Tc3とは 意味・読み方・使い方

Controlling transistors TC1 to TC3 comprising N-channel MOS transistors are connected between a connecting point between drains of both transistors constituting CMOS inverters IN1 to IN3 and grounding potential, and a control voltage VC is applied to gates of the TC1 to TC3.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータＩＮ_1 〜ＩＮ_3 を構成する両トランジスタのドレイン間の接続点と、接地電位との間にＮチャネルＭＯＳトランジスタからなる制御用トランジスタＴＣ_1 〜ＴＣ_3 を接続し、制御用トランジスタＴＣ_1 〜ＴＣ_3 のゲートに制御電圧Ｖ_C を印加する。 - 特許庁

Since the TC1 to TC3 are connected between the connecting point between the drains of both transistors constituting the IN1 to IN3 and grounding potential, the low voltage operation can be achieved as compared when the T1 to TC3 are connected in series with the IN1 to IN3.例文帳に追加

このとき、制御用トランジスタＴＣ_1 〜ＴＣ_3 は、ＣＭＯＳインバータＩＮ_1 〜ＩＮ_3 の両トランジスタのドレイン間の接続点と接地との間に接続されているから、制御用トランジスタＴＣ_1 〜ＴＣ_3 をＣＭＯＳインバータＩＮ__1 〜ＩＮ_3 と直列に接続する場合に比較して、低電圧化を図ることができる。 - 特許庁

When any one of the capacitor temperatures Tc1, Tc2, and Tc3 rises to a threshold temperature Tth or higher, the control unit 21 executes control for lowering a boosting voltage target value or boosting ratio in boosting by the battery converter 20.例文帳に追加

制御部２１は、コンデンサ温度Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３のいずれかが閾値温度Ｔｔｈ以上になったとき、バッテリコンバータ２０による昇圧電圧目標値または昇圧比を低下させる制御を実行する。 - 特許庁

An opening of the control valve 37 is adjusted on the basis of outputs of temperature sensors Tc3 or Tc4 and Tc5, in accordance with the lowering of the temperature of the load-side refrigerant to a normal temperature by being cooled by the primary cooling water.例文帳に追加

一次冷却水の冷却により負荷側冷媒の温度が常温に近付くにつれ、温度センサＴｃ３またはＴｃ４、およびＴｃ５の出力に応じて制御バルブ３７の開度を調節する。 - 特許庁

By this, a controlling current Id is made to flow through the TC1 to TC3, which results in varying the inverter current If flowing through the IN1 to IN3, and oscillation frequencies of oscillation output varies.例文帳に追加

これによって制御用トランジスタＴＣ__1 〜ＴＣ_3 には制御用電流Ｉｄが流れるから、結果的にインバータＩＮ_1 〜ＩＮ__3 を流れるインバータ電流Ｉｆが変化することになって、発振出力の発振周波数が変化する。 - 特許庁

The third magnetic layer is made to vertical magnetic film by forming multilayer films including the first, the second and the third magnetic layer in this order to lower curie temperature TC2 of the second magnetic layer than curie temperature TC1 of the first magnetic layer and curie temperature of TC3 of the third magnetic layer.例文帳に追加

第１磁性層、第２磁性層および第３磁性層をこの順に含む多層膜を形成し、第２磁性層のキュリー温度Ｔ_C2を第１磁性層のキュリー温度Ｔ_C1および第３磁性層のキュリー温度Ｔ_C3よりも低くして第３磁性層を垂直磁化膜とする。 - 特許庁