atomic lineとは 意味・読み方・使い方

To provide a scanning probe microscope such as an atomic force microscope or the like enhanced in throughput as an in-line device by shortening a probe approach time.例文帳に追加

探針アプローチ時間を短縮してインライン装置としてのスループットを向上させた原子間力顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡を提供することにある。 - 特許庁

A patterning interconnect line employing nano copper metal particles is formed on a substrate by a direct writing system and then metal surface oxide film of that interconnect line is reduced by atomic hydrogen and/or organic substances are removed therefrom.例文帳に追加

本発明は、基板上にナノ銅金属粒子を用いたパターニング配線を直描方式により形成し、この配線に対して、原子状水素により金属表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去の処理をする。 - 特許庁

On the selector laminated film, a heterogeneous component containing layer composed of 14-group elements having a larger atomic radius than that of silicon is formed in a part of the region except the ends of the word line side and the bit line side.例文帳に追加

前記セレクタ積層膜には、前記ワード線側の端部及び前記ビット線側の端部を除く領域の一部に、第１４族元素であって原子半径がシリコンよりも大きい元素を含有する１ヶ所の異種成分含有層が形成されている。 - 特許庁

In the water vapor reforming of the dimethyl ether, a heat supplying line 32 to supply heat from an atomic reactor 31 as water vapor, a fuel supplying line 34 to supply a fuel composed of the dimethyl ether and water vapor and a water vapor reformer 33, are equipped.例文帳に追加

ジメチルエーテルの水蒸気改質では、原子炉３１の熱を水蒸気で供給する熱供給系３２や、ジメチルエーテルや水蒸気から成る燃料を供給する燃料供給器３４や、水蒸気改質器３３を備える。 - 特許庁

A grow discharge atomic emission spectrometry method is preferable for this analyzing method, and the components contained in the molten metal can be analyzed with high accuracy up to the limit of a very small amount and all elements are simultaneously analyzed on line.例文帳に追加

分析方法としてはグロー放電発光分光法が好ましく、溶融金属に含有される成分を微量域まで高精度で全元素同時にオンライン分析することができる。 - 特許庁

A ceramic filter 14 is installed at the inlet part of a steam generator 1 in which condensate of a turbine 3 at a thermal power plant and an atomic power station flows, fine cladding in the high temperature feedwater line is removed.例文帳に追加

火力発電所や原子力発電所におけるタービン３の復水が流入する蒸気発生器１の入口部分に、セラミックフィルタ１４を設置し、高温給水ライン中の微細クラッドを除去する。 - 特許庁

When the surface form of the substrate 21 is measured in the measurement range of four quarters whose one side is 5μm by using an atomic force microscope, the number of ridges of textures which are observed at a position higher than the average line of measured roughness curve by 1.5nm is 200 or less.例文帳に追加

同情報記録媒体用ガラス基板２１の表面形状を、原子間力顕微鏡を使用し、１辺が５μｍ四方の測定範囲内で測定したとき、測定された粗さ曲線の平均線よりも１．５ｎｍ高い位置で観測されるテクスチャーの尾根の数は２００個以下である。 - 特許庁