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Principal typeとは 意味・読み方・使い方
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Principal type
出典:『Wikipedia』 (2011/07/15 10:23 UTC 版)
「Principal type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 367件
Principal specifications of Type 120発音を聞く 例文帳に追加
120形主要諸元 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Principal higher-category trains on the Kyoto Line by type発音を聞く 例文帳に追加
京都線の主力優等種別。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The first principal surface 20a includes an n-type surface 20an and a p-type surface 20ap.例文帳に追加
第1の主面20aは、n型表面20an及びp型表面20apを含む。 - 特許庁
A box-type chair is composed of a base part 9 and a principal part 8.例文帳に追加
ボックス形椅子をベース部9と主体部8とで構成する。 - 特許庁
A growth principal surface 25 of a p-type GaN contact layer 19 in the p-type semiconductor layer 12, the principal surface being exposed from an insulating layer 6, is a nonpolar surface parallel to the principal surface of the substrate 1.例文帳に追加
p型半導体層12におけるp型GaNコンタクト層19の、絶縁層6から露出する成長主面25は、基板1の主面に平行な非極性面である。 - 特許庁
On a principal surface side of the optical device 10, a p-type electrode 15 and an n-type electrode 16 are provided.例文帳に追加
光デバイス10の主面側には、p電極15,n電極16が設けられている。 - 特許庁
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「Principal type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 367件
In a method for manufacturing a solar cell, a solar cell substrate 20 which has one principal surface and another principal surface and has a p-type surface and an n-type surface that are exposed to one region and other region of the one principal surface, respectively is formed.例文帳に追加
一主面と他主面とを有し、一主面の一の領域及び他の領域に夫々露出するp型表面及びn型表面を有する太陽電池基板20を形成する。 - 特許庁
An n-type low-concentration layer 11 is formed on a principal surface 10a of an n-type high-concentration layer 10.例文帳に追加
N型高濃度層10の主面10a上には、N型低濃度層11が形成されている。 - 特許庁
An n well 3 is formed on one of principal planes of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加
P型半導体基板1の一方主面にNウエル3を形成する。 - 特許庁
An n^- type semiconductor substrate 1 which has a first principal surface 1a and a second principal surface 1b opposed to each other and on the first principal surface 1a side of which a p^+ type semiconductor region 3 is formed is prepared.例文帳に追加
互いに対向する第1主面1a及び第2主面1bを有すると共に第1主面1a側にP^+型半導体領域3が形成されたn^−型半導体基板1を準備する。 - 特許庁
The silicon substrate 1 has an n^--type semiconductor region 3 on the side of a first principal surface 1a and an n^+-type semiconductor region 5 on the side of a second principal surface 1b.例文帳に追加
シリコン基板1は、第1主面1a側にn^−型半導体領域3を有し、第2主面1b側にn^+型半導体領域5を有している。 - 特許庁
A p-type region and an n-type region are exposed on one principal plane 8a of the solar cell substrate 8.例文帳に追加
太陽電池基板8の一の主面8aには、p型領域及びn型領域が露出している。 - 特許庁
A semiconductor laser diode 70 has a p-type semiconductor layer 12 grown on a principal surface of a substrate 1 having a nonpolar surface as the principal surface.例文帳に追加
半導体レーザダイオード70において、非極性面を主面とする基板1の主面にp型半導体層12を成長させる。 - 特許庁
A metal layer 15 is provided on the principal plane 13a of the p-type semiconductor region 13.例文帳に追加
金属層15はp型半導体領域13の主面13a上に設けられる。 - 特許庁
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