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al interfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 61件
The thickness of the Al layer may be 5 μm or larger and an Fe-Al alloy layer or Fe-Al-Si alloy layer having a thickness of 1 μm or larger exists at the interface between the Al layer and the steel material.例文帳に追加
Al層の厚みが5μm以上であり、Al層と鋼材との界面に、厚みが1μm以上のFe−Al合金層又はFe−Al−Si合金層を有しても良い。 - 特許庁
Over 40 companies and research groups participated in the discussions leading to the revised architecture that was described in the Berkeley Software Architecture Manual McKusick et al, 1994 . Several of the companies have implemented the revised interface Gingell et al, 1987 . 例文帳に追加
40社を超える会社と研究グループが、 Berkeley Software Architecture Manual McKusick et al, 1994に記載されたアーキテクチャの改訂版を策定する議論に参加し、いくつかの企業はその改訂版のインタフェースを実装しました Gingell et al, 1987。 - FreeBSD
(1) The method for manufacturing the galvannealed steel sheet comprises the steps of: forming an Fe-Ni-Al-Zn alloy layer on an interface between the steel sheet and a galvanizing layer in a hot-dip galvanizing bath; and eliminating the Fe-Ni-Al-Zn alloy layer and simultaneously forming a Zn-Fe alloy layer having Ni and Al dispersed therein, by heat treatment.例文帳に追加
(1)溶融亜鉛メッキ浴内で、地鉄界面にFe-Ni-Al-Zn合金層を形成した後、加熱処理により前記Fe-Ni-Al-Zn合金層を消失させると共に、Ni,Alの分散したZn-Fe合金層を形成することを特徴とする合金化溶融亜鉛メッキ鋼板の製造方法。 - 特許庁
The interface layer 15 is composed of at least one of Al, Ga, and In.例文帳に追加
この界面層15は、Al、Ga、およびInの少なくとも一種以上からなる。 - 特許庁
In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加
これにより、Alが30〜70mass%、Siが0.1 〜1.0mass%、SrがSi含有量の0.5 〜2%含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20%以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁
FC-AL is unique in that it serves as both a medium for transferring network messages as well as a storage interface. 例文帳に追加
ファイバチャネル調停ループ(FC-AL)は,記憶インタフェースとしてだけでなく,ネットワークメッセージを転送する媒体としても機能する点が独特である. - コンピューター用語辞典
When forming the films, the Ti film 7 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 11 on the interface thereof, and the Ti film 9 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 12 on the interface thereof.例文帳に追加
成膜時にTi膜7とAl−Si合金膜8との反応によりそれらの界面にAl−Ti−Si合金膜11が、Ti膜9とAl−Si合金膜8との反応によりそれらの界面にAl−Ti−Si合金膜12が形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device operating stably without generating peeling on an interface between an Al film and a ground insulating material in an Al wiring structure using Al as the main composition material.例文帳に追加
Alを主構成材料とするAl配線構造において、Al膜と下地絶縁材料との界面で剥離が生じることがなく、安定に動作する半導体装置を提供する。 - 特許庁
The Al layer 17 is made to react on the Ti oxide 16 through vacuum annealing to form an Al oxide layer 18 at an interface between the Al layer 17 and the Ti oxide 16 (d).例文帳に追加
真空アニールを行ってAl層17とTi酸化物16とを反応させて、Al層17とTi酸化物16との界面にAl酸化物層18を形成する(図1(d))。 - 特許庁
When a hot-rolled steel sheet or a cold-rolled steel sheet to be plated is dipped into a plating bath containing molten zinc or zinc base alloy and 0.14 wt.%-0.30 wt.% Al, voids tend to exist in a Fe-Al alloy layer at the interface of the steel sheet/plated film.例文帳に追加
熱延鋼板または冷延鋼板である被めっき鋼板を、亜鉛又は亜鉛系合金を溶融し、浴中Al濃度を0.14wt%以上0.30wt%以下となるようにAlを添加しためっき浴に浸漬して製造する溶融亜鉛めっき鋼板において、鋼板/めっき皮膜界面のFe-Al合金層に空孔が存在する。 - 特許庁
An interface of ultrasonic welding is formed of Al of the same kind by the Al layer 24, and thereby ultrasonic application energy applied on the connection part does not become excessive.例文帳に追加
Al層24により、超音波溶接の界面は同種のAl同士になるので、接続部に付与される超音波印加エネルギーは、過剰になることがない。 - 特許庁
Alternatively, a re-grown interface which contains Al is subjected to a cleaning treatment by the use of BHF or the like before re-growth.例文帳に追加
或いは、再成長前にAlを含む再成長界面をBHF等で清浄化処理する。 - 特許庁
INTELLIGENT TYPE DEVICE CAPABLE OF SHARING IDENTICAL USER INPUT/OUTPUT INTERFACE BY AL INTELLIGENT TYPE MODULES例文帳に追加
全ての知的タイプなモジュールが同一の使用者入出力インターフェースを共用できる知的タイプな装置 - 特許庁
Consequently, a normal Au-Al alloy layer 54b is formed over the entire bonding interface.例文帳に追加
これにより、接合界面の全域に亘って正常なAu−Al合金層54bが形成される。 - 特許庁
Intermetallics 55 of Al and these elements deposit on interface 151 of the multi-layer cabling and prevents the hillock from being formed by swelling of crystal grains of Al.例文帳に追加
Alとこれらの元素の金属間化合物55が多層配線の界面151に析出し、Alの結晶粒が肥大化してヒロックが形成されることを防止する。 - 特許庁
To provide a disk array device capable of build-up/detaching to an FC-AL by specifying the physical drive of fault occurrence when the interface of the FC-AL is linked down.例文帳に追加
FCーALのインタフェースがリンクダウンした場合、障害発生の物理ドライブを特定し、FCーALへ組み込み/切り離しができるディスクアレイ装置を提供する。 - 特許庁
A reaction phase containing Al is formed at the interface between the ceramic and the metal, and a joined body wherein the oxide-based ceramic and the metal containing Al are joined to each other through the reaction phase is obtained.例文帳に追加
両者の境界面にAlを含む反応相を形成し、この反応相を介して酸化物系セラミックスとAlを含む金属とが結合された接合体を得る。 - 特許庁
The Al composition x of the first graded layer 104 linearly decreases 0.2 to 0.1 from the interface between the layer 104 and the channel layer 103 toward the interface between the layer 104 and the second graded layer 105.例文帳に追加
第1グレーデッド層104のAl組成xはチャネル層103との界面から第2のグレーデッド層105との界面に向かって0.2から0.1に直線的に減少している。 - 特許庁
The uppermost part of the buried layer 111 contains Al, a buried protective layer whose Al composition ratio is smaller than that of the uppermost part of the buried layer 111 is provided thereon so as to protect a re-grown interface 132b against oxidation.例文帳に追加
また、埋め込み層111の少なくとも最上部がAlを含み、その上にそれよりもAl組成比が小さい埋め込み保護層を設けて再成長界面132bの酸化を防ぐ。 - 特許庁
When such a bonding wire is used to connect to an electrode whose principal constituent is Al, a joint construction is obtained in which intermetallics of Al and X exist at an interface of a very fine-grained layer and a matrix.例文帳に追加
このボンディングワイヤによってAlを主成分とする電極と接続したとき微細粒層とマトリックスとの界面にAlとXの金属間化合物が存在する接続部構造を得る。 - 特許庁
To provide a laminated foil which shows high electric conductivity in the lamination direction and superb selective etching properties by using aluminum or an aluminum alloy as an intermediate layer and inhibiting the oxidation of the aluminum in a joint interface between the intermediate layer and a metallic foil arranged so that the intermediate layer is sandwiched between the metallic foils.例文帳に追加
中間層としてAlまたはAl合金を用い、中間層を挟持するように配置された金属箔との接合界面におけるAlの酸化を抑制することで、積層方向の電気導電率が高く、選択エッチング性に優れた積層箔を提供する。 - 特許庁
To provide a Ti-Al alloy combining excellent ductility at the ordinary temperature with excellent high temperature strength characteristic by establishing a unidirectional solidification technique where a single crystal, in which the lamellar interface of a Ti-Al-base alloy containing ≥1 atomic % Si is oriented along the direction of solidification, is grown and acicular or laminar titanium silicides dispersed in the single crystal are refined and oriented in a direction parallel to the lamellar interface.例文帳に追加
Siを1at%以上で含有するTi−Al基合金のラメラ界面が凝固方向に沿って配向した単結晶を育成し、その単結晶中に分散する針状あるいは板状のチタンシリサイドを微細化すると共に、ラメラ界面に平行に配向させる、一方向凝固技術を確立することによって、優れた常温延性および高温強度特性を併せ持つTi−Al系合金を提供する。 - 特許庁
Besides, incoming data received by interface receivers 5 from the terminal interface input/output points 2 are constituted as the frame on the line by an incoming frame converting part and outputted from al ine driver 3.例文帳に追加
また、端末インタフェース入出力点2からインタフェースレシーバ5が受信した上りデータは、上りフレーム変換部によって回線上のフレームとして構成され、ラインドライバ3から出力される。 - 特許庁
At least, the uppermost part of the second clad layer 107 contains Al, a second conductivity-type mesa protective layer 108 whose Al composition ratio is smaller than that of the uppermost part of the second clad layer 107 is provided thereon so as to protect a re-grown interface 132a against oxidation.例文帳に追加
第2クラッド層107の少なくとも最上部にAlを含み、その上にそれよりもAl組成比が小さい第2導電型のメサ保護層108を設けて再成長界面132aの酸化を防ぐ。 - 特許庁
Content ratio of Al in the composition of the transition layer 5 is set equal to the content ratio of Al of the emitter layer 6 and is made to reduce linearly toward the side which is in contact with the base layer 4 with noncontinuous changes at the interface with the base layer.例文帳に追加
遷移層5の組成中Alの含有率をエミッタ層6のAl含有率と等しく、ベース層4に接する側に向けて直線的に減少させ、ベース層との界面で不連続に変化させる。 - 特許庁
Since the front surface of the Al film 3 is coated and protected by the Ti thin film 2, 4 and 5, the risk that impurities and water content penetrate along the interface between the substrate 1 and the film 3 to contaminate and corrode the Al is removed.例文帳に追加
また、Al膜3がTi薄膜2、4、5で前面が被覆保護されているので、基板1との界面に沿って不純物や水分が侵入してAlを汚染腐食するというようなおそれが解消された。 - 特許庁
In a bonding section on the secondary bonding side where the Al pad 21 and the Au wire 40 are bonded, an interface between Au and an Au-Al alloy layer 60 extended in the thickness direction of the wire 40 stays inside the wire 40.例文帳に追加
2次ボンディング側におけるAlパッド21とAuワイヤ40との接合部にて、ワイヤ40の厚さ方向に延びるAu−Alの合金層60とAuとの界面65が、ワイヤ40の内部にとどまっている。 - 特許庁
To obtain a buried hetero semiconductor laser device which is improved in laser characteristics, having a prolonged service life by a method wherein a re-grown interface containing Al is protected against oxidation in a CM-BH structure.例文帳に追加
CM−BH構造においてAlを含む再成長界面の酸化を防いで良好なレーザ特性および素子寿命を得る。 - 特許庁
The interface layers 103 and 105 are constituted as dielectric layers composed essentially of a mixture containing an oxide of Al, an oxide of Y and an oxide of Ta.例文帳に追加
界面層103、105は、Alの酸化物、Yの酸化物、及び、Taの酸化物を含む混合体を主成分とする誘電体層として構成される。 - 特許庁
To manufacture a steel-aluminum joint structure having a high joint strength by inhibiting a brittle layer of Al-Fe binary alloy from expanding over the whole joining interface.例文帳に追加
脆弱なAl-Fe二元合金層が接合界面全域に広がることを抑え、継手強度の高い鋼/アルミニウム接合構造体を製造する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a pressure sensor capable of preventing a corrosive medium from intruding to the side of a pad from the interface between an Au film and an Al film and the pad from being corroded by heightening an adhesive force of the Au film and the Al film.例文帳に追加
Au膜とAl膜との密着力を高めることで、これらの界面から腐食媒体がパッド側に浸入することを防止でき、パッドが腐食されることを防止できる圧力センサの製造方法を提供する。 - 特許庁
The FET 1 has an electron supply layer 14 made of AlGaAs, an interface stabilizing layer 15 which is provided on the electron supply layer 14 and contains no Al, an etching stop layer 16 which is provided on the interface stabilizing layer 15 and made of InGaP, and a contact layer 17 which is provided on the etching stop layer 16 and made of GaAs.例文帳に追加
FET1は、AlGaAsからなる電子供給層14と、電子供給層14上に設けられた、Alを含まない界面安定化層15と、界面安定化層15上に設けられた、InGaPからなるエッチングストップ層16と、エッチングストップ層16上に設けられた、GaAsからなるコンタクト層17と、を備えている。 - 特許庁
This laminated foil comprises the intermediate layer formed of the aluminum or the aluminum alloy, arranged in such a manner that the intermediate layer is sandwiched between the metallic foils, and has an oxide layer with 0.1 μm or less thickness, formed on the intermediate layer side of an interface between the intermediate layer and the metallic foil.例文帳に追加
AlまたはAl合金でなる中間層を金属箔で挟持するように配置した積層箔において、前記中間層と前記金属箔との界面の中間層側に形成される酸化物層の厚さが0.1μm以下である積層箔。 - 特許庁
A ZnO-based crystal layer having grown on a substrate of a sapphire (Al_2O_3) single crystal has a solid solution layer formed by solidly solving aluminum (Al) of the substrate in an interface with the substrate.例文帳に追加
サファイア(Al_2O_3)単結晶の基板上に成長したZnO系結晶層は、基板との界面に基板のアルミニウム(Al)が固溶された固溶層を有している。 - 特許庁
When an HDD-N detects an interface error in an FC-AL system, a signal is transmitted for specifying a node where the error occurs.例文帳に追加
本発明の一形態のFC−ALシステムにおいて、HDD−Nがインターフェース・エラーを検出すると、エラーが発生したノードを特定するための信号を送信する。 - 特許庁
The hot-dip aluminized steel plate preferably has an Al-Fe-Si ternary alloy layer with a thickness of ≥0.1 μm, which is formed on an interface between the plated layer and base steel.例文帳に追加
溶融アルミニウムめっき鋼板は、好ましくは厚さ0.1μm以上のAl-Fe-Si三元合金層をめっき層/下地鋼の界面に形成している。 - 特許庁
At the same time, the electronic supply layer is formed to have a composition rich in Al in the vicinity of the hetero interface, whereby the high sheet carrier density and the high electronic mobility are obtained.例文帳に追加
同時に、電子供給層が、ヘテロ界面近傍においてAlリッチな組成を有するように形成されることによって、高いシートキャリア濃度と高い電子移動度とが実現されてなる。 - 特許庁
In that case, the vicinity of an interface 4 with the foundation layer 2, namely near the concavity formed of the foundation layer 2 is imparted by the slope structure so that it may be made richer in Al than the vicinity of the uppermost surface.例文帳に追加
その際、下地層2との界面4の近傍、つまりは下地層2によって形成される凹部近傍が、最表面付近よりもAlリッチであるように傾斜組成を与える。 - 特許庁
To prevent corrosion of an Al wiring electrode by suppressing the increase of charge density at an interface between a substrate and a protective film in a semiconductor device where a silicon nitride film including hydrogen is laminated and formed.例文帳に追加
水素を含む窒化シリコン膜とが積層形成された半導体装置における基板と保護膜との界面の電荷密度の増大を抑え、Al配線電極の腐蝕を防止する。 - 特許庁
A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加
サファイア(Al_2O_3)単結晶の基板上に成長したZnO系結晶層は、基板との界面にアルミニウム(Al)が8×10^20個/cm^3以上の濃度で固溶した固溶層、及びAlの濃度が1×10^19cm^3以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁
In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded.例文帳に追加
AlGaInP系材料においてはAl組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。 - 特許庁
This method for manufacturing the slide bearing that employs the bearing material made from the Al-Sn alloy includes adopting a HIP (hot isostatic pressing) process, and using stainless steel for a base material of a back metal or making nickel exist in the interface between the slide bearing and the base material of the back metal.例文帳に追加
Al−Sn合金を軸受材としたすべり軸受製造において、HIP(熱間等方圧加圧)法を採用して、裏金母材をステンレス鋼とするか、または界面にニッケルを介在させる。 - 特許庁
To provide a method of ultrasonically joining aluminum or aluminum alloy with steel for obtaining stable joining strength without generating any Al-Fe intermetallic compounds on a joining interface and to obtain an ultrasonically joined body.例文帳に追加
接合界面にAl—Fe系の金属間化合物が生成せず、安定した接合強度が得られるアルミニウム又はアルミニウム合金材と鋼材との超音波接合方法及び超音波接合体を提供する。 - 特許庁
Al is deposited through a CVD method on the entire surface of a resultant substrate, having the interface adjustment layer 42 formed therein to form a contact lug within the contact hole and also to form a wiring layer on the film 20 connected with the plug.例文帳に追加
界面調節層が形成された結果物上にCVD方法によってAlを全面蒸着してコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成すると同時に層間絶縁膜上にコンタクトプラグと連結される配線層を形成する。 - 特許庁
The Al composition x of the second graded layer 105 linearly increases 0.1 to 0.3 from the interface between the layer 105 and the first graded layer 104 toward a surface opposite to the first graded layer 104.例文帳に追加
第2グレーデッド層105のAl組成xは、第1のグレーデッド層104との界面から第1のグレーデッド層104とは反対側の表面に向かって0.1から0.3にAl組成xが直線的に増加している。 - 特許庁
To provide a steel/aluminum joint structure for suppressing the generation of a brittle Al-Fe binary alloy layer generated in a joint interface after cooling in an adequacy range in mig welding and having joint strength and peeling strength.例文帳に追加
ミグ溶接時に、冷却後の接合界面に生成する脆弱なAl−Fe二元合金層の生成を適性範囲に抑制し、高い接合強度及び剥離強度を有する鋼/アルミニウムの接合構造体を提供する。 - 特許庁
In a joint formed by joining a base material comprising aluminum nitride and a member comprising an Al-base metal to be joined to the base material, a Ge thickened phase and an Mg thickened phase having ≤100 μm thickness are present along the joining interface.例文帳に追加
窒化アルミニウムからなる母材と、この母材に接合されるAl系金属からなる接合相手部材との接合部に、接合界面に沿って、厚さが100μm以下のGeの濃化相とMgの濃化相が存在している。 - 特許庁
Thereby, the conduction between the barrier rib 14 and the grid electrode 27 is cut off by the intermediate layer 30, and the reduction of the lead glass due to the oxidation of Al at baking is prevented on the interface between the barrier rib 14 and the grid electrode 27.例文帳に追加
これにより、隔壁14とグリッド電極27との間の導通が中間層30で遮断され、隔壁14とグリッド電極27との界面において、焼成時のAlの酸化による鉛系ガラスの還元が防止される。 - 特許庁
With respect to an Al alloy member for open rack vaporizer provided with the Al-Zn sprayed coating on a surface of an Al alloy base material, pores existing near an interface of the base material and the sprayed coating, of the sprayed coating are impregnated with a filler including carbon so that a carbon of 0.3 mass% or more is detected as a result of cross-section observation by EPMA.例文帳に追加
Al合金基材の表面にAl−Zn溶射皮膜が形成されているオープンラックベーパライザ用のAl合金部材であって、この溶射皮膜は、少なくとも、基材と溶射皮膜との界面近傍に存在する気孔においては、EPMAによる断面観察結果として、0.3質量%以上の炭素が検出されるように、炭素を含む充填剤によって含浸処理がなされていることを特徴とするAl−Zn溶射皮膜含有Al合金部材である。 - 特許庁
There is existent along an interface between the Cu wiring and the second insulating film (27) discontinuously at least one kind of metal or metal oxide (28) selected from a group comprising Ti, Al, W, Pd, Sn, Ni, Mg, and Zn.例文帳に追加
前記Cu配線と前記第2の絶縁膜との界面には、Ti、Al、W、Pd、Sn、Ni、Mg、およびZnからなる群から選択される少なくとも1種の金属またはその酸化物(28)が不連続に存在することを特徴とする。 - 特許庁
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