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bit BLTとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 ビット‐ブリット


研究社 英和コンピューター用語辞典での「bit BLT」の意味

BitBlt


「bit BLT」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 31



例文

Gates of the transistors N10, N11 are connected to the bit lines /BLt, BLt, and drains are connected to the bit lines BLt, /BLt.例文帳に追加

トランジスタN10,N11のゲートはビット線/BLt,BLtに接続し、ドレインはビット線BLt,/BLtに接続する。 - 特許庁

The complementary bit line includes first and second bit lines BLT and BLB.例文帳に追加

相補ビット線は、第1ビット線BLTと第2ビット線BLBからなる。 - 特許庁

A read transistor MRT and a write transistor MWT are connected to a bit line BLT side via a transfer transistor MTT.例文帳に追加

ビット線BLT側には、トランスファトランジスタMTTを介して、リード用トランジスタMRT及びライト用トランジスタMWTが接続される。 - 特許庁

A bit line equalizer BLE equalizes the potential of the bit line pairs BLt and Blc.例文帳に追加

ビット線イコライザBLEは、ビット線対BLt,BLcの電位をイコライズする。 - 特許庁

During the reading operation, a potential higher than that of the first bit line BLT appears in the second bit line BLB.例文帳に追加

読み出し動作時、第2ビット線BLBには第1ビット線BLTよりも高い電位が現れる。 - 特許庁

A sense amplifier S/A is connected to bit line pairs BLt and BLc to read/write data.例文帳に追加

センスアンプS/Aは、データの読み/書きを行うためにビット線対BLt,BLcに接続される。 - 特許庁

例文

Bit line pre-charge circuits PCt, PCb pre-charging bit lines BLt, /BLt to ground voltage GND are arranged, and reference word lines RWLo, RWLe and a reference memory cell RMC are arranged so that potential difference is caused surely between bit lines BLt and /BLt when a word line WL is activated.例文帳に追加

ビット線BLt,/BLtを接地電圧GNDにプリチャージするビット線プリチャージ回路PCt,PCbを設け、ワード線WLが活性化されたときビット線BLt,/BLt間に必ず電位差が生じるように参照ワード線RWLo,RWLe及び参照メモリセルRMCを設ける。 - 特許庁

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マイクロソフト用語集での「bit BLT」の意味

bitblt

対訳 bitblt


コンピューター用語辞典での「bit BLT」の意味

bit-blt


bit-blt<bit-boundary block transfer>

bit-blt


JST科学技術用語日英対訳辞書での「bit BLT」の意味

日英・英日専門用語辞書での「bit BLT」の意味

BiTBLT

BitBlt

BitBlt

BiTBLT,ビットブリット

Weblio英和対訳辞書での「bit BLT」の意味

BitBLT


BitBlt


bitblt

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「bit BLT」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 31



例文

At timing when the potential of the replica bit line RBL reaches a predetermined value, the bootstrap circuit 3 drives the bit line BLt to the negative potential.例文帳に追加

ブートストラップ回路3は、レプリカビット線RBLの電位が所定の値となったタイミングでビット線BLtを負電位に駆動する。 - 特許庁

Selection of a write column is performed in the non- activation state of the sense amplifier 3, write data are written in the pair of bit lines BLt/BLc belonging to a selected column when the sense amplifier 3 is in a non-activation state.例文帳に追加

そして、書き込みカラムの選択をセンスアンプ3が非活性状態のときに行い、書き込みデータを選択されたカラムに属するビット線対BLt/BLcに、センスアンプ3が非活性状態のときに書き込む。 - 特許庁

A shift word line SWL and a shift memory cell SMC are arranged so that the N type sense amplifier NSAt can amplify potential difference of the bit lines BLt, /BLt.例文帳に追加

N型センスアンプNSAtがビット線BLt,/BLtの電位差を増幅できるようにシフトワード線SWL及びシフトメモリセルSMCを設ける。 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with a sense amplifier SA, a pair of bit lines BLT, BLB, a transfer switch SW provided between the sense amplifier SA and the pair of bit lines BLT, BLB, a pre-charge circuit PC pre-charging the sense amplifier SA and the pair of bit lines BLT, BLB to the same potential, and a control circuit CTL.例文帳に追加

センスアンプSAと、ビット線対BLT,BLBと、センスアンプSAとビット線対BLT,BLBとの間に設けられたトランスファースイッチSWと、センスアンプSAとビット線対BLT,BLBを同電位にプリチャージするプリチャージ回路PCと、制御回路CTLとを備える。 - 特許庁

The bootstrap circuit 3 controls the timing to drive the bit line BLt to the negative potential, based on a boost enable signal boost_en.例文帳に追加

ブートストラップ回路3は、ブーストイネーブル信号boost_enに基づいてビット線BLtを負電位に駆動するタイミングを制御する。 - 特許庁

The latch type sense amplifier 70 senses the complementary data based on potential difference of the complementary bit lines BLT, BLB.例文帳に追加

ラッチ型センスアンプ70は、その相補ビット線BLT,BLBの電位差に基づいて、相補データをセンスする。 - 特許庁

A first transistor TR2 is provided between a true node A of a SRAM memory cell 102 and the true bit line (BLT).例文帳に追加

第1トランジスタTR2は、SRAMメモリセル102の真ノードAと真ビットライン(BLT)の間に設けられる。 - 特許庁

例文

LYSW 20_1 to 20_4 perform connection control between bit lines (BLT/BLB) and local I/O lines (LIO).例文帳に追加

LYSW20_1〜20_4は、ビット線(BLT/BLB)とローカルI/O線(LIO)との間を接続制御を行っている。 - 特許庁

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