Si substratesとは 意味・読み方・使い方

The optical mutiplexer/demultiplexer has Si substrates 11 and 12 facing each other, and the Si substrates 11 and 12 have tilted faces 301 and 302 and a cavity part in their insides.例文帳に追加

対向するＳｉ基板１１，１２を有し、前記Ｓｉ基板１１，１２の内部には、傾斜面３０１，３０２および空隙部を有している。 - 特許庁

Alternatively, the plurality of semiconductor substrates 10 are p-type Si substrates and n-type Si substrates alternately arranged in one direction and series-connected, and are driven as a Peltier element or a Seebeck element.例文帳に追加

また、半導体基板１０が一方向に交互に配置され直列接続されたｐ型Ｓｉ基板及びｎ型Ｓｉ基板であり、ペルチェ素子又はゼーベック素子として駆動される。 - 特許庁

Further, a circuit which substrates an output current by the PD 2 from an output current by the PD 1 is provided on the Si substrate 31.例文帳に追加

またPD1による出力電流からPD2による出力電流を減算処理する回路がSi基板３１上に設けられている。 - 特許庁

The speed-of-rotation sensor is constituted in such a way that a metal plate 23 having a magnetism collecting function is arranged between a magnet 24 and a pair of Si substrates 21 and that the metal plate 23 closes the whole part between the pair of Si substrates 21.例文帳に追加

磁石２４と一対のＳｉ基板２１との間に集磁機能を有する金属板２３を配置し、かつこの金属板２３は前記一対のＳｉ基板２１間の全部をも塞ぐように構成したものである。 - 特許庁

Accordingly, when the holder 18 is rotated, the Si substrate 20 to be film-formed by the vapor deposition source 30 is replaced by the Si substrate 20B, and thus the six Si substrates 20A to 20F held on the holder 18 can be sequentially film-formed.例文帳に追加

そのため、このホルダ１８を回転させると、蒸着源３０によって成膜されるＳｉ基板２０がＳｉ基板２０Ｂに換わって、ホルダ１８に保持された６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆが順次成膜可能な状態となる。 - 特許庁

To provide a cleaning solution and a method for cleaning Si-including substrates that can efficiently remove impurities, particles and organic substances sticking on the surfaces of the substrates as the roughening of the surface of inexpensive Si-including substrates is suppressed.例文帳に追加

安価で、かつＳｉを含有する基板の表面の面荒れを抑制した状態で、上記基板表面に付着したパーティクルや有機物等の不純物を効率良く除去できるＳｉを含有する基板の洗浄溶液及び洗浄方法の提供。 - 特許庁

To prevent serrate defects from being generated in the peripheral parts of separated substrates when a laminated substrate formed by laminating together first and second substrates of a structure, wherein a single-crystal Si layer is formed on a porous layer and an insulating layer is formed on the Si layer, is separated into the separated substrates in the porous layers.例文帳に追加

多孔質層の上に単結晶Ｓｉ層を形成し、その上に絶縁層を形成した第１の基板と第２の基板とを貼り合わせて形成された貼り合わせ基板を多孔質層で分離する際に、分離された基板の周辺部に鋸歯状の欠陥が生じることを防止する。 - 特許庁