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Si grainとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「Si grain」の意味

Si grain

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「Si grain」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 122



例文

The non-dissolved structure of Al-Sn is an atomized structure with Sn flake-like or crescent shape, and in the non-solved structure of Al-Si, Si is a substantially circular grain or an uneven grain.例文帳に追加

Al-Snの未溶解組織はSnが片状、三日月状などとのアトマイズ組織となり、Al-Siの未溶解組織はSiが円に近い粒上、凹凸がある粒状などとなる。 - 特許庁

COLD ROLLING METHOD OF GRAIN ORIENTED ELECTRICAL STEEL CONTAINING HIGH Si例文帳に追加

高Si含有の方向性電磁鋼板の冷間圧延方法 - 特許庁

Thus, Si crystal grains of large grain diameters can be obtained with excellent uniformity.例文帳に追加

これにより、均一性良く大粒径のSi結晶粒を得ることができる。 - 特許庁

To provide a heat-treating method in which crystal is made large in grain size when p-Si is produced from a-Si.例文帳に追加

a−Siからp−Siを生成する際、結晶の大粒径化が可能な熱処理方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH Si-CONTAINING GRAIN ORIENTED SILICON STEEL SHEET HAVING EXCELLENT MAGNETIC PROPERTY例文帳に追加

磁気特性が優れた高Si含有方向性電磁鋼板の製造方法 - 特許庁

(2) The number of the Ni-Si based grain groups with a length of 0.05 to 1.0 mm is ≤2 pieces/mm^2 among the Ni-Si based grain groups composed of the Ni-Si based compound grains with a grain size of 2 to 20 μm.例文帳に追加

(2)粒径が2μm以上20μm以下のNi−Si系化合物粒子より構成されるNi−Si系粒子群のうち、長さが0.05mm以上1.0mm以下のNi−Si系粒子群の個数が、2個/mm^2以下である。 - 特許庁

例文

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層14内で柱状晶間に形成される結晶粒界30の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層(第1絶縁層132及び第2絶縁層152)が配置されるため、n型a-Si層131とp型a-Si層151との間で結晶粒界30を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

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「Si grain」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 122



例文

In Al-Mg-Si series alloy, Mg, Si and Mn contents are regulated and an abnormal grain growth after high temperature blowing-shaping, is restrained.例文帳に追加

Al−Mg−Si系合金において、Mg・Si・Mn量を規定し、高温ブロー成形後の異常粒成長を抑制する。 - 特許庁

In the aluminum alloy, a Si grain, as well as a ternary intermetallic compound of Al-Si-Fe or a plural intermetallic compound based on Al-Si-Fe, are crystalized.例文帳に追加

アルミニウム系合金中に、Si粒子の他、Al−Si−Feの3元系金属間化合物、或いはAl−Si−Feをベースにした多元系金属間化合物を晶出させる。 - 特許庁

An oxygen density of the Si-containing grain is <2.5 wt.%, and a density of Si at an utmost surface is larger than that of oxygen by 1/2 or more.例文帳に追加

Si含有の粒子は、酸素の濃度が2.5重量%未満で且つ最表面におけるSiの濃度が酸素の濃度の1/2超である。 - 特許庁

(1) The number of the Ni-Si based compound grains with a grain size of 10 to 20 μm is ≤2 pieces/mm^2.例文帳に追加

(1)粒径が10μm以上20μm以下のNi−Si系化合物粒子が、2個/mm^2以下である。 - 特許庁

On the other hand, the Si grain is finely pulverized with roundness through rolling and heat treatment, to disperse into an aluminum matrix.例文帳に追加

一方のSi粒は、圧延、熱処理を経て丸みを帯びて細かく割れてAlマトリックス中に分散する。 - 特許庁

A grain oriented silicon steel sheet composed of secondarily recrystallized grains comprising 25 to 300 ppm Sol.Al is subjected to cold rolling, and is subjected to siliconizing treatment and Si diffusion treatment at ≥1,050°C.例文帳に追加

Sol.Alを25ppm以上、300ppm以下含有する二次再結晶粒より構成された一方向性電磁鋼板に冷間圧延を施し、1050℃以上の温度で浸珪処理、Si拡散処理を施す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory device forming a large-capacity capacitor, by forming an upper part electrode over the entire surface of a dielectric layer in a groove, without reducing the grain size of an HSG-Si layer nor closing the opening part of the groove that forms a cylinder-type capacitor with HSG-Si.例文帳に追加

HSG−Si層のグレインサイズを縮小せず、シリンダ型のキャパシタを形成する溝の開口部をHSG-Siで閉塞させず、溝内の誘電体層の全面に上部電極を形成し、大容量キャパシタを形成する半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

In an Al-Mg-Si alloy or an Al-Mg-Si-Cu alloy, grain boundary precipitates are allowed to exist at intervals of110 nm and also the size of the precipitates in the direction of grain boundaries is regulated to70 nm.例文帳に追加

Al−Mg−Si系合金あるいはAl−Mg−Si−Cu系合金において、粒界析出物が110nm以上の間隔で存在するとともに、析出物の粒界方向における寸法を70nm以上とする。 - 特許庁

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