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al interfaceとは 意味・読み方・使い方
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「al interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 61件
The thickness of the Al layer may be 5 μm or larger and an Fe-Al alloy layer or Fe-Al-Si alloy layer having a thickness of 1 μm or larger exists at the interface between the Al layer and the steel material.例文帳に追加
Al層の厚みが5μm以上であり、Al層と鋼材との界面に、厚みが1μm以上のFe−Al合金層又はFe−Al−Si合金層を有しても良い。 - 特許庁
Over 40 companies and research groups participated in the discussions leading to the revised architecture that was described in the Berkeley Software Architecture Manual McKusick et al, 1994 . Several of the companies have implemented the revised interface Gingell et al, 1987 .発音を聞く 例文帳に追加
40社を超える会社と研究グループが、 Berkeley Software Architecture Manual McKusick et al, 1994に記載されたアーキテクチャの改訂版を策定する議論に参加し、いくつかの企業はその改訂版のインタフェースを実装しました Gingell et al, 1987。 - FreeBSD
(1) The method for manufacturing the galvannealed steel sheet comprises the steps of: forming an Fe-Ni-Al-Zn alloy layer on an interface between the steel sheet and a galvanizing layer in a hot-dip galvanizing bath; and eliminating the Fe-Ni-Al-Zn alloy layer and simultaneously forming a Zn-Fe alloy layer having Ni and Al dispersed therein, by heat treatment.例文帳に追加
(1)溶融亜鉛メッキ浴内で、地鉄界面にFe-Ni-Al-Zn合金層を形成した後、加熱処理により前記Fe-Ni-Al-Zn合金層を消失させると共に、Ni,Alの分散したZn-Fe合金層を形成することを特徴とする合金化溶融亜鉛メッキ鋼板の製造方法。 - 特許庁
The interface layer 15 is composed of at least one of Al, Ga, and In.例文帳に追加
この界面層15は、Al、Ga、およびInの少なくとも一種以上からなる。 - 特許庁
In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加
これにより、Alが30〜70mass%、Siが0.1 〜1.0mass%、SrがSi含有量の0.5 〜2%含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20%以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁
FC-AL is unique in that it serves as both a medium for transferring network messages as well as a storage interface.発音を聞く 例文帳に追加
ファイバチャネル調停ループ(FC-AL)は,記憶インタフェースとしてだけでなく,ネットワークメッセージを転送する媒体としても機能する点が独特である. - コンピューター用語辞典
When forming the films, the Ti film 7 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 11 on the interface thereof, and the Ti film 9 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 12 on the interface thereof.例文帳に追加
成膜時にTi膜7とAl−Si合金膜8との反応によりそれらの界面にAl−Ti−Si合金膜11が、Ti膜9とAl−Si合金膜8との反応によりそれらの界面にAl−Ti−Si合金膜12が形成される。 - 特許庁
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「al interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 61件
To provide a semiconductor device operating stably without generating peeling on an interface between an Al film and a ground insulating material in an Al wiring structure using Al as the main composition material.例文帳に追加
Alを主構成材料とするAl配線構造において、Al膜と下地絶縁材料との界面で剥離が生じることがなく、安定に動作する半導体装置を提供する。 - 特許庁
The Al layer 17 is made to react on the Ti oxide 16 through vacuum annealing to form an Al oxide layer 18 at an interface between the Al layer 17 and the Ti oxide 16 (d).例文帳に追加
真空アニールを行ってAl層17とTi酸化物16とを反応させて、Al層17とTi酸化物16との界面にAl酸化物層18を形成する(図1(d))。 - 特許庁
When a hot-rolled steel sheet or a cold-rolled steel sheet to be plated is dipped into a plating bath containing molten zinc or zinc base alloy and 0.14 wt.%-0.30 wt.% Al, voids tend to exist in a Fe-Al alloy layer at the interface of the steel sheet/plated film.例文帳に追加
熱延鋼板または冷延鋼板である被めっき鋼板を、亜鉛又は亜鉛系合金を溶融し、浴中Al濃度を0.14wt%以上0.30wt%以下となるようにAlを添加しためっき浴に浸漬して製造する溶融亜鉛めっき鋼板において、鋼板/めっき皮膜界面のFe-Al合金層に空孔が存在する。 - 特許庁
An interface of ultrasonic welding is formed of Al of the same kind by the Al layer 24, and thereby ultrasonic application energy applied on the connection part does not become excessive.例文帳に追加
Al層24により、超音波溶接の界面は同種のAl同士になるので、接続部に付与される超音波印加エネルギーは、過剰になることがない。 - 特許庁
Alternatively, a re-grown interface which contains Al is subjected to a cleaning treatment by the use of BHF or the like before re-growth.例文帳に追加
或いは、再成長前にAlを含む再成長界面をBHF等で清浄化処理する。 - 特許庁
INTELLIGENT TYPE DEVICE CAPABLE OF SHARING IDENTICAL USER INPUT/OUTPUT INTERFACE BY AL INTELLIGENT TYPE MODULES例文帳に追加
全ての知的タイプなモジュールが同一の使用者入出力インターフェースを共用できる知的タイプな装置 - 特許庁
Consequently, a normal Au-Al alloy layer 54b is formed over the entire bonding interface.例文帳に追加
これにより、接合界面の全域に亘って正常なAu−Al合金層54bが形成される。 - 特許庁
Intermetallics 55 of Al and these elements deposit on interface 151 of the multi-layer cabling and prevents the hillock from being formed by swelling of crystal grains of Al.例文帳に追加
Alとこれらの元素の金属間化合物55が多層配線の界面151に析出し、Alの結晶粒が肥大化してヒロックが形成されることを防止する。 - 特許庁
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