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RE-PLATINGとは 意味・読み方・使い方
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「RE-PLATING」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 26件
To enable a re-plating treatment yielding a favorable hue with reduced treatment steps.例文帳に追加
工数を抑え且つ色調の良い再鍍金処理を可能とする。 - 特許庁
STONE GRINDING PRIOR TO RE-PLATING WHEN DIRECT PLATE TYPE GRAVURE PLATE IS RECYCLED例文帳に追加
直版型グラビア版の再利用時の再メッキ前の砥石研磨方法 - 特許庁
The Rh-Re alloy plating thin film having the alloy ratio Rh:Re of 1.0:(0.1-1.0) and 0.1-10.0 μ film thickness using a plating bath having a Rh-Re alloy composition prepared by adding Re to a Rh plating bath, is formed.例文帳に追加
Rhめっき浴にReを添加したRh−Re合金めっき浴組成とし、当該めっき浴から電解により合金比率Rh:Reが1.0:0.1〜1.0、かつ膜厚が0.1〜10.0ミクロンとなるRh−Re合金めっき薄膜を形成する。 - 特許庁
To reduce the number of processes by forming an upper layer re-wiring by a method except electrolytic plating when a semiconductor device having the upper layer re-wiring is manufactured.例文帳に追加
上層再配線を有する半導体装置の製造に際し、上層再配線を電解メッキ以外の方法で形成して、工程数を低減する。 - 特許庁
By vibrating the wafer to spin off the plating solution, the quantity of the plating solution scattered to the outside is suppressed in comparison with that when the plating solution is removed only by rotating, and the deposition of the plating solution or the foreign matter produced from the plating solution on the side wall of the bath and the re-deposition of the foreign matter on the wafer W are also suppressed.例文帳に追加
ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物(結晶)の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。 - 特許庁
Moreover, the re-wiring circuits 4, 5 are electrically connected with the plating process 6, 6 conducted to the cutout portions 3, 3, 3...例文帳に追加
また該再配線回路4、5を前記切欠部3、3、3・・・内に施したメッキ6、6により電気的に接続する。 - 特許庁
It is enough if the vibrating step is applied in place of a removing step and a re-plating step, with no plating liquid required, thus the production steps are simplified than heretofore and production cost is reduced.例文帳に追加
また、除去工程および再メッキ工程に代えて振動工程を適用すればよくメッキ液も不要なので、製造工程が従来よりも簡素になり製造コストを低く抑えられる。 - 特許庁
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「RE-PLATING」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 26件
For example, when the cavity forming surface 59 of a core block 56 is re-ground or re-polished, a thickness adjusting layer 102 is formed on an abutting surface 56a to a movable receiving plate 52 in the core block 56 by chromium plating.例文帳に追加
例えばコアブロック56のキャビティ形成面59を再研削または再研磨したとき、コアブロック56における可動側受け板52への突き合わせ面56aにクロームめっきにより厚さ調整層102を形成する。 - 特許庁
To provide a welding wire without copper plating of less occurrence of irregular winding and excellent wire re-winding property when the wire is re-wound in an alignment winding in a spool in a final wire manufacturing stage.例文帳に追加
ワイヤ製造最終段階においてスプールに整列巻きにてワイヤ巻き替えを行う際に巻き乱れの発生が少なく、ワイヤ巻き替え性に優れた銅めっき無し溶接用ソリッドワイヤを提供すること。 - 特許庁
To effectively perform a pre-process of electroless plating and a subsequent rinse process (cleaning process) or the like while preventing re- contamination of the substrate processing surface.例文帳に追加
無電解めっきの前処理や、それに続くリンス処理(洗浄処理)等を、基板処理面の再汚染を防止しつつ、効率よく行うことができるようにする。 - 特許庁
To provide a resist stripper which can remove a resist after a tin plating film is formed on copper without inducing re-precipitation of tin on copper.例文帳に追加
銅上にすずめっき被膜を形成した後に、銅上へのすず再析出を生じさせることなくレジストを剥離することが可能なレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁
To provide an Au film correction method for suppressing the damage to a base metal film to a minimum, cleaning the surface and improving reliability at the time of re-plating.例文帳に追加
下地金属膜などのダメージを最小限に抑えると共に、表面を清浄化し、再めっき時の信頼性を向上したAu膜修正方法を提供すること。 - 特許庁
A conductive film 12 to be arranged between a re-wiring 9 and a bump electrode is formed by a non-electrolytic plating method in a condition where an Al wiring 2 of a plating power feeding region 52 is not exposed on the external peripheral portion of a semiconductor wafer.例文帳に追加
再配線9とバンプ電極との間に配置される導体膜12を無電解めっき法によって形成するにあたり、半導体ウエハの外周部のめっき給電領域52のAl配線2が露出しない状態で行う。 - 特許庁
Firstly, electrolytic plating of copper is performed by using an underlying metal layer 6 as a deposition current path, thereby forming a re-wiring layer 7 on an upper surface of the metal layer 6 in an opening 12 of a first plating resist film 11 composed of positive type liquid resist of novolac system resin.例文帳に追加
まず、下地金属層6をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる第1のメッキレジスト膜11の開口部12内における下地金属層6の上面に再配線7を形成する。 - 特許庁
The thickness of the re-wiring 8 formed by a laminated body of the metal sputter layer or the metal vapor-deposition layer 23, and the thickness of the metal plating layer 29 is determined to be twice as much as that of the outermost layer of the film.例文帳に追加
金属スパッタ層又は金属蒸着層23と金属めっき層29との積層体をもって形成される再配線8の厚みを表皮の厚さの2倍以上とする。 - 特許庁
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