ar taとは 意味・読み方・使い方

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

To reduce the surface roughness of a TiN film as a lower electrode without steps such as chemical mechanical polishing, sputtering by Ar, deposition of Ta film, etc.例文帳に追加

下部電極となるＴｉＮ膜の表面のラフネスを低減させるために、化学機械研磨、Ａｒによるスパッタリング、Ｔａ膜の堆積等の工程が必要になる。 - 特許庁

When reactive sputtering is performed by using a base material 1 composed of silicon and having a (111)-oriented surface 1a for film deposition, a target formed from Ta, and a process gas comprising Ar and N_2, at least a (100)-oriented tantalum nitride film is formed on the surface 1a for film deposition of the base material 1.例文帳に追加

被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。 - 特許庁

By controlling flow rates of Ar and He gases which flow in a condensed cluster deposition device and a length of a cluster growth area in plasma gas, Ta clusters having an average diameter of from 4 to 10 nm are deposited on an insulating substrate (glass, plastic substrate) to form transition metal clusters assembly having low-magnetic resistance.例文帳に追加

絶縁体基板（ガラス、プラスティック）の上に、プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置を用いて、該装置に導入するＡｒやＨｅガスの流量、クラスター成長領域長さ等を制御することにより、平均サイズ４−１０ｎｍのサイズの揃ったＴａクラスターを堆積させて低磁気抵抗遷移金属クラスター集合体を製造する。 - 特許庁