Scanned Beam Currentとは 意味・読み方・使い方

To provide a transmission electron microscope with a scanned image observation function which can remarkably reduce deterioration of scanned image quality and resolution due to noises superposed on a deflecting current for scanning of electron beam.例文帳に追加

電子ビームの走査のための偏向電流に重畳したノイズによる走査像の画質や分解能の劣化を、著しく軽減することができる走査像観察機能を有した透過電子顕微鏡を実現する。 - 特許庁

An electron beam is applied onto the specimen to be inspected while it is scanned, a current value generated in the specimen corresponds to the irradiation position of the electron beam at the time when the electron beam is applied, stored as a current waveform, and an incorrect position is detected by comparing the current waveforms of the two inspection specimens.例文帳に追加

被検査試料に対して電子ビームを走査させながら照射し、電子ビームが照射された際に試料に生じた電流値をそのときの電子ビーム照射位置と対応付けて電流波形として記憶し、二つの被検査試料に対する電流波形を比較することにより、不良位置を検出する。 - 特許庁

The target to be irradiated with a high-voltage and large-current scanned electron beam comprises a number of metal tubes in which a cooling liquid is distributed, arrayed along an irradiation plane of the electron beam.例文帳に追加

又、広範囲に角度を有して照射される電子線に対して、その照射を均一に受け、且つ発熱を均一に生じさせることができる電子線照射用ターゲットを提供する。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction in the ion source 100, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction to generate plasma 12, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current density distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、Ｙ方向に走査される電子ビーム１３８を放出してプラズマ１２４を生成する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with an ion source to generate an ion beam 4, an electron beam source G to emit an electron beam two-dimensionally scanned in the ion source 2, a power supply 14 for it, an ion beam monitor 10 to measure the two-dimensional beam current distribution of the ion beam 4 at a position equivalent to the substrate, and a control device 12.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。 - 特許庁

As a result, when a charged region is scanned by a primary electron beam, the absorption current is reduced, and a secondary electron detection signal is abnormally intensified, but the intensity of the secondary electron detection signal is reduced according to the small value of the absorption current.例文帳に追加

この結果、帯電した領域を一次電子ビームで走査しているときは、吸収電流が小さくなり、２次電子検出信号が異常に大きくなるが、この吸収電流の小さな値に応じて２次電子検出信号の強度が減少される。 - 特許庁