basal planeとは 意味・読み方・使い方

A plane 77 connecting the first leading end 74 and first basal end 73 of the first guide member 71 and a plane 78 connecting the second leading end 76 and second basal end 75 of the second guide member 72 are crossed upstream of the first basal end 73.例文帳に追加

第１案内部材７１の第１先端部７４および第１基端部７３を結ぶ平面７７と、第２案内部材７２の第２先端部７６および第２基端部７５を結ぶ平面７８とを、第１基端部７３の上流側で交差させる。 - 特許庁

Since the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer, a leakage current is suppressed.例文帳に追加

基底面内転位６が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor substrate adapted for reduced basal plane dislocations in a silicon carbide epitaxial layer.例文帳に追加

炭化珪素エピタキシャル層中の基底面転位を減らすことができる炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the deterioration of element characteristics caused by Basal Plane dislocation existing on a semiconductor substrate in a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子において、半導体基板に存在するＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位に起因する素子特性の低下を抑制する。 - 特許庁

A depression 3 is formed in the surface of a ceramic substrate 1 and a back plate 4 is formed on the basal plane of the depression 3.例文帳に追加

セラミックス基板１の表面に凹部３が形成されており、凹部３の底面に背面電極４が形成されている。 - 特許庁

The density of the Basal Plane dislocation in the semiconductor substrate 101 is set to 10^4cm^-2 or more, and the density of Basal Plane dislocation in the section faced to the gate electrode 113 on the surface of the semiconductor layer 102 is set to 10^3cm^-2 or less.例文帳に追加

半導体基板１０１におけるＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位の密度は１０^４ｃｍ^−２以上であり、半導体層１０２の表面のうちゲート電極１１３に対向する部分におけるＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位の密度は１０^３ｃｍ^−２以下である。 - 特許庁

The processing composition container for the photographic solution is formed by providing the peripheral edge at the basal plane on the inner side of a plastic container with a groove-like recess encircling the basal plane along the peripheral edge and disposing the mouth of the container in the upper part of the container on the perpendicular line erected perpendicularly from the arbitrary position of the container.例文帳に追加

プラスチック容器の内側底面部の辺縁に沿って底面部を取り巻く溝状の窪みを設け、容器の口部が該溝状の窪みの任意の位置から垂直に立てた垂線上の容器上部に配されている写真用液体処理組成物容器。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor substrate where basal plane dislocations in a silicon carbide epitaxial layer can be reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

炭化珪素エピタキシャル層中の基底面転位を減らすことができる炭化珪素半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁