Trimethylsilaneとは 意味・読み方・使い方

By increasing the flow rate of the trimethylsilane gas step by step, the density of the SiOC film 203 declines gradually.例文帳に追加

ここで、トリメチルシランガスの流量を段階的に増加させることにより、ＳｉＯＣ膜２０３の膜密度が次第に低下する。 - 特許庁

Because of this, the density of the SiOC film 203 declines as the content of trimethylsilane in the gas is increased.例文帳に追加

このため、原料ガス中のトリメチルシラン量を増加させることにより、膜密度が減少するのである。 - 特許庁

In the semiconductor device, an SiOC film 203 of 300 nm in thickness is formed by a plasma CVD method according to which the flow rate of a trimethylsilane gas is increased step by step.例文帳に追加

トリメチルシランガスの流量を段階的に増加させたプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯＣ膜２０３を３００ｎｍ成膜する。 - 特許庁

The hydrophobing of the surface of the SOG film is performed by using a hydrophobing agent containing TMSDMA (trimethylsilane dimethylamine) or TMHD(DPM) (tetramethylheptane-dione).例文帳に追加

ＳＯＧ膜の表面の疎水化は、ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシランジメチルアミン）又はＴＭＨＤ(ＤＰＭ)（テトラメチルヘプタンジオン）を含む疎水化剤を用いて行われる。 - 特許庁

The trimethylsilane and the trialkylchlorosilane can simultaneously be produced from the trimethylchlorosilane and the trialkylhydrosilane compound without being accompanied by the formation of dimethylsilane or tetramethylsilane as by-products.例文帳に追加

本発明によれば、トリメチルクロロシランとトリアルキルヒドロシラン化合物から、ジメチルシランやテトラメチルシランの副生を伴わないでトリメチルシランとトリアルキルクロロシランを併産することができる。 - 特許庁

The organosilicon compound preferably contains two or three carbon atoms bonded to respective silicon atoms, such as a trimethylsilane (CH3)3SiH.例文帳に追加

有機シリコン化合物は、好ましくは各シリコン原子に結合された２個または３個の炭素原子を有するもの、例えばトリメチルシラン、（ＣＨ_3）_3ＳｉＨである。 - 特許庁

To provide a refining method for simply removing a chlorine-containing compound which is an impurity contained in trimethylsilane useful as a film-forming raw material in semiconductor production in high yield.例文帳に追加

半導体製造における成膜原料として有用なトリメチルシランに含まれる不純物である含塩素化合物を簡便に高収率で除去する精製方法を提供する。 - 特許庁

An organic silicon compound comprised of trimethylsilane is introduced without continuously destroying vacuum, a SiCN film 130 is formed by a plasma process and further, a SiC film 132 is continuously deposited.例文帳に追加

連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。 - 特許庁