Spin-RAMとは 意味・読み方・使い方

CLUSTER, AND SPIN RAM AND SPIN TORQUE OSCILLATOR USING THE SAME例文帳に追加

クラスター並びにこれを用いたスピンＲＡＭ及びスピントルク発振器 - 特許庁

SPIN ACCUMULATION MAGNETIC REVERSAL TYPE MEMORY ELEMENT, AND SPIN RAM例文帳に追加

スピン蓄積磁化反転型のメモリ素子及びスピンＲＡＭ - 特許庁

To provide a cluster which is applicable to a spin RAM, a spin torque oscillator etc.例文帳に追加

スピンＲＡＭ、スピントルク発振器などに適用できるクラスターを提案する。 - 特許庁

METHOD OF OPERATING MAGNETIC RAM DEVICE USING SPIN INJECTION, AND MAGNETIC RAM DEVICE例文帳に追加

スピン注入を用いて磁気ラム素子を駆動させる方法、及び磁気ラム素子 - 特許庁

During spin-up, TE signals in a plus direction and TE signals in a minus direction are measured in one rotation of the DVD-RAM twice or more the number of CAPAs of the DVD-RAM.例文帳に追加

スピンアップの実行時に、ＤＶＤ−ＲＡＭの１回転で＋方向のＴＥ信号と−方向のＴＥ信号とをＤＶＤ−ＲＡＭのＣＡＰＡの個数の２倍以上の計測回数で計測される。 - 特許庁

A double annealing process is carried out to remove a magnetization probe failure while a low magnetic field is successively applied in a state wherein a magnetization probe failure occurs when a high magnetic field is applied in a process of forming the MTJ cell of a magnetic RAM having a SAF structure, so that the MTJ cell of the magnetic RAM improved in uniformity in the direction of spin can be formed.例文帳に追加

本発明は、ＳＡＦ構造のマグネチックラムのＭＴＪセル形成工程時に高い磁場の印加による磁化プローブ不良が発生した状態で順次に低い磁場の印加による２重アニーリング工程を実施して磁化プローブ不良を除去し、スピン方向の均一性を向上させたマグネチックラムのＭＴＪセルを形成することができる。 - 特許庁

When a spin up of an HDD is started after loading an OS and device drivers in a second domain 42 on a RAM 2, and following this, a buffer memory 43 is created in a first domain 41 to secure a domain for writing data when there is a writing request to the HDD.例文帳に追加

ＲＡＭ２上の第２の領域４２にＯＳやデバイスドライバをロードした後、ＨＤＤのスピンアップが開始されると、それに付随して、第１の領域４１にはバッファ用メモリ４３を生成して、ＨＤＤへの書き込み要求があった場合にデータを書き込む領域を確保する。 - 特許庁