atomic number 100とは 意味・読み方・使い方

an artificial radioactive element whose atomic number is 100, called fermium発音を聞く 例文帳に追加

フェルミウムという,原子番号100の人工放射性元素 - EDR日英対訳辞書

First, a reaction control layer 202, which includes a metal element having a larger atomic number than Ni and does not include Ni, is formed on a silicon layer 100.例文帳に追加

まず、シリコン層１００上に、Ｎｉより原子番号が大きい金属元素を含み、Ｎｉを含まない反応制御層２０２を形成する。 - 特許庁

The viewing angle restricting film comprises a metal selected from a group, comprising transition metals having atomic number 24-48, their oxides and their sulfides of and has 1-100 μm for the film thickness and through holes, arranged in a honeycomb form and having 1-100 μm for the pore diameter.例文帳に追加

原子番号が24〜48である遷移金属、その酸化物及びその硫化物よりなる群から選ばれる金属からなり、１μｍ〜100μｍの膜厚ならびにハニカム状に整列した孔径１μｍ〜100μｍの貫通孔を有する視野角制限フィルム。 - 特許庁

The sintered compact essentially contains elements belonging to 1-16 groups of the periodic table with atomic number ≥3 (except elements with atomic numbers 5-8 and 14), whose total content is ≤10 ppm, and has volume resistivity of 100-103 Ω.cm.例文帳に追加

周期律表における１族から１６族元素に属し、原子番号３以上の元素（但し、原子番号５〜８及び同１４の元素を除く）の総含有量が、１０ｐｐｍ以下であり、かつ、体積抵抗率が１０^0〜１０^3Ω・ｃｍであることを特徴とする炭化ケイ素焼結体である。 - 特許庁

The surface layer 19C comprises an amorphous film containing silicon and carbon, wherein the atomic ratio of carbon atoms in the total atomic number of silicon and carbon is 90-100 atm% at least in a region 19Ca with a constant thickness from the surface of a photosensitive layer 19.例文帳に追加

表面層１９Ｃは、珪素および炭素を含むアモルファス膜からなり、少なくとも感光層１９の表面から一定厚みの領域１９Ｃａまでにおいて、珪素と炭素との合計原子数における炭素原子の占める原子割合が９０ａｔｍ％以上１００ａｔｍ％未満とされている。 - 特許庁

The metallic thin film comprises a metal selected from the group consisting of transition metals with the atomic number of 24 to 48, the oxides thereof and the sulfides thereof, and has a film thickness of 0.01 to 100 μm and having holes with a hole diameter of 0.01 to 100 μm aligned in a honeycomb way.例文帳に追加

原子番号が２４〜４８である遷移金属、その酸化物及びその硫化物よりなる群から選ばれる金属からなり、０．０１μｍ〜１００μｍの膜厚ならびにハニカム状に整列した孔径０．０１μｍ〜１００μｍの孔を有する金属製薄膜である。 - 特許庁

A solar cell includes an n-layer containing In, Ga, Zn and O, and an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有するｎ層を備え、このｎ層中のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である太陽電池である。 - 特許庁