Si platformとは 意味・読み方・使い方

The method includes a process of selectively epitaxial-growing a single crystal Si strip on the surface of the sidewall of a single-crystal SiGe layer and the SiGe layer is attached to a support platform (generally, an insulator on a Si substrate) and the Si strip is also attached to the support platform.例文帳に追加

該方法は、単結晶ＳｉＧｅ層の側壁表面に単結晶Ｓｉストリップを選択的なエピタキシャル成長させる工程を含み、前記ＳｉＧｅ層は支持基板（一般にＳｉ基板上の絶縁体）に接着され、かつ前記Ｓｉストリップもまた支持基板に接着される。 - 特許庁

To provide a method for co-integrating a photonic device, a Ge waveguide built-in photodetector, and a hybrid III-V/Si laser on a Si-base photonic platform.例文帳に追加

Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。 - 特許庁

By removing the SiGe single-crystal layer, the single crystal strained Si strip appears on the support platform and changes into a multifaceted Si strip suitable to form a multifaceted gate fin-FET.例文帳に追加

ＳｉＧｅ単結晶層を除去することによって、単結晶歪Ｓｉストリップは支持基板上にあり、多面ゲート・フィン型ＦＥＴの形成に適する多面Ｓｉストリップに変化する。 - 特許庁

This optical waveguide platform is constituted by forming the optical waveguide 4 consisting of a core 42 and clads 41, 43 by a quartz material on the Si substrate 1, mounting the optical element 8, such as laser diode, on the Si substrate 1 facing the optical waveguide end of the optical waveguide and forming the electrode wiring to execute the electrical connection to the optical element 8.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に石英系材料でコア４２及びクラッド４１，４３よりなる光導波路４が形成され、光導波路の光導波端に臨むＳｉ基板１上にレーザダイオード等の光素子８が搭載され、この光素子８に対して電気接続を行う電極配線が形成される。 - 特許庁

The optical module is provided with a light emitting element on an Si platform, and an end face incident light receiving element through a graded index fiber as a monitor of the light emitting element by arranging an optical fiber deriving emission light from the light emitting element.例文帳に追加

Ｓｉプラットフォーム上に、発光素子と、発光素子からの出射光を導出する光ファイバを配置し、上記発光素子のモニター用として、グレーデッドインデックスファイバーを介して端面入射型の受光素子を備える。 - 特許庁

A platform substrate 1 made of Si is covered with a thermally oxidized film 2, a grounded conductive layer 3 is formed in as wide a range as possible in its receiving side region, an insulating layer 4 is formed on the grounded conductive layer 3, and a wiring a5 is formed on the insulating layer 4.例文帳に追加

Ｓｉからなるプラットフォーム基板１上を熱酸化膜２で覆い、その上の受信側領域のなるべく広い範囲に接地導体層３を形成し、接地導体層３上に絶縁体層４を形成し、絶縁体層４上に配線ａ５を形成する。 - 特許庁