Silicon diaphragm typeとは 意味・読み方・使い方

The diaphragm 10 has a high concentration P-type impurity layer formed on a P-type silicon substrate so that a boron concentration of the substrate does not exceed 1E19(atoms/cm3).例文帳に追加

振動板１０がＰ型シリコン基板に形成された高濃度Ｐ型不純物層を含み、Ｐ型シリコン基板のボロン濃度が１Ｅ１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3）を越えないものとした。 - 特許庁

A fluid pressure sensor 1 for measuring a fluid pressure is equipped with a diaphragm part 12 which is a strain body, a silicon oxide film 21 which is an insulating film, and a strain gage 20 made of crystalline silicon, and an austenitic precipitation hardening-type Fe-Ni heat resisting steel having excellent mechanical strength and corrosion resistance is used for the diaphragm part 12.例文帳に追加

流体の圧力を測定する流体圧力センサ１は、起歪体であるダイアフラム部１２、絶縁膜であるシリコン酸化膜２１および結晶性シリコンの歪ゲージ２０を備えており、ダイアフラム部１２には機械強度と耐食性に優れたオーステナイト系の析出硬化型Ｆｅ−Ｎｉ耐熱鋼が用いられる。 - 特許庁

The diaphragm 1 capable of displacement under measurement pressure is formed by an n-type silicon single crystal region 2 and insulation films formed on its surface and rear face.例文帳に追加

被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。 - 特許庁

To provide a silicon-diaphragm type vacuum pressure sensor device, by which a pressure region up to 13.3 kPa from 0.01 Pa can be measured continuously.例文帳に追加

０．０１Ｐａから１３．３ＫＰａまでの圧力領域を連続して測定可能なシリコンダイアフラム型真空圧力センサ装置を提供すること。 - 特許庁

To attain miniaturization of products and low manufacturing cost by mass production by manufacturing a capacitance type diaphragm vacuum gage and a Pirani vacuum gage on a single silicon substrate.例文帳に追加

静電容量型隔膜真空計とピラニ真空計を単一のシリコン基板上に製造することが可能で、これにより製品の小型化と大量生産による製造コストの低減が可能となる。 - 特許庁

A single crystal silicon substrate 21 having a heavily doped P type impurity layer 22 formed on one side thereof is subjected to anisotropic etching with potassium hydroxide added with surfactant to leave the heavily doped P type impurity layer 22 thus forming a diaphragm 10.例文帳に追加

片面に高濃度Ｐ型不純物層２２が形成された単結晶のシリコン基板２１を、界面活性剤を添加した水酸化カリウム水溶液で異方性エッチングして、高濃度Ｐ型不純物層２２を残留させて振動板１０を形成した。 - 特許庁

This hydrogen gas detecting element is provided with a diaphragm type silicon substrate 1, a gas sensitive membrane 5 comprising an oxide semiconductor such as SnO_2, a pair of comb-toothed electrodes 4 comprising Pt or the like, a catalyst cluster 6 comprising Pd, Pt or the like, and a patially poisoned body 7 comprising SiO_2 which is formed by oxidizing a Si film without heating.例文帳に追加

ダイアフラム型のシリコン基板１と、ＳｎＯ_2等の酸化物半導体からなるガス感応膜５と、Ｐｔ等からなる一対の櫛歯電極４と、Ｐｄ、Ｐｔ等からなる触媒クラスタ６と、ＳｉＯ_2からなる部分被毒体７と、を備え、部分被毒体がＳｉ膜を加熱せずに酸化させて形成された水素ガス検出素子を得る。 - 特許庁