「Si substrates」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a cleaning solution and a method for cleaning Si-including substrates that can efficiently remove impurities, particles and organic substances sticking on the surfaces of the substrates as the roughening of the surface of inexpensive Si-including substrates is suppressed.例文帳に追加

安価で、かつＳｉを含有する基板の表面の面荒れを抑制した状態で、上記基板表面に付着したパーティクルや有機物等の不純物を効率良く除去できるＳｉを含有する基板の洗浄溶液及び洗浄方法の提供。 - 特許庁

To prevent serrate defects from being generated in the peripheral parts of separated substrates when a laminated substrate formed by laminating together first and second substrates of a structure, wherein a single-crystal Si layer is formed on a porous layer and an insulating layer is formed on the Si layer, is separated into the separated substrates in the porous layers.例文帳に追加

多孔質層の上に単結晶Ｓｉ層を形成し、その上に絶縁層を形成した第１の基板と第２の基板とを貼り合わせて形成された貼り合わせ基板を多孔質層で分離する際に、分離された基板の周辺部に鋸歯状の欠陥が生じることを防止する。 - 特許庁

To provide a method for grinding/stripping parts laminated on substrate surfaces of Si substrates or glass substrates by a grinding means of grit blasting, then sorting and recovering various stripped materials and grit, and recycling the Si substrates, glass substrates, wiring metallic materials and grit.例文帳に追加

Ｓｉ基板やガラス基板といった基板表面に積層されている部分をグリット投射による研掃手段によって研掃・剥離した後、剥離した各種材料およびグリットを分別・回収するとともに、Ｓｉ基板やガラス基板、配線用金属材料等ならびにグリットを再使用可能とする方法を提供すること。 - 特許庁

Pulse light from the flash lamp 1 is divided into two with different illuminances by a half mirror 6a to irradiate two Si substrates 7a, 7b.例文帳に追加

フラッシュランプ１からのパルス光をハーフミラー６ａにより照度の異なる２つに分割して２枚のＳｉ基板７ａ，７ｂに照射する。 - 特許庁

Following to the boron dope process, the Si substrates are immersed into hydrofluoric aqueous solution and a boron doped layer formed on the side opposite to the boron doped surface is removed.例文帳に追加

ボロンドープ工程後は、Ｓｉ基板をふっ酸水溶液に浸し、ボロンドープ面と反対面に形成されたボロンドープ層を除去する。 - 特許庁

To effectively apply protective coatings on complex shaped Si-based substrates which makes a physical deposition process difficult.例文帳に追加

物理的堆積方法での被覆が困難な複雑形状のＳｉベース基材に保護コーティングを効果的に被覆する。 - 特許庁

An oscillating mirror substrate is constituted by joining two Si substrates 206, 207 via an insulating film such as an oxide film.例文帳に追加

振動ミラー基板は、２枚のＳｉ基板２０６、２０７を酸化膜等の絶縁膜を介して接合して構成される。 - 特許庁

To effectively apply protective coatings on complex shaped Si-based substrates which makes a physical deposition process impossible.例文帳に追加

物理的堆積方法での被覆が不可能である複雑な形状のＳｉベース基材に保護被覆を効果的に被覆させる。 - 特許庁

One or more single-crystal Si substrates 10 where at least a portion of a semiconductor structure is formed are mounted on a positioning substrate 30 having an edge 32a on a surface, and moved to the edge 32a and one or more single-crystal Si substrates are positioned in parallel to the surface of the positioning substrate 30 at the same time and then temporarily fixed.例文帳に追加

半導体構造の少なくとも一部が形成された１個以上の単結晶Ｓｉ基板１０を、表面にエッジ３２ａを有する位置決め用基板３０上に載置し、１個以上同時に位置決め用基板３０の表面に平行にエッジ３２ａまで移動させて位置決めした後、一時固定する。 - 特許庁

The single-crystal Si substrates 10 are joined together at the same time at the set position of a polycrystalline Si glass substrate 40 which corresponds to the edge 32a of the positioning substrate 30.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０を、多結晶Ｓｉガラス基板４０における、位置決め用基板３０のエッジ３２ａに対応させた設定位置に一括で接合する。 - 特許庁

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

The method has: a step in which SiOC films are formed on Si substrates 1 or on foundation films 2 and 3 formed on the Si substrates and containing Si; a step in which an ashing process is carried out to the SiOC films; and a step in which the SiOC films 4' receiving the ashing treatment are removed selectively by a wet process containing F.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 - 特許庁

The power semiconductor device using Si as the base substance and the power semiconductor device using the semiconductor having an energy bandgap wider than the energy bandgap of Si as the base substance are mounted on different insulated metal substrates respectively, and those insulated metal substrates are mounted on different metal bases for heat dissipation respectively, so that conduction of heat between both power semiconductor devices is suppressed.例文帳に追加

Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とＳｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる電力半導体素子を、それぞれ別の絶縁金属基板に搭載し、さらにこれら絶縁金属基板がそれぞれ別の放熱用金属ベースに搭載されるので、両電力半導体素子間における熱の伝わりが抑制される。 - 特許庁

The substrates under the state stuck together are then heated at a relatively low temperature of 120-250°C (not exceeding the melting point of a supporting substrate), and an external impact is applied thereto thus exfoliating a silicon crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together after heat treatment.例文帳に追加

貼り合わせた状態の基板を１２０℃以上２５０℃以下（但し、支持基板の融点を超えない温度）の比較的低い温度で加熱し、さらに、外部衝撃を付与することで、熱処理後の貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive resin composition which is excellent, when developing, in adhesion with the surfaces of substrates comprising inorganic substances not containing Si atoms and the element surfaces during the patterning process.例文帳に追加

パターン加工時において、Ｓｉ原子を有しない無機物で構成される基板表面や素子表面との現像時接着性に優れたネガ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide the substrate processing apparatus which prevents ununiformity of films of substrates, caused by displacement between an auxiliary support plate made of SiC and a support plate made of Si.例文帳に追加

ＳｉＣ製補助支持板とＳｉ製支持板との間の位置ずれによって発生する基板間の膜の不均一を防止する基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A capacity part 100 of an infrared detection capacity CF constituted of a ferroelectric film is supported by lead wiring 102 and 104, and held against Si substrates at the both sides of a groove part 330.例文帳に追加

強誘電体膜から成る赤外線検出容量ＣＦのうち、容量部分１００は、引出配線１０２および１０４により支持されて、溝部３３０の両側のＳｉ基板に対して保持される。 - 特許庁

In this method of manufacturing an electronic device (piezoelectric device) 74, a laminate 60 is formed by sticking two Si single-crystal substrates 14A, 14B where a film is grown epitaxially.例文帳に追加

本発明に係る電子デバイス（圧電デバイス）７４の製造方法においては、積層体６０は、エピタキシャル成膜された２枚のＳｉ単結晶基板１４Ａ，１４Ｂの貼り合わせによって形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming high quality semiconductor material with few defects even with a semiconductor film having a lattice constant different from those of substrates mass-produced so far such as Si, GaAs, GaP, and InP.例文帳に追加

本発明は、これまでに量産されている基板、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰなどと格子定数が異なっている半導体膜でも、欠陥の少ない良質の半導体材料を形成する方法を提供するものである。 - 特許庁

An n^+-type SiC substrate 1 whose both surfaces are (000-1) C-faces is manufactured by bonding both (0001) Si-faces of two n^+-type SiC substrates 11 and 12 to each other.例文帳に追加

二枚のｎ^+型ＳｉＣ基板１１、１２の（０００１）Ｓｉ面同士を貼り合せることにより、両面が（０００−１）Ｃ面のｎ^+型ＳｉＣ基板１を製造する。 - 特許庁

The submount 50 has substrates 1 and 2 principally comprising Si, and impurity diffusion layers 4 and 5 formed by diffusing impurities in a region on the surface 1a of a substrate where a semiconductor laser chip is mounted.例文帳に追加

この発明のサブマウント５０は、Ｓｉを主材料とした基板１，２と、基板表面１ａのうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層４，５とを備える。 - 特許庁

Here, the holder 18 holds six Si substrates 20A to 20F so that they can be aligned along a circumferential direction L, and rotates in the circumferencial direction L.例文帳に追加

ここで、ホルダ１８は、その円周方向Ｌに沿って並ぶように６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆを保持すると共に、その円周方向Ｌに回転する。 - 特許庁

To provide a method of forming high quality semiconductor material with few defects even with a semiconductor film having a lattice constant different from those of substrates mass-produced so far such as Si, GaAs, GaP, and InP, and its configuration.例文帳に追加

本発明は、これまでに量産されている基板、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰなどと格子定数が異なっている半導体膜でも、欠陥の少ない良質の半導体材料を形成する方法、および構成を提供するものである。 - 特許庁

The AL circuit substrates 2, 3 and insulating ceramic layer 5 are bonded through an Al-Si system wax material, and the first juncture 6 and second juncture 7 through a Ni-Sn compound layer 10, respectively.例文帳に追加

ＡＬ回路基板２、３と絶縁セラミックス層５とはＡｌ−Ｓｉ系のロウ材を介して、第一接合体６と第二接合体７とは、Ｎｉ−Ｓｎ化合物層１０を介してそれぞれ接合されている。 - 特許庁

The sub-mount is provided with substrates 1 and 2, mainly consisting of Si, and impurity diffused layers 4 and 5 formed by having impurity diffuse in a region, over which the semiconductor laser chip has to be mounted in a substrate surface 1a.例文帳に追加

この発明のサブマウントは、Ｓｉを主材料とした基板１，２と、基板表面１ａのうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層４，５とを備える。 - 特許庁

Then, the substrates 14A, 14B are removed with an etching liquid, and patterning of the laminate 60 is executed, in a state where the laminate 60 is held by a Si single-crystal substrate 14C prepared differently.例文帳に追加

そして、Ｓｉ単結晶基板１４Ａ，１４Ｂをエッチング液によって除去し、別途用意したＳｉ単結晶基板１４Ｃによって積層体６０が保持された状態で、積層体６０のパターニングをおこなう。 - 特許庁

A Si substrate 1 as a workpiece is adhered to the surface of a carrying substrate 15 in a pressure reduced atmosphere or a vacuum atmosphere, thus avoiding the occurrence of a cavity portion between both substrates.例文帳に追加

減圧雰囲気中または真空雰囲気中で搬送用基板１５の表面に被加工基板であるＳｉ基板１を接着することにより、両基板間に空隙部分が生じることを避けることができる。 - 特許庁

To provide an in-line carrying system capable of minimizing the size of works in process and shortening a required carrying time by controlling and carrying glass substrates in units of one sheet.例文帳に追加

ガラス基板を１枚単位で管理して搬送SIし、仕掛品の最小化及び搬送所要時間の短縮化を可能とするインライン搬送システムを提供する。 - 特許庁

Si substrates 41 placed facing each other in the vertical direction of a diffusion source 51 of a solid principally comprising B2O3 is thermally diffused with high density boron in a vertical furnace.例文帳に追加

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１の上下方向に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁

The reflection film 31 and the wavelength selection filters 21, 22 and 23 face each other, and the refractive index of the Si substrates 11 and 12 and the refractive index in the cavity part are different from each other.例文帳に追加

前記反射膜３１と波長選択フィルタ２１，２２，２３は対向し、前記Ｓｉ基板１１，１２の屈折率値と前記空隙部内の屈折率値とは異なる光合分波器。 - 特許庁

To provide a bonding film-attached substrate for reliably substrates even if they are the ones whose main component is not silicon dioxide (SiO_2), or that does not have an Si-group skelton, or when one substrate is bonded with the other substrate whose main component is not silicon dioxide (SiO_2) or that does not have an Si-group skelton, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

主成分が二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）ではない、或いはＳｉ基を骨格としない基板であっても、それら基板同士を接合する、あるいはその基板と主成分が二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）である、或いはＳｉ基を骨格とする基板とを接合する場合に、確実に接合ができる接合膜付き基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The LCD panel includes a lower substrate, including a thin-film transistor (TFT) and a pixel electrode; an upper substrate, including a common electrode and facing the lower substrate; a liquid crystal layer formed in between the upper and lower substrates; and an alignment layer, formed of an inorganic substance containing silicon Si, oxygen O, and carbon C on the upper and lower substrates.例文帳に追加

本発明による液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ及び画素電極を含む下部基板と、下部基板と向き合い共通電極を含む上部基板と、上部基板と下部基板との間に形成された液晶層と、上部及び下部基板上にシリコンＳｉ、酸素Ｏ及び炭素Ｃを含む無機物質から形成された配向膜と、を含む。 - 特許庁

In the liquid crystal display device constructed by sealing a liquid crystal layer between a pair of translucent substrates and buy forming the semitransmissive reflection film on the side of one of the translucent substrates, a Si thin film having an auxiliary reflection function the spectral characteristics of which is different from that of a metallic semitransmissive reflection film is formed under the metallic semitransmissive reflection layer.例文帳に追加

一対の透光性基板の間に液晶層を封入してなり、透光性基板のうちの一方側に半透過反射膜を形成してなる液晶表示装置において、金属系半透過反射層の下に、金属系半透過反射膜と分光特性が異なる補助的な反射機能を持つＳｉ薄膜を形成する。 - 特許庁

To lower the manufacture cost of an electrode substrate for a liquid crystal device, which is used for a p-Si type TFT-LCD by performing high- precision OS inspection, without causing increase in the area of a row electrode driving circuit or the facility investment amount and decreasing defective substrates moving into cell process.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤに用いられる表示装置用電極基板において、行電極駆動回路の面積増や設備投資額の増加を招くことなしに高精度なＯＳ検査を可能とし、不良基板のセル工程への流れ込みを低減して、製造コストを削減する。 - 特許庁

To provide a method for forming high-quality semiconductor materials with few defects, even in a semiconductor film where a lattice constant is different from substrates that have been mass-produced so far, such as Si, GaAs, GaP and InP, and to provide a configuration thereof.例文帳に追加

本発明は、これまでに量産されている基板、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰなどと格子定数が異なっている半導体膜でも、欠陥の少ない良質の半導体材料を形成する方法、および構成を提供するものである。 - 特許庁

Then, a single crystal silicon carbide is epitaxially grown on the surface of the single crystal SiC substrate 15 in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy (MSE) method using, as driving force, the concentration gradient generated in the Si melt layer based on the difference between free energies of the substrates 15, 20.例文帳に追加

そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Processed on GaP, AlAs, InGaAsN, InGaP, GaAs, Ge, Si, diamond, or any substrates sensitive to one or more regions of the solar spectrum, the converter may be sized to contain one to several thousands of junctions illuminated with the solar beam parallel to the junctions.例文帳に追加

太陽スペクトルの１つまたは複数の領域に対する感度のあるＧａＰ、ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＮ、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓ、Ｇｅ、Ｓｉ、ダイアモンドまたは任意の基板上で加工され、コンバータは、接合部と平行な太陽光線で照明される１から数千の接合部を含む大きさにすることができるものである。 - 特許庁

A pair of glass substrates 1, 2 are joined together with an anisotropic conductive sealant 13 having a double frame structure consisting of an outer frame So of an anisotropic conductive layer composed of an insulating resin material 13b containing conductive particles 13a and an inner frame Si, arranged inside thereof, of an insulating layer composed only of the insulating resin material 13b.例文帳に追加

一対のガラス基板１、２を、導電性粒子１３ａを絶縁樹脂基材１３ｂに含有させてなる異方性導電層の外枠Ｓoとその内側に設けた絶縁樹脂基材１３ｂのみからなる絶縁層の内枠Ｓｉからなる２重枠構造の異方性導電シール材１３により接合する。 - 特許庁

A measuring cell is constituted by bonding glass substrates 1, 2 and a flow channel groove 6 is formed in the bonding surface of the glass substrate 1 by photofabrication technique and wet etching technique and through- holes 9, 10 for introducing and discharging a liquid sample are formed in the glass substrate 2 and an optically opaque Si film 3 is formed in the bonding surface as a slit by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板１、２を接合して構成され、ガラス基板１の接合面にはフォトファブリケーション技術およびウェットエッチング技術により流路溝６が形成されるとともに、ガラス基板２には液体試料導入および排出のための貫通孔９、１０が形成され、接合面にスパッタ法等により光学的に不透明なＳｉ膜３をスリットとして形成する。 - 特許庁

The other objective ink-jet printer has a head of electrostatic type consisting of a laminated structure made up of three Si single crystal substrates 101-103; wherein the 1st substrate is provided with a diaphragm 105, a liquid chamber 106, a fluid resistance unit 107 and an ink cavity 108.例文帳に追加

（Ｒ_1〜Ｒ_4は直鎖状、分岐状、環状アルキル基、ヒドロキシアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換／無置換のフェニル基を表す。）図５は静電方式のヘッド部の全体図で、ヘッドは３枚のＳｉ単結晶基板１０１〜１０３の積層構造からなり、第１基板に振動板１０５、液室１０６、流体抵抗部１０７、インクキャビティ１０８が設けられている。 - 特許庁

The power module 1 is provided with a first juncture (juncture, power module substrate) in which an insulating ceramic layer (ceramic layer) 5 including an ALN is sandwiched between two AL circuit substrates (AL layer) 2, 3 and bonded, a second juncture (juncture) 7 and a Si chip (large electric power semiconductor element) 8 wired to the AL circuit substrate 2 of the second juncture 7.例文帳に追加

パワーモジュール１は、二つのＡＬ回路基板（ＡＬ層）２、３の間に、ＡＬＮからなる絶縁セラミックス層（セラミックス層）５が挟まれて接合された第一接合体（接合体、パワーモジュール用基板）６及び第二接合体（接合体）７と、第二接合体７のＡＬ回路基板２に配線されたＳｉチップ（大電力半導体素子）８とを備えている。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁