNP bipolar transistor.例文帳に追加

縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタを備えた半導体装置において、煩雑な工程を経ることなく基板電位からコレクタ層を分離する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having such a structure that a lateral pnp transistor having a quick response is incorporated in a bipolar IC having a high withstand voltage.例文帳に追加

高耐圧のバイポーラＩＣに、応答が早い横型ＰＮＰトランジスタを内蔵する半導体装置を提供する。 - 特許庁

This reduces generation of secondary electrons greatly, and thus, the gain of parasitic PNP bipolar device is reduced.例文帳に追加

これは２次電子の発生を著しく減らし、こうして寄生ＰＮＰバイポーラ・デバイスの利得を小さくする。 - 特許庁

To effectively use a bipolar transistor such as a vertical PNP transistor which can be produced as a by-product in a process of a CMOS device.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスのプロセスで、副産物的に作成できる縦型ＰＮＰトランジスタ等のバイポーラトランジスタに有効利用する。 - 特許庁

To make an effective use of a bipolar transistor such as a vertical PNP transistor produced as a by-product in a process of manufacturing a CMOS device.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスのプロセスで、副産物的に作成できる縦型ＰＮＰトランジスタ等のバイポーラトランジスタに有効利用する。 - 特許庁

A function priority order decision utility 102 acquires the performance information of a network device discovered by a PnP controller 106.例文帳に追加

機能優先順位判定ユーティリティ１０２は、ＰｎＰコントローラ１０６により発見されたネットワークデバイスの性能情報を取得する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which characteristics of a vertical PNP transistor and an NPN transistor, which are formed on the same substrate, are improved.例文帳に追加

同一基板上に形成された縦型ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタの両方の特性向上が図られた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 wherein the lateral pnp transistor is incorporated in the bipolar IC, a dopant used in a buried diffusion layer 8 immediately below the lateral pnp transistor B has a diffusion coefficient larger than that of a dopant used in a buried diffusion layer 5 immediately below a control circuit A.例文帳に追加

バイポーラＩＣに横型ＰＮＰトランジスタを内蔵する半導体装置１において、横型ＰＮＰトランジスタ部Ｂ直下の埋め込み拡散層８に用いる不純物は、制御回路部Ａ直下の埋め込み拡散層５に用いる不純物よりも大きい拡散係数を有するものとする。 - 特許庁

Thus, in manufacturing the semiconductor device in which the non-volatile semiconductor storage device and a lateral type PNP transistor are mixedly mounted on an identical semiconductor substrate, the ultraviolet ray is irradiated after wafer processing, or after the characteristic inspection of the non-volatile semiconductor storage device, and even if hfe is lowered by the irradiation of the ultraviolet ray on the L-PNP transistor, the lowered hfe can be recovered.例文帳に追加

これにより、不揮発性半導体記憶素子とラテラル型ＰＮＰトランジスタとを同一の半導体基板に混載した半導体装置の製造において、ウェハ加工後や不揮発性半導体記憶素子の特性検査後に行う紫外線照射により、Ｌ−ＰＮＰトランジスタに紫外線が照射されることでｈｆｅが低下しても、低下したｈｆｅを回復させることができる。 - 特許庁

A semiconductor device, which is provided with an integrated injection logic (IIL1) formed on a semiconductor substrate 11 and has the PNP bipolar transistor construction, has a layer at least of insulating films 17 formed on the base region 20 of the PNP bipolar transistor structure being made of a silicon film 16.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたものでＰＮＰバイポーラトランジスタ構造を有してなるインテグレーテッド・インジェクション・ロジック（ＩＩＬ１）を備えた半導体装置において、ＰＮＰバイポーラトランジスタ構造のベース領域２０上に形成された絶縁膜１７のうちの少なくとも１層は窒化シリコン膜１６からなるものである。 - 特許庁

To reduce the number of steps, and to improve hot carrier resistance of a MOS transistor and performance such as the current gain or cut-off fre quency of a PNP transistor in a method for manufacturing a BiMOS semiconduc tor device where at least an N type MOS transistor and the PNP transistor are formed in the same semiconductor substrate.例文帳に追加

少なくともＮ型ＭＯＳトランジスタとＰＮＰトランジスタを同一半導体基板に形成したＢｉＭＯＳ半導体装置の製造方法において、工程数を少なくし、ＭＯＳトランジスタのホットキャリア耐性やＰＮＰトランジスタの電流増幅率や遮断周波数等の性能を高める。 - 特許庁

When a PnP (plug and play) processing is executed in the case that a printer cable is connected with a USB port, etc., (a step S1), a processing of START-DEVICE is performed (steps S2, S4) and a status monitor is started (a step S5).例文帳に追加

ＵＳＢポートにプリンタケーブルが接続された場合等に、ＰｎＰ（プラグアンドプレイ）処理が実行されると（ステップＳ１）、START＿DEVICEの処理を行うと共に（ステップＳ２，Ｓ４）、ステータスモニタを起動させる（ステップＳ５）。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FORMING ISOLATED POCKET ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR STRUCTURE, PNP TRANSISTOR, LATERAL N-CHANNEL DMOS TRANSISTOR, AND LATERAL TRENCH DMOS TRANSISTOR例文帳に追加

半導体デバイス、半導体基板に分離されたポケットを形成する方法、半導体構成、ＰＮＰトランジスタ、横型ＮチャネルＤＭＯＳトランジスタ、横型トレンチＤＭＯＳトランジスタ - 特許庁

To provide an electronic switch device with an overcurrent protection function capable of performing over current protection using one overcurrent protection circuit or the like while incorporating PNP type and NPN type output circuits.例文帳に追加

ＰＮＰ型及びＮＰＮ型からなる出力回路を内蔵しながら、１つの過電流保護回路等で過電流保護を可能にする過電流保護機能付き電子スイッチ装置を提供する。 - 特許庁

A PnP network is an IP-based network and each UPnP device is represented in an XML document containing many XML descriptions as function descriptions for controllable elements.例文帳に追加

ＰｎＰ網はＩＰベース網であり、各ＵＰｎＰ装置は、制御可能要素の機能記述である多数のＸＭＬ記述を含むＸＭＬ文書で表わされる。 - 特許庁

When the operating system detects the latest version of application housed in the PnP storage device, it is given conflicting choice for executing either the current version or the latest version of application (200).例文帳に追加

オペレイティングシステムがＰｎＰ記憶デバイスに格納された最新バージョンのアプリケーションを検出した時に、現行バージョン又は最新バージョンのアプリケーションを実行するコンフリクティング選択が与えられる（２００）。 - 特許庁

The service user communicates with the service through the interface of the PnP broker independently of a communication protocol used by a device offering the service.例文帳に追加

サービスユーザは、サービスを提供するデバイスによって使用される通信プロトコルとは独立に、ＰｎＰブローカのインタフェースを通じてサービスと通信する。 - 特許庁

To inhibit the degradation of the characteristics of a vertical type NPN transistor regarding a manufacturing method for a semiconductor device with a vertical type PNP transistor and the vertical type NPN transistor.例文帳に追加

本発明は、縦型ＰＮＰトランジスタと縦型ＮＰＮトランジスタとを備えた半導体装置の製造方法に関し、縦型ＮＰＮトランジスタの特性の劣化を抑制することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and a production method therefor for improving the voltage resistance of transistors in the dielectric separated complementary bipolar transistor of an NPN transistor and a longitudinal PNP transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮＰトランジスタの誘電体分離型の相補型バイポーラトランジスタにおいて、トランジスタの高耐圧化を実現するための半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information processing apparatus having a PnP function and capable of reducing operation load in connecting a peripheral device of the same sort.例文帳に追加

ＰｎＰ機能を有する情報処理装置において、同種の周辺デバイスを接続する際に、その作業負担を軽減することができる情報処理装置を提供する。 - 特許庁

To realize increase in the performance of a semiconductor integrated circuit device having an n-channel MISFET, a p-channel MISFET, an npn bipolar transistor and a pnp bipolar transistor.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ、ｎｐｎバイポーラ・トランジスタおよびｐｎｐバイポーラ・トランジスタを有する半導体集積回路装置の高性能化を実現する。 - 特許庁

To provide a production method for semiconductor integrated circuit device for improving the breakdown voltage of transistors in the dielectric separated complementary bipolar transistor of an NPN transistor and a longitudinal PNP transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮＰトランジスタの誘電体分離型の相補型バイポーラトランジスタにおいて、トランジスタの高耐圧化を実現するための半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a semiconductor device, propagation of noise between the first and second element formation areas 20, 30 can be suppressed by a depletion layer configured between the PNP junction or the NPN junction.例文帳に追加

このような半導体装置では、ＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合の間に構成される空乏層により、第１、第２素子形成領域２０、３０の間でノイズが伝播することを抑制することができる。 - 特許庁

A client device 2 uses PnP to detect that an electronic apparatus 3 is connected and acquires type information and identification information of the electronic apparatus 3.例文帳に追加

クライアント装置２は、ＰｎＰを用いて電子機器３が接続されたことを検出して、電子機器３の種類情報及び識別情報を取得する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a high breakdown voltage IGBT which does not generate a leakage current by a parasitic NPN transistor is formed basically through a bipolar high breakdown voltage vertical PNP process.例文帳に追加

バイポーラの高耐圧縦型ＰＮＰプロセスをベースにして、寄生ＰＮＰトランジスタに起因する漏洩電流の発生しない高耐圧ＩＧＢＴを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical semiconductor integrated circuit device comprises the steps of separately forming an n^+-type exudated region 38 of a pnp transistor 21 and an n^+-type diffused region 39 of a photodiode 22.例文帳に追加

本発明における光半導体集積回路装置の製造方法では、ＮＰＮトランジスタ２１のＮ＋型の浸み出し領域３８とホトダイオード２２のＮ＋型の拡散領域３９とを別工程で形成することに特徴がある。 - 特許庁

In a PNP transistor Tr1, the base is connected to an insulated device D_1, the emitter is connected to the negative side of a high-voltage battery B_H, and the collector is connected to the positive side of the high-voltage battery B_H.例文帳に追加

ＰＮＰ型トランジスタＴｒ１は、そのベースが絶縁デバイスＤ_1に接続され、エミッタが高圧バッテリＢ_Hのマイナス側に接続され、コレクタが高圧バッテリＢ_Hのプラス側に接続されている。 - 特許庁

In the shooting control circuit 127 of this game ball shooting device, a PNP type transistor 1271 is connected in parallel with the shooting capacitor 127k charged at a voltage corresponding to the amount of rotation of the shooting handle.例文帳に追加

この遊技球発射装置の発射制御回路１２７において、発射ハンドルの回転量に応じた電圧で充電される発射コンデンサ１２７ｋと並列にＰＮＰ型トランジスタ１２７ｌが接続されている。 - 特許庁

To provide a method for preventing the collector resistance of a vertical NPN transistor from increasing, with respect to the manufacturing method of a semiconductor device that is equipped with a vertical PNP transistor and a vertical NPN transistor.例文帳に追加

縦型ＰＮＰトランジスタと縦型ＮＰＮトランジスタとを備えた半導体装置の製造方法に関し、縦型ＮＰＮトランジスタのコレクタ抵抗の増加を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of recovering a current amplification factor of an L-PNP transistor lowered by the irradiation of an ultraviolet ray without impairing a wire bond property in a post-assembling process.例文帳に追加

後の組み立て工程でのワイヤボンド性を損なうことなく、紫外線照射により低下したＬ−ＰＮＰトランジスタの電流増幅率を回復させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information processing unit preventing waste of unwanted power consumption without impairing a PnP function in a state where no removable device is connected.例文帳に追加

ＰｎＰ機能を損なうことなく、かつ、リムーバブルデバイスが接続されていない状態において、不要な消費電力の浪費を防ぐことができる情報処理装置を提供する。 - 特許庁

The portable apparatus has an operating system, a current version of application, and a plurality of objects, and includes an extended interface so that the apparatus may have interchangeability with the PnP (plug and play) storage device.例文帳に追加

携帯式装置はオペレイティングシステム、現行バージョンのアプリケーション及び複数のオブジェクトを有し、ＰｎＰ（プラグアンドプレイ）記憶デバイスと互換性を有するように拡張インターフェースを備える。 - 特許庁

In the optical semiconductor integrated circuit device incorporating the vertical PNP transistor 21 and photodiode 22, first and second epitaxial layers 24 and 25 are laminated upon another in a non-doped state.例文帳に追加

本発明における縦型ＰＮＰトランジスタ２１およびホトダイオード２２とを組み込んだ光半導体集積回路装置では、第１および第２のエピタキシャル層２４、２５をノンドープにより積層している。 - 特許庁

A bi-directional switch element 20 to be used in an optical coupling semiconductor relay device is composed of MOSFETs 21a, 21b and a PNP transistor formed on a silicon layer 33 of SOI substrate 30.例文帳に追加

光結合型半導体リレー装置に用いられる双方向形スイッチ素子２０は、ＳＯＩ基板３０のシリコン層３３に形成されたＭＯＳＦＥＴ２１ａ、２１ｂとＰＮＰトランジスタとからなる。 - 特許庁

The signal input device is able thereby to cope with any of the PNP output photoelectric switch 2 or the NPN output photoelectric switch 3, by preparing only a sensor controller 50 of an embodiment in the present invention.例文帳に追加

従って、本実施形態のセンサコントローラ５０を１台用意するだけで、ＰＮＰ出力光電スイッチ２及びＮＰＮ出力光電スイッチ３のいずれにも対応することができる。 - 特許庁

To realize manufacturing a semiconductor device, in which a very high-speed NPN transistor and a high-speed PNP transistor are formed in the same chip, in a process which has remarkably reduced the number of processes than before.例文帳に追加

超高速のＮＰＮトランジスタと高速のＰＮＰトランジスタとが同一チップに形成された半導体装置を、従来に比べ工程数が大幅に削減されたプロセスで製造することを可能にする。 - 特許庁

The semiconductor device 60 comprises the PNP type bipolar transistor 66 wherein elements are isolated by an element isolation region 62 and an insulating well region 64, in a p-type substrate 68.例文帳に追加

本半導体装置６０は、素子分離領域６２及び絶縁ウエル領域６４により素子分離されているＰＮＰ型バイポーラトランジスタ６６をｐ型基板６８に備えている。 - 特許庁

To provide a signal input device and the like capable of allowing automatically switching between an input mode capable of taking an output signal in from a PNP type output device, and an input mode capable of taking an output signal in from an NPN type output device.例文帳に追加

ＰＮＰ型の出力装置からの出力信号を取り込み可能な入力形態と、ＮＰＮ型の出力装置からの出力信号を取り込み可能な入力形態とを自動で切り替えることが可能な信号入力装置等を提供する。 - 特許庁

To obtain a transmitting device capable of automatically giving the entire setting information held by the transmitting device before exchanging by a PnP system by eliminating the need of prior setting of a VLANID and an IP address in a newly participated transmitting device upon exchanging transmitting devices.例文帳に追加

伝送装置の交換時において、新規参入する伝送装置に対してＶＬＡＮＩＤ及びＩＰアドレスの事前設定を不要とし、交換前の伝送装置が保有していた設定情報の全てをＰｎＰ方式により自動的に付与できるようにした伝送装置を得る。 - 特許庁

To provide a signal input circuit and a relay unit circuit which automatically switches an input form for capturing the output signal of a PNP-type output device and an input form for capturing the output signal of a NPN-type output device.例文帳に追加

ＰＮＰ型の出力装置の出力信号を取り込み可能な入力形態とＮＰＮ型の出力装置の出力信号を取り込み可能な入力形態とを自動で切り替える信号入力回路及びリレーユニット回路を提供する。 - 特許庁